2024年6月12日发(作者：钭俊喆)
黄光PHOT（制程问答
PHOTO流程 ?
答：上光阻f曝光f顯影f顯影後檢查f CD量測f Overlay量測 何为光阻？其功能为
何？其分为哪两种？
答： Photoresist（ 光阻）. 是一种感光的物质，其作用是将 Pattern 从光罩
（Reticle） 上传递到 Wafer 上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻 ? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部
分的性质 会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻 ? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改
变，但是 这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反， 其感光部分在将来的显影过程中
会被 留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？ 答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝
光完成后的图形处理， 以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓 Photo?
答： Photo=Photolithgraphy, 光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何
？
答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake,曝光，PEB显影，Hard Bake 等。
何谓PHOT区之前处理
？
答：在 Wafer 上涂布光阻之前， 需要先对 Wafer 表面进行一系列的处理工作， 以
使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。 前处理主要包括 Bake， HDMS
等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDM工作，以 使
Wafer 表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻 ?
答：上光阻是为了在 Wafer 表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴
（Nozzle）被喷涂在高速旋转的 Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布 在
Wafer 的表面。
何谓 Soft Bake?
答：上完光阻之后，要进行 Soft Bake ，其主要目的是通过 Soft Bake 将光阻中 的溶
剂蒸发， 并控制光阻的敏感度和将来的线宽， 同时也将光阻中的残余内应力 释放。
何谓曝光 ?
答：曝光是将涂布在 Wafer 表面的光阻感光的过程， 同时将光罩上的图形传递到
Wafer 上的过程。
何谓 PEB（Post Exposure Bake）?
答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的 Bake的过程。其目的在于使被
曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
何谓显影 ?
答：显影类似于洗照片， 是将曝光完成的 Wafer 进行成象的过程， 通过这个过程，
成象在光阻上的图形被显现出来。
何谓 Hard Bake?
答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在 Wafer上的显影液蒸发，并且固 化显
影完成之后的光阻的图形的过程。
何为BARC何为TARC它们分别的作用是什幺？
答： BARC=BottomAnti Reflective Coating, TARC=TopAnti Reflective Coating. BAR
（是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质， TARCM是被涂布在光阻
上表面的一层减少光的反射的物质。 他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻 的上
下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。
何谓 Iline ？
答：曝光过程中用到的光，由 Mercury Lamp（汞灯
）
产生，其波长为365nm，其波
长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。
何谓 DUV？
答：曝光过程中用到的光，其波长为 248nm其波长较短，因此曝光完成后的图 形分
辨率较好，用于较为重要的制程中。
l-line 与DUV主要不同处为何
？
答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。
I-Line 主要用在较落后的 制程（0.35 微米以上）或者较先进制程（0.35 微米以下）的
Non-Critical layer 。 DUV则用在先进制程的Critical layer 上。
何为 Exposure Field?
答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域
何谓 Stepper? 其功能为何 ?
答：一种曝光机， 其曝光动作为 Step by step 形式, 一次曝整個 exposure field, 一個
一個曝過去
何谓 Scanner? 其功能为何 ?
答：一种曝光机，其曝光动作为 Scanning and step 形式, 在一個 exposure field 曝光
時
,
先Scan完整個field, Scan 完後再移到下一個field.
何为象差？ 答：代表透镜成象的能力 , 越小越好 .
Scanner 比 Stepper 优点为何？
答： Exposure Field 大，象差较小 曝光最重要的两个参数是什幺？
答： Energy（ 曝光量）, Focus（ 焦距）。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到
要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的 CD值超出要求的范围。因
此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距， 这两个参数对于不同的产品会有 不
同。
何为 Reticle?
答：Reticle也称为Mask,翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的 载体，
通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
何为 Pellicle?
答： Pellicle 是 Reticle 上为了防止灰塵 （dust） 或者微塵粒子 （Particle） 落在 光
罩的图形面上的一层保护膜。
何为OPC光罩？
答： OPC（Optical Proximity Correction） 为了增加曝光图案的真实性，做了一
些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer 就是OP（光罩。
何为PSM光罩？
答：PSM （Phase Shift Mask）不同于Cr mask,利用相位干涉原理成象，目前大 都应
用在 con tact layer 以及较小 CD 的 Critical layer （如 AA POLY METAL）
以增加图形的分辨率。
何為 CR Mask？
答：傳統的鉻膜光罩 ,只是利用光訊 0與1 干涉成像,主要應用在較不 Critical
的 layer
2024年6月12日发(作者：钭俊喆)
黄光PHOT（制程问答
PHOTO流程 ?
答：上光阻f曝光f顯影f顯影後檢查f CD量測f Overlay量測 何为光阻？其功能为
何？其分为哪两种？
答： Photoresist（ 光阻）. 是一种感光的物质，其作用是将 Pattern 从光罩
（Reticle） 上传递到 Wafer 上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻 ? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部
分的性质 会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻 ? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改
变，但是 这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反， 其感光部分在将来的显影过程中
会被 留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？ 答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝
光完成后的图形处理， 以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓 Photo?
答： Photo=Photolithgraphy, 光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何
？
答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake,曝光，PEB显影，Hard Bake 等。
何谓PHOT区之前处理
？
答：在 Wafer 上涂布光阻之前， 需要先对 Wafer 表面进行一系列的处理工作， 以
使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。 前处理主要包括 Bake， HDMS
等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDM工作，以 使
Wafer 表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻 ?
答：上光阻是为了在 Wafer 表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴
（Nozzle）被喷涂在高速旋转的 Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布 在
Wafer 的表面。
何谓 Soft Bake?
答：上完光阻之后，要进行 Soft Bake ，其主要目的是通过 Soft Bake 将光阻中 的溶
剂蒸发， 并控制光阻的敏感度和将来的线宽， 同时也将光阻中的残余内应力 释放。
何谓曝光 ?
答：曝光是将涂布在 Wafer 表面的光阻感光的过程， 同时将光罩上的图形传递到
Wafer 上的过程。
何谓 PEB（Post Exposure Bake）?
答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的 Bake的过程。其目的在于使被
曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
何谓显影 ?
答：显影类似于洗照片， 是将曝光完成的 Wafer 进行成象的过程， 通过这个过程，
成象在光阻上的图形被显现出来。
何谓 Hard Bake?
答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在 Wafer上的显影液蒸发，并且固 化显
影完成之后的光阻的图形的过程。
何为BARC何为TARC它们分别的作用是什幺？
答： BARC=BottomAnti Reflective Coating, TARC=TopAnti Reflective Coating. BAR
（是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质， TARCM是被涂布在光阻
上表面的一层减少光的反射的物质。 他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻 的上
下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。
何谓 Iline ？
答：曝光过程中用到的光，由 Mercury Lamp（汞灯
）
产生，其波长为365nm，其波
长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。
何谓 DUV？
答：曝光过程中用到的光，其波长为 248nm其波长较短，因此曝光完成后的图 形分
辨率较好，用于较为重要的制程中。
l-line 与DUV主要不同处为何
？
答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。
I-Line 主要用在较落后的 制程（0.35 微米以上）或者较先进制程（0.35 微米以下）的
Non-Critical layer 。 DUV则用在先进制程的Critical layer 上。
何为 Exposure Field?
答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域
何谓 Stepper? 其功能为何 ?
答：一种曝光机， 其曝光动作为 Step by step 形式, 一次曝整個 exposure field, 一個
一個曝過去
何谓 Scanner? 其功能为何 ?
答：一种曝光机，其曝光动作为 Scanning and step 形式, 在一個 exposure field 曝光
時
,
先Scan完整個field, Scan 完後再移到下一個field.
何为象差？ 答：代表透镜成象的能力 , 越小越好 .
Scanner 比 Stepper 优点为何？
答： Exposure Field 大，象差较小 曝光最重要的两个参数是什幺？
答： Energy（ 曝光量）, Focus（ 焦距）。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到
要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的 CD值超出要求的范围。因
此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距， 这两个参数对于不同的产品会有 不
同。
何为 Reticle?
答：Reticle也称为Mask,翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的 载体，
通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
何为 Pellicle?
答： Pellicle 是 Reticle 上为了防止灰塵 （dust） 或者微塵粒子 （Particle） 落在 光
罩的图形面上的一层保护膜。
何为OPC光罩？
答： OPC（Optical Proximity Correction） 为了增加曝光图案的真实性，做了一
些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer 就是OP（光罩。
何为PSM光罩？
答：PSM （Phase Shift Mask）不同于Cr mask,利用相位干涉原理成象，目前大 都应
用在 con tact layer 以及较小 CD 的 Critical layer （如 AA POLY METAL）
以增加图形的分辨率。
何為 CR Mask？
答：傳統的鉻膜光罩 ,只是利用光訊 0與1 干涉成像,主要應用在較不 Critical
的 layer