2024年6月10日发(作者：呼延绣文)
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(21)申请号 CN2.0
(22)申请日 2004.07.15
(71)申请人 友达光电股份有限公司
地址 台湾省新竹市
(72)发明人 吴逸人 宋文发
(74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
代理人 李宗明
(51)
H01J17/04
权利要求说明书 说明书 幅图
(10)申请公布号 CN 1556542 A
(43)申请公布日 2004.12.22
(54)发明名称
位于等离子显示器面板基底上的电
极结构
(57)摘要
本发明提供一种位于等离子显示器
面板基底上的电极结构。包括一具有相对
宽的电极垫的电极，各个宽的电极垫由一
相对窄的辅助电极线导体对应交截。在各
个宽的电极垫与辅助电极线导体对应交截
处，宽的电极垫的线宽大于辅助电极线导
体的线宽且基本上小于宽的电极垫的较宽
段的线宽。将电极的线宽制作成由窄变宽
递增，能避免在烧结的过程中，电极收缩
而发生断裂。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
权 利 要 求 说 明 书
1.一种位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
多个电极具有相对宽的电极垫；
各个宽的电极垫由一相对窄的辅助电极线导体对应交截；以及
在各个宽的电极垫与辅助电极线导体对应交截处，该宽的电极垫的线宽大于该辅助
电极线导体的线宽且基本上小于该宽的电极垫的较宽段的线宽。
2.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：该
宽的电极垫的较宽段具有逐渐增加的宽度。
3.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该宽的电极垫的较宽段具有逐渐增加的宽度；以及
该宽的电极垫具有一最大宽度段。
4.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该电极位于交截处与该宽的电极垫的较宽段之间的一部分，具有曲线形的轮廓。
5.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该电极位于交截处与该宽的电极垫的较宽段之间的一部分，具有斜边的轮廓。
6.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该电极位于交截处与该宽的电极垫的较宽段之间的一部分，具有直斜边的轮廓。
7.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该电极位于交截处与该宽的电极垫的较宽段之间的一部分，具有渐增的宽度。
8.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该电极位于交截处与该宽的电极垫的较宽段之间的一部分，具有突然增加的宽度。
9.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该电极位于交截处与该宽的电极垫的较宽段之间的一部分，具有一第一斜边轮廓；
以及
该宽的电极垫的较宽段具有一第二斜边轮廓。
10.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该宽的电极垫具有一最大宽度段沿着一变尖的轮廓。
说 明 书
技术领域
本发明涉及一种适用于等离子显示器面板(PDP)的电极结构，特别是涉及一种等离
子显示器面板(PDP)的基板上的电极结构及其制作方法。
背景技术
等离子显示器(PDP)的基板的电极结构是以公知的显微光刻步骤形成。首先，在基
板上的电极材料层上覆盖一光致抗蚀剂层。根据显影工序，直接将电磁辐射束透过
图形化光掩模辐照于光致抗蚀剂层上，以将光掩模上的图形移转至光致抗蚀剂层上。
接着，以显影剂移除为辐照的部分，留下图形化的光致抗蚀剂层覆于电极材料层上。
以图形化的光致抗蚀剂层为掩模，选择性地蚀刻电极材料层，以形成图形化电极于
等离子显示器(PDP)的基板上。上述电极包括一延伸的辅助电极线导体交截多个相
间隔地电极垫。
接着，将基板上的图形化电极施以烧结工序，随着温度升高，有机的化合物会先被
驱离。然后，于高温下，颗粒形电极材料烧结而形成固相的电极材料。致使电极于
施加电压的条件下具良好的导电性、耐久性及电性。
图4例举一范例，说明一图形化电极具有辅助电极线导体交截电极垫。辅助电极线
导体具有窄的宽度，或窄的尺寸。电极垫具有宽的宽度，或宽的尺寸，因电极垫需
相对大的面积以形成对应六边形像素电极的电连接。如图4所示，像素电极覆盖且
契合相对应的电极垫。
图5显示电极图形的断裂，此断裂可出现于电极图形显影过程中，或出现于电极图
形烧结过程中。
上述断裂起因于显影电极图形时，该电极于相对应的窄的辅助电极线导体与宽的电
极垫的交截处，具有突然的宽度变化。当进行光掩模图形曝光后，在显影过程中，
流动性的显影液沿电极的长轴方向流动。由于电极图形缺乏流线形轮廓，流动性的
显影液横向侧切侵入图形化掩模。当横向侧切的图形化掩模移转至电极层时，电极
结构也会变弱且易发生断裂。在高温烧结的过程时，电极断裂的发生是由于，在降
温的过程中宽的电极垫收缩量大于窄的辅助电极线导体的收缩量。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种电极结构，以避免等离子显示器面板的电极
发生断裂。
根据本发明的一实施方式，电极的轮廓制作成流线形或曲线形，以避免流动显影液
横向侧切侵入图形化掩模，造成电极断裂。
根据本发明的另一实施方式，电极的线宽制作成由窄变宽递增，以避免在烧结的过
程中，电极发生断裂。
根据本发明的一实施方式，位于辅助电极线导体与电极垫的交截处，电极的线宽大
于辅助电极线导体的线宽而小于电极垫的较宽部分的宽度。
以下结合附图以及较佳实施例，以更详细地说明本发明。
附图说明
图1是显示公知图形化电极于等离子显示器基板上的俯视图；
图2是显示六边形像素电极的俯视图，该像素电极相似于图1所揭示的电极；
图3是显示矩形像素电极的俯视图，该像素电极相似于图1所揭示的电极；
图4是显示六边形像素电极连接相对应的辅助电极线的俯视图，该像素电极相似于
图1所揭示的电极；
图5显示电极图形内的断裂；以及
图6-12分别显示本发明的较佳实施方式图形化电极的俯视图。
附图符号说明：
100～电极；100a～电极的一端；100b～电极的另一端；102～电极垫；104～辅助
电极线导体；106～像素电极；108～断裂；110～交截处；112～电极垫的最宽段；
114～电极垫的较宽段。
具体实施方式 图1是显示多重图形化电极100用于一等离子显示器组件。各个电极100具有一个 或多个扩大的电极垫102。相对应电极100的各个电极垫102连接电极100的一辅 助电极线导体104。图2-5揭示各型态的图形化电极100相似于图1所揭示的图形 化电极。 图4是显示公知的电极100图形范例，具有辅助电极线导体104连接至电极垫102。 该辅助电极线导体104具有窄的宽度，或窄的尺寸。电极垫102具有宽的宽度，或 宽的尺寸，因电极垫102需相对大的面积以形成对应六边形像素电极106的电连接， 如图4所示。像素电极106覆盖且契合相对应的电极垫102。 图5是显示电极图形的断裂108，此断裂108可出现于电极图形显影过程中，或出 现于电极图形烧结过程中。上述断裂108包括，但不限定于，电极图形的裂缝或破 断。该断裂108最常发生于相对应的窄的辅助电极线导体104与宽的电极垫102的 交截处。 上述断裂108是起因于，例如显影电极图形100时，在相对应的窄的辅助电极线导 体104与宽的电极垫102的交截处110，具有突然的宽度变化。于图1-5中所示的 实施例中，窄的辅助电极线导体104直接交截电极垫102的最宽段112。因此，断 裂108形成于，例如在进行光掩模图形曝光后，在显影过程中，流动性的显影液沿 电极100的长轴方向流动，流动性的显影液横向侧切侵入图形化电极。甚至，断裂 108的发生是由于，例如在高温烧结的降温的过程中，宽的电极垫102收缩量大于 窄的辅助电极线导体104的收缩量。 图6-12揭示本发明的一实施方式的电极100于等离子显示器组件的基板上。各个 电极100的长度是沿电极100的一端100a延伸至电极100的另一端100b。各个电 极100的宽度是量测横向于电极100的长度。各个电极100包括窄线宽的辅助电极 线导体104，交截具有宽线宽的电极垫102于各个交截处110。根据本发明，交截 处110的定义为电极100的线宽开始变宽的位置，以及由此变成电极垫102的线宽， 连接窄线宽的辅助电极线导体104。 本发明避免辅助电极线导体104与具有宽线宽的电极垫102交截于电极垫102的最 宽段112处。因而，交截处110的线宽小于电极垫102的最宽段112的线宽。 位于各个电极垫102的交截处110具有一相对应的辅助电极线导体104，电极垫 102的线宽大于辅助电极线导体104的线宽，而基本上小于电极垫102的较宽段 114的线宽。电极垫102于交截处110的线宽小于，也即该处的线宽特意地的变窄， 电极垫102的较宽段114的线宽。具有上述特征的电极垫102能避免造成电极100 内发生断裂108。根据本发明的一较佳实施方式，电极垫102的较宽段114是位于 交截处110与电极垫102的最宽段112之间。 图6、9及11各显示本发明的较佳实施方式，其中电极100的一部分具有一突增的 线宽，位于交截处110与电极垫102的较宽段114之间。具有上述特征的电极垫 102能避免造成电极100内发生断裂108。根据公知技术，电极100，从交截处110 至电极垫102的最宽断112处，具有突增线宽的部分，必定无法避免造成电极100 内发生断裂108。 根据本发明的较佳实施方式，电极100的线宽由窄至宽逐渐改变，在烧结过程中， 能避免造成电极100内发生断裂108。图6-12各显示本发明的较佳实施方式，其中 电极垫102的较宽段114的特征为具有渐增的线宽，以更进一步地避免电极100内 发生断裂108。 根据本发明的较佳实施方式，电极的轮廓是由显影工序中形成流线形或曲线形，以 避免流动性的显影液横向侧切侵蚀轮廓中的锐角处，进而避免造成电极100内发生 断裂108。流线形或曲线形轮廓沿电极100的线宽由窄至宽延伸。更进一步地说， 根据图11及12所公开的较佳实施方式，最大宽度段位于具曲线形轮廓的电极垫 102。 图6-12各显示本发明的较佳实施方式，其中电极垫102具有一最大宽度段。根据 图6及7，最大宽度段是位于电极垫102的变尖的轮廓处。轮廓是关于外围的棱边 以及其形状或外观的特征。 再者，根据图8、9及10所公开的较佳实施方式，最大宽度段是位于电极垫102的 直边的轮廓处。 再者，根据图10、11及12所公开的较佳实施方式，电极100位于交截处100与电 极垫102的较宽段114之间的部分具有一第一斜边轮廓。电极垫102的较宽段114 的部分具有一第二斜边轮廓。 根据图7-12各显示本发明的较佳实施方式，电极100位于交截处100与电极垫102 的最宽段112之间的部分具有一斜边轮廓。在图7、8及10中，所公开的轮廓为直 的斜边轮廓。而图12中，所公开的轮廓为凹曲线形的斜边轮廓。 根据图11及12所公开的本发明的较佳实施方式，其中该轮廓为流线形或曲线形轮 廓。 本发明的特征与效果在于通过改变电极的轮廓，避免辅助电极线导体与宽的电极垫 交截于电极垫的最宽段处，或制作成流线形或曲线形，以避免在显影工序中，流动 性的显影液横向侧切侵入图形化掩模，造成电极断裂。 此外，将电极的线宽制作成由窄变宽递增，能避免在烧结的过程中，电极收缩而发 生断裂。 虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然而其并非用以限定本发明，任何本技术领 域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当然可作更动与润饰，因此 本发明的保护范围应当以权利要求书范围所界定的为准。
2024年6月10日发(作者：呼延绣文)
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(21)申请号 CN2.0
(22)申请日 2004.07.15
(71)申请人 友达光电股份有限公司
地址 台湾省新竹市
(72)发明人 吴逸人 宋文发
(74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
代理人 李宗明
(51)
H01J17/04
权利要求说明书 说明书 幅图
(10)申请公布号 CN 1556542 A
(43)申请公布日 2004.12.22
(54)发明名称
位于等离子显示器面板基底上的电
极结构
(57)摘要
本发明提供一种位于等离子显示器
面板基底上的电极结构。包括一具有相对
宽的电极垫的电极，各个宽的电极垫由一
相对窄的辅助电极线导体对应交截。在各
个宽的电极垫与辅助电极线导体对应交截
处，宽的电极垫的线宽大于辅助电极线导
体的线宽且基本上小于宽的电极垫的较宽
段的线宽。将电极的线宽制作成由窄变宽
递增，能避免在烧结的过程中，电极收缩
而发生断裂。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
权 利 要 求 说 明 书
1.一种位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
多个电极具有相对宽的电极垫；
各个宽的电极垫由一相对窄的辅助电极线导体对应交截；以及
在各个宽的电极垫与辅助电极线导体对应交截处，该宽的电极垫的线宽大于该辅助
电极线导体的线宽且基本上小于该宽的电极垫的较宽段的线宽。
2.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：该
宽的电极垫的较宽段具有逐渐增加的宽度。
3.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该宽的电极垫的较宽段具有逐渐增加的宽度；以及
该宽的电极垫具有一最大宽度段。
4.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该电极位于交截处与该宽的电极垫的较宽段之间的一部分，具有曲线形的轮廓。
5.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该电极位于交截处与该宽的电极垫的较宽段之间的一部分，具有斜边的轮廓。
6.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该电极位于交截处与该宽的电极垫的较宽段之间的一部分，具有直斜边的轮廓。
7.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该电极位于交截处与该宽的电极垫的较宽段之间的一部分，具有渐增的宽度。
8.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该电极位于交截处与该宽的电极垫的较宽段之间的一部分，具有突然增加的宽度。
9.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该电极位于交截处与该宽的电极垫的较宽段之间的一部分，具有一第一斜边轮廓；
以及
该宽的电极垫的较宽段具有一第二斜边轮廓。
10.如权利要求1所述的位于等离子显示器面板基底上的电极结构，其特征在于：
该宽的电极垫具有一最大宽度段沿着一变尖的轮廓。
说 明 书
技术领域
本发明涉及一种适用于等离子显示器面板(PDP)的电极结构，特别是涉及一种等离
子显示器面板(PDP)的基板上的电极结构及其制作方法。
背景技术
等离子显示器(PDP)的基板的电极结构是以公知的显微光刻步骤形成。首先，在基
板上的电极材料层上覆盖一光致抗蚀剂层。根据显影工序，直接将电磁辐射束透过
图形化光掩模辐照于光致抗蚀剂层上，以将光掩模上的图形移转至光致抗蚀剂层上。
接着，以显影剂移除为辐照的部分，留下图形化的光致抗蚀剂层覆于电极材料层上。
以图形化的光致抗蚀剂层为掩模，选择性地蚀刻电极材料层，以形成图形化电极于
等离子显示器(PDP)的基板上。上述电极包括一延伸的辅助电极线导体交截多个相
间隔地电极垫。
接着，将基板上的图形化电极施以烧结工序，随着温度升高，有机的化合物会先被
驱离。然后，于高温下，颗粒形电极材料烧结而形成固相的电极材料。致使电极于
施加电压的条件下具良好的导电性、耐久性及电性。
图4例举一范例，说明一图形化电极具有辅助电极线导体交截电极垫。辅助电极线
导体具有窄的宽度，或窄的尺寸。电极垫具有宽的宽度，或宽的尺寸，因电极垫需
相对大的面积以形成对应六边形像素电极的电连接。如图4所示，像素电极覆盖且
契合相对应的电极垫。
图5显示电极图形的断裂，此断裂可出现于电极图形显影过程中，或出现于电极图
形烧结过程中。
上述断裂起因于显影电极图形时，该电极于相对应的窄的辅助电极线导体与宽的电
极垫的交截处，具有突然的宽度变化。当进行光掩模图形曝光后，在显影过程中，
流动性的显影液沿电极的长轴方向流动。由于电极图形缺乏流线形轮廓，流动性的
显影液横向侧切侵入图形化掩模。当横向侧切的图形化掩模移转至电极层时，电极
结构也会变弱且易发生断裂。在高温烧结的过程时，电极断裂的发生是由于，在降
温的过程中宽的电极垫收缩量大于窄的辅助电极线导体的收缩量。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种电极结构，以避免等离子显示器面板的电极
发生断裂。
根据本发明的一实施方式，电极的轮廓制作成流线形或曲线形，以避免流动显影液
横向侧切侵入图形化掩模，造成电极断裂。
根据本发明的另一实施方式，电极的线宽制作成由窄变宽递增，以避免在烧结的过
程中，电极发生断裂。
根据本发明的一实施方式，位于辅助电极线导体与电极垫的交截处，电极的线宽大
于辅助电极线导体的线宽而小于电极垫的较宽部分的宽度。
以下结合附图以及较佳实施例，以更详细地说明本发明。
附图说明
图1是显示公知图形化电极于等离子显示器基板上的俯视图；
图2是显示六边形像素电极的俯视图，该像素电极相似于图1所揭示的电极；
图3是显示矩形像素电极的俯视图，该像素电极相似于图1所揭示的电极；
图4是显示六边形像素电极连接相对应的辅助电极线的俯视图，该像素电极相似于
图1所揭示的电极；
图5显示电极图形内的断裂；以及
图6-12分别显示本发明的较佳实施方式图形化电极的俯视图。
附图符号说明：
100～电极；100a～电极的一端；100b～电极的另一端；102～电极垫；104～辅助
电极线导体；106～像素电极；108～断裂；110～交截处；112～电极垫的最宽段；
114～电极垫的较宽段。
具体实施方式 图1是显示多重图形化电极100用于一等离子显示器组件。各个电极100具有一个 或多个扩大的电极垫102。相对应电极100的各个电极垫102连接电极100的一辅 助电极线导体104。图2-5揭示各型态的图形化电极100相似于图1所揭示的图形 化电极。 图4是显示公知的电极100图形范例，具有辅助电极线导体104连接至电极垫102。 该辅助电极线导体104具有窄的宽度，或窄的尺寸。电极垫102具有宽的宽度，或 宽的尺寸，因电极垫102需相对大的面积以形成对应六边形像素电极106的电连接， 如图4所示。像素电极106覆盖且契合相对应的电极垫102。 图5是显示电极图形的断裂108，此断裂108可出现于电极图形显影过程中，或出 现于电极图形烧结过程中。上述断裂108包括，但不限定于，电极图形的裂缝或破 断。该断裂108最常发生于相对应的窄的辅助电极线导体104与宽的电极垫102的 交截处。 上述断裂108是起因于，例如显影电极图形100时，在相对应的窄的辅助电极线导 体104与宽的电极垫102的交截处110，具有突然的宽度变化。于图1-5中所示的 实施例中，窄的辅助电极线导体104直接交截电极垫102的最宽段112。因此，断 裂108形成于，例如在进行光掩模图形曝光后，在显影过程中，流动性的显影液沿 电极100的长轴方向流动，流动性的显影液横向侧切侵入图形化电极。甚至，断裂 108的发生是由于，例如在高温烧结的降温的过程中，宽的电极垫102收缩量大于 窄的辅助电极线导体104的收缩量。 图6-12揭示本发明的一实施方式的电极100于等离子显示器组件的基板上。各个 电极100的长度是沿电极100的一端100a延伸至电极100的另一端100b。各个电 极100的宽度是量测横向于电极100的长度。各个电极100包括窄线宽的辅助电极 线导体104，交截具有宽线宽的电极垫102于各个交截处110。根据本发明，交截 处110的定义为电极100的线宽开始变宽的位置，以及由此变成电极垫102的线宽， 连接窄线宽的辅助电极线导体104。 本发明避免辅助电极线导体104与具有宽线宽的电极垫102交截于电极垫102的最 宽段112处。因而，交截处110的线宽小于电极垫102的最宽段112的线宽。 位于各个电极垫102的交截处110具有一相对应的辅助电极线导体104，电极垫 102的线宽大于辅助电极线导体104的线宽，而基本上小于电极垫102的较宽段 114的线宽。电极垫102于交截处110的线宽小于，也即该处的线宽特意地的变窄， 电极垫102的较宽段114的线宽。具有上述特征的电极垫102能避免造成电极100 内发生断裂108。根据本发明的一较佳实施方式，电极垫102的较宽段114是位于 交截处110与电极垫102的最宽段112之间。 图6、9及11各显示本发明的较佳实施方式，其中电极100的一部分具有一突增的 线宽，位于交截处110与电极垫102的较宽段114之间。具有上述特征的电极垫 102能避免造成电极100内发生断裂108。根据公知技术，电极100，从交截处110 至电极垫102的最宽断112处，具有突增线宽的部分，必定无法避免造成电极100 内发生断裂108。 根据本发明的较佳实施方式，电极100的线宽由窄至宽逐渐改变，在烧结过程中， 能避免造成电极100内发生断裂108。图6-12各显示本发明的较佳实施方式，其中 电极垫102的较宽段114的特征为具有渐增的线宽，以更进一步地避免电极100内 发生断裂108。 根据本发明的较佳实施方式，电极的轮廓是由显影工序中形成流线形或曲线形，以 避免流动性的显影液横向侧切侵蚀轮廓中的锐角处，进而避免造成电极100内发生 断裂108。流线形或曲线形轮廓沿电极100的线宽由窄至宽延伸。更进一步地说， 根据图11及12所公开的较佳实施方式，最大宽度段位于具曲线形轮廓的电极垫 102。 图6-12各显示本发明的较佳实施方式，其中电极垫102具有一最大宽度段。根据 图6及7，最大宽度段是位于电极垫102的变尖的轮廓处。轮廓是关于外围的棱边 以及其形状或外观的特征。 再者，根据图8、9及10所公开的较佳实施方式，最大宽度段是位于电极垫102的 直边的轮廓处。 再者，根据图10、11及12所公开的较佳实施方式，电极100位于交截处100与电 极垫102的较宽段114之间的部分具有一第一斜边轮廓。电极垫102的较宽段114 的部分具有一第二斜边轮廓。 根据图7-12各显示本发明的较佳实施方式，电极100位于交截处100与电极垫102 的最宽段112之间的部分具有一斜边轮廓。在图7、8及10中，所公开的轮廓为直 的斜边轮廓。而图12中，所公开的轮廓为凹曲线形的斜边轮廓。 根据图11及12所公开的本发明的较佳实施方式，其中该轮廓为流线形或曲线形轮 廓。 本发明的特征与效果在于通过改变电极的轮廓，避免辅助电极线导体与宽的电极垫 交截于电极垫的最宽段处，或制作成流线形或曲线形，以避免在显影工序中，流动 性的显影液横向侧切侵入图形化掩模，造成电极断裂。 此外，将电极的线宽制作成由窄变宽递增，能避免在烧结的过程中，电极收缩而发 生断裂。 虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然而其并非用以限定本发明，任何本技术领 域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当然可作更动与润饰，因此 本发明的保护范围应当以权利要求书范围所界定的为准。