2024年5月17日发(作者：操高朗)
剪不断理还乱!DDR1-3和GDDR1-5全解析
或许很多朋友不明白GDDR相比DDR发展速度为何如此“超前”、甚至搞不清楚
GDDR1/2/3/4/5和DDR1/2/3之间“说不清道不明”的关系。
如果您是一位求知欲很强的电脑爱好者，那么本文非常适合您，笔者特意搜集了大量官方
技术文档，为大家献上内存和显存鲜为人知的奥秘……
● 内存的存取原理及难以逾越的频障：
在半导体科技极为发达的台湾省，内存和显存被统称为记忆体（Memory），全名是动
态随机存取记忆体（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。基本原理就是利用
电容内存储电荷的多寡来代表0和1，这就是一个二进制位元（bit），内存的最小单位。
DRAM的存储单元结构图
DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个晶体管加一个电容。但是电容
不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的刷新
（预充电），这也是DRAM的一大特点。而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可
能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也
收效甚微。
2024年5月17日发(作者：操高朗)
剪不断理还乱!DDR1-3和GDDR1-5全解析
或许很多朋友不明白GDDR相比DDR发展速度为何如此“超前”、甚至搞不清楚
GDDR1/2/3/4/5和DDR1/2/3之间“说不清道不明”的关系。
如果您是一位求知欲很强的电脑爱好者，那么本文非常适合您，笔者特意搜集了大量官方
技术文档，为大家献上内存和显存鲜为人知的奥秘……
● 内存的存取原理及难以逾越的频障：
在半导体科技极为发达的台湾省，内存和显存被统称为记忆体（Memory），全名是动
态随机存取记忆体（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。基本原理就是利用
电容内存储电荷的多寡来代表0和1，这就是一个二进制位元（bit），内存的最小单位。
DRAM的存储单元结构图
DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个晶体管加一个电容。但是电容
不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的刷新
（预充电），这也是DRAM的一大特点。而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可
能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也
收效甚微。