2024年7月18日发(作者：彤兰梦)
杭州中科微电子有限公司
L1频段卫星导航射频前端低噪声放大器芯片
1.概述
AT2659S是一款具有低功耗、高增益、低噪声系数的低噪声放大器（LNA）
芯片，支持L1频段多模式全球卫星定位，可以应用于北斗二代、GPS、伽利略、
Glonass等GNSS导航设备中。芯片采用先进的SiGe工艺制造，采用2.9mm×2.8
mm×1.1mm的6pinSOT23-6封装。
应用
导航天线
集成导航功能的手机
自动导航
定位功能移动设备
个人导航仪
笔记本/PAD
水下导航
航空设备
AT2659S
第
1
页
杭州中科微电子有限公司
主要特点
支持北斗、GPS、GALILEO、GLONASS等L1频段的多个卫星导航系统；
典型噪声系数：0.8dB；
典型功率增益：18.5dB；
典型输入P1dB：-15dBm；
工作频率：1550MHz～1615MHz；
电流消耗：4.4mA;
宽供电电压范围：1.4V~3.6V;
2.5KVHBMESD管脚保护电路；
内部集成的50Ω输出匹配电路；
外围电路简单
2.管脚、功能和典型应用框图
图1.典型应用框图
AT2659S
第
2
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杭州中科微电子有限公司
表1.管脚说明
管脚
1
2、3
4
5
6
名称
RFIN
GND
RFOUT
SHDN
功能
射频输入
接地
射频输出
工作（高电平）,休眠(低电平),
电源VDD
表1.外围元件说明
元件标号
C1
L1
C2
C3
描述
输入隔直电容，470pF
输入匹配电感，6.8nH/7.5nH
电源旁路电容，0.1uF(可选)
电源旁路电容，100pF(可选)
AT2659S
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杭州中科微电子有限公司
3.绝对最大额定值
参数
电源电压
芯片控制引脚电压
芯片射频输入引脚电压
芯片存储温度范围
芯片工作温度范围
4.直流电学特性
参数
电源电压
电源电流
SHDN
=1
SHDN
=0
单位
V
V
V
℃
℃
最小值
0
0
0
-60
-40
最大值
3.6
3.6
1.0
+160
+85
条件最小值
1.4
3.8
典型值
2.85
4.4
最大值
3.6
5.1
4
单位
V
mA
uA
V数字输入逻辑高电平
数字输入逻辑低电平
RFIN直流偏置电压
SHDN
=1
1.1
0.4
0.83
V
V
5.交流电学特性：表一（中心频率1575.42MHz，2.85V供电电压下）
参数
工作频率
功率增益
噪声系数注
1
条件最小值
1550
典型值
1575.42
18.5
0.8
最大值
1615
单位
MHz
dB
dB
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输入回损
L1:6.8nH
L1:7.5nH
13
20
15
33
dB
dB
dB
dB
dBm
dBm
输出回损
反向隔离
输入IP3
输入P1dB
注2-6
-15
注1：扣除PCB，SMA及其他板级接入损耗0.2dB；
注2：采用偏离中心频率(1575.42MHz)分别为-2MHz和2MHz的两路输入信号，
输入信号强度为-40dBm；
6.交流电学特性：表二（中心频率1561.098MHz，2.85V供电电压下）
参数
工作频率
功率增益
噪声系数
输入回损
注1
L1:6.8nH
L1:7.5nH
输出回损
反向隔离
输入IP3
输入P1dB
注2
条件最小值
1550
典型值
1561.098
18.5
0.8
14
20
15
34
-6
-15
最大值
1615
单位
MHz
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBm
dBm
注1：扣除PCB，SMA及其他板级接入损耗0.2dB；
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注2：采用偏离中心频率(1561.098MHz)分别为-2MHz和2MHz的两路输入信号，
输入信号强度为-40dBm；
7.交流电学特性：表三（中心频率1602MHz，2.85V供电电压下）
参数
工作频率
功率增益
噪声系数
输入回损
注1
L1:6.8nH
L1:7.5nH
输出回损
反向隔离
输入IP3
输入P1dB
注2
条件最小值
1550
典型值
1602
18.5
0.8
14
20
15
33
-6
-15
最大值
1615
单位
MHz
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBm
dBm
注1：扣除PCB，SMA及其他板级接入损耗0.2dB；
注2：采用偏离中心频率(1602MHz)分别为-2MHz和2MHz的两路输入信号，输入
信号强度为-40dBm；
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8.典型工作特性
典型工作条件为：评估板板级测试，温度为25℃，电源电压为2.85V，输入
信号为中心频率的信号（另有说明除外）。
NF vs. Supply Voltage
1.100
1.075
1.050
1.025
N
F
(
d
B
)
1.000
0.975
0.950
0.925
0.900
1.01.52.02.53.03.54.0
Supply Voltage(V)
图一、噪声系数与供电电压的曲线
NF vs. RF Frequency
1.150
1.125
1.100
1.075
1.050
1.025
1.000
0.975
0.950
0.925
0.900
0
N
F
(
d
B
)
Frequency (GHz)
图二、噪声系数与工作频率的曲线
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Power Gain vs. Supply Voltage
20
15
P
o
w
e
r
G
a
i
n
(
d
B
)
10
5
0
1.01.52.02.53.03.54.0
Supply Voltage (V)
图三、功率增益与供电电压的曲线
20
S
21
vs. RF Frequency
18
16
S
2
1
(
d
B
)
14
12
10
8
1.01.21.41.61.82.0
Frequency (GHz)
图四、功率增益与工作频率的曲线
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S
11
vs. RF Frequency
-2
-4
-6
-8
S
1
1
(
d
B
)
-10
-12
-14
-16
-18
-20
1.01.21.41.61.82.0
Frequency (GHz)
图五、输入回损与工作频率的曲线
S
22
vs. RF Frequency
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
1.01.21.41.61.82.0
S
2
2
(
d
B
)
Frequency (GHz)
图六、输出回损与工作频率的曲线
6.封装说明
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L1频段卫星导航射频前端低噪声放大器芯片
1.概述
AT2659S是一款具有低功耗、高增益、低噪声系数的低噪声放大器（LNA）
芯片，支持L1频段多模式全球卫星定位，可以应用于北斗二代、GPS、伽利略、
Glonass等GNSS导航设备中。芯片采用先进的SiGe工艺制造，采用2.9mm×2.8
mm×1.1mm的6pinSOT23-6封装。
应用
导航天线
集成导航功能的手机
自动导航
定位功能移动设备
个人导航仪
笔记本/PAD
水下导航
航空设备
AT2659S
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杭州中科微电子有限公司
主要特点
支持北斗、GPS、GALILEO、GLONASS等L1频段的多个卫星导航系统；
典型噪声系数：0.8dB；
典型功率增益：18.5dB；
典型输入P1dB：-15dBm；
工作频率：1550MHz～1615MHz；
电流消耗：4.4mA;
宽供电电压范围：1.4V~3.6V;
2.5KVHBMESD管脚保护电路；
内部集成的50Ω输出匹配电路；
外围电路简单
2.管脚、功能和典型应用框图
图1.典型应用框图
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表1.管脚说明
管脚
1
2、3
4
5
6
名称
RFIN
GND
RFOUT
SHDN
功能
射频输入
接地
射频输出
工作（高电平）,休眠(低电平),
电源VDD
表1.外围元件说明
元件标号
C1
L1
C2
C3
描述
输入隔直电容，470pF
输入匹配电感，6.8nH/7.5nH
电源旁路电容，0.1uF(可选)
电源旁路电容，100pF(可选)
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3.绝对最大额定值
参数
电源电压
芯片控制引脚电压
芯片射频输入引脚电压
芯片存储温度范围
芯片工作温度范围
4.直流电学特性
参数
电源电压
电源电流
SHDN
=1
SHDN
=0
单位
V
V
V
℃
℃
最小值
0
0
0
-60
-40
最大值
3.6
3.6
1.0
+160
+85
条件最小值
1.4
3.8
典型值
2.85
4.4
最大值
3.6
5.1
4
单位
V
mA
uA
V数字输入逻辑高电平
数字输入逻辑低电平
RFIN直流偏置电压
SHDN
=1
1.1
0.4
0.83
V
V
5.交流电学特性：表一（中心频率1575.42MHz，2.85V供电电压下）
参数
工作频率
功率增益
噪声系数注
1
条件最小值
1550
典型值
1575.42
18.5
0.8
最大值
1615
单位
MHz
dB
dB
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输入回损
L1:6.8nH
L1:7.5nH
13
20
15
33
dB
dB
dB
dB
dBm
dBm
输出回损
反向隔离
输入IP3
输入P1dB
注2-6
-15
注1：扣除PCB，SMA及其他板级接入损耗0.2dB；
注2：采用偏离中心频率(1575.42MHz)分别为-2MHz和2MHz的两路输入信号，
输入信号强度为-40dBm；
6.交流电学特性：表二（中心频率1561.098MHz，2.85V供电电压下）
参数
工作频率
功率增益
噪声系数
输入回损
注1
L1:6.8nH
L1:7.5nH
输出回损
反向隔离
输入IP3
输入P1dB
注2
条件最小值
1550
典型值
1561.098
18.5
0.8
14
20
15
34
-6
-15
最大值
1615
单位
MHz
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBm
dBm
注1：扣除PCB，SMA及其他板级接入损耗0.2dB；
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注2：采用偏离中心频率(1561.098MHz)分别为-2MHz和2MHz的两路输入信号，
输入信号强度为-40dBm；
7.交流电学特性：表三（中心频率1602MHz，2.85V供电电压下）
参数
工作频率
功率增益
噪声系数
输入回损
注1
L1:6.8nH
L1:7.5nH
输出回损
反向隔离
输入IP3
输入P1dB
注2
条件最小值
1550
典型值
1602
18.5
0.8
14
20
15
33
-6
-15
最大值
1615
单位
MHz
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBm
dBm
注1：扣除PCB，SMA及其他板级接入损耗0.2dB；
注2：采用偏离中心频率(1602MHz)分别为-2MHz和2MHz的两路输入信号，输入
信号强度为-40dBm；
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8.典型工作特性
典型工作条件为：评估板板级测试，温度为25℃，电源电压为2.85V，输入
信号为中心频率的信号（另有说明除外）。
NF vs. Supply Voltage
1.100
1.075
1.050
1.025
N
F
(
d
B
)
1.000
0.975
0.950
0.925
0.900
1.01.52.02.53.03.54.0
Supply Voltage(V)
图一、噪声系数与供电电压的曲线
NF vs. RF Frequency
1.150
1.125
1.100
1.075
1.050
1.025
1.000
0.975
0.950
0.925
0.900
0
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Frequency (GHz)
图二、噪声系数与工作频率的曲线
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Power Gain vs. Supply Voltage
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P
o
w
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a
i
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)
10
5
0
1.01.52.02.53.03.54.0
Supply Voltage (V)
图三、功率增益与供电电压的曲线
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vs. RF Frequency
18
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2
1
(
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Frequency (GHz)
图四、功率增益与工作频率的曲线
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vs. RF Frequency
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Frequency (GHz)
图五、输入回损与工作频率的曲线
S
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vs. RF Frequency
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1.01.21.41.61.82.0
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Frequency (GHz)
图六、输出回损与工作频率的曲线
6.封装说明
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