2024年6月4日发(作者：寿千秋)
RAM:
RAM -random access memory（随机存取存储器)。存储单元的内容可按
需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器
在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储信
息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机
存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
RAM基本结构和工作原理：
RAM 结构框图如图1 所示:
它主要由存储矩阵（又称存储体）、地址译码器和读/写电路 3 部分组成。存储
矩阵是存储器的主体，其他两部分称为存储器的外围电路。存储矩阵是由许多存
储单元有规则地排列构成的，每一个存储单元可以存储一位二进制码。对每个存
储单元用二进制码编号，即构成存储单元的地址，为了选中给定单元的地址，可
以采用一元寻址（又称为字结构或单译码结构），或者二元寻址（又称位结构或
双译码结构）。
其逻辑框图如2 所示，图中，存储矩阵包含 16 个存储单元，所以，需要 16 个
地址。图2（a）是一元寻址，由 4 位地址码便可构成 16 个地址，即 16 条字
线，每条字线为 1 电平时便选中相应存储单元。被选中单元通过数据线与读/
写电路连接，便可实现对该单元的读出或写入。
图 2(b)为二元寻址逻辑图，它有 X 和 Y 两个地址译码器。每个存储单元由 X
字线和 Y 字线控制，只有在 X 和 Y 字线都被选中时才能对该单元读出或写
入。二元寻址可以大大减少字线数量。所以，在大容量 RAM 中均采用二元寻
址。
SRAM:
静态 MOS 存储单元：
核心是锁存器（T1~T4组成的基本锁存器）
图 3 所示的是静态 MOS 六管存储单元。图中，X i和 Yj为字线；I/O 为数据
入/输出端；R/ W 为读/写控制端。当 R/ W =0 时，进行写入操作；当 R/ W =1
时，行读出操作。
电路均由增强型 NMOS 管构成，T1、T3和 T2、T4两个反相器交叉耦合构成触
器。电路采用二元寻址，当字线 Xi和 Yj均为高电平时，T5~T8均导通，则该
单元选中，若此时R/ W为1，则电路为读出态，三态门G1、G2被禁止，三态门
G3工作，存储数据经数据线 D，通过三态门 G3至 I/O 引脚输出。若 R/ W 为 0，
则三态G1、G2工作，三态门 G3被禁止，由 I/O 输入数据经 G1、G2便写入存
储单元。
2024年6月4日发(作者：寿千秋)
RAM:
RAM -random access memory（随机存取存储器)。存储单元的内容可按
需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器
在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储信
息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机
存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
RAM基本结构和工作原理：
RAM 结构框图如图1 所示:
它主要由存储矩阵（又称存储体）、地址译码器和读/写电路 3 部分组成。存储
矩阵是存储器的主体，其他两部分称为存储器的外围电路。存储矩阵是由许多存
储单元有规则地排列构成的，每一个存储单元可以存储一位二进制码。对每个存
储单元用二进制码编号，即构成存储单元的地址，为了选中给定单元的地址，可
以采用一元寻址（又称为字结构或单译码结构），或者二元寻址（又称位结构或
双译码结构）。
其逻辑框图如2 所示，图中，存储矩阵包含 16 个存储单元，所以，需要 16 个
地址。图2（a）是一元寻址，由 4 位地址码便可构成 16 个地址，即 16 条字
线，每条字线为 1 电平时便选中相应存储单元。被选中单元通过数据线与读/
写电路连接，便可实现对该单元的读出或写入。
图 2(b)为二元寻址逻辑图，它有 X 和 Y 两个地址译码器。每个存储单元由 X
字线和 Y 字线控制，只有在 X 和 Y 字线都被选中时才能对该单元读出或写
入。二元寻址可以大大减少字线数量。所以，在大容量 RAM 中均采用二元寻
址。
SRAM:
静态 MOS 存储单元：
核心是锁存器（T1~T4组成的基本锁存器）
图 3 所示的是静态 MOS 六管存储单元。图中，X i和 Yj为字线；I/O 为数据
入/输出端；R/ W 为读/写控制端。当 R/ W =0 时，进行写入操作；当 R/ W =1
时，行读出操作。
电路均由增强型 NMOS 管构成，T1、T3和 T2、T4两个反相器交叉耦合构成触
器。电路采用二元寻址，当字线 Xi和 Yj均为高电平时，T5~T8均导通，则该
单元选中，若此时R/ W为1，则电路为读出态，三态门G1、G2被禁止，三态门
G3工作，存储数据经数据线 D，通过三态门 G3至 I/O 引脚输出。若 R/ W 为 0，
则三态G1、G2工作，三态门 G3被禁止，由 I/O 输入数据经 G1、G2便写入存
储单元。