2024年2月20日发(作者：鲜书慧)

北京市半导体器件六厂 稳压二极管系列

稳压二极管系列

符 号 说 明

VZ 工作电压

IZ 测试电流

IR 反向电流

VR 反向电压

VF 正向压降

IF 正向电流

RZ 动态电阻

IZM 最大直流工作电流

αVZ 工作电压温度系数

Ptot 最大耗散功率

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网址： 10

北京市半导体器件六厂 1/2W 2CW（ZW、RLS）稳压管系列

1/2W 2CW（ZW、RLS）50～78系 列 稳 压 管

用途：在电子设备中用于对电压进行调整及稳

定电压的作用。

结构：硅外延平面工艺

机械性能：

封装形式： DO-35型玻璃轴向外引线封装

结构，引出端材料为杜美丝。LL-34表面贴装

极性：色环表示阴极

贮存温度：-55℃～150℃

环境温度：-55℃～125℃

最高结温：+150℃

最大额定功率：500 mW（当TA>25℃时，

DO-35

ZW50～78按4mW/℃的速度线性地降额）

质量等级：

军品：J、GS、G、G+、CASTC

民品：Ⅱ类（工业级）

执行标准：

军品：GJB33A-1997《半导体分立器件总规范》

QZJ840611《半导体二、三极管“七专”技术条件》

民品：GB4589.1-2006《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054 网址： 11

北京市半导体器件六厂 1/2W 2CW（ZW、RLS）稳压管系列

参 数 表

TA＝25℃

参 数

型 号

VZ

（V）

条件

IZ

RZ

（Ω）

条件

IZ

IR

（µA）

条件

VR

VF

（V）

条件

IF

IzM

（mA）

（mA）

（mA）

2CW50（ZW50、RLS50） 1.0～2.8 10 ≤50 10 ≤10 0.5 83

2CW51（ZW51、RLS51） 2.5～3.5 10 ≤60 10 ≤5 0.5 71

2CW52（ZW52、RLS52） 3.2～4.5 10 ≤70 10 ≤2 0.5 55

2CW53（ZW53、RLS53） 4.0～5.8 10 ≤57 10 ≤1 1 41

2CW54（ZW54、RLS54） 5.5～6.5 10 ≤30 10 ≤0.5 1 38

2CW55（ZW55、RLS55） 6.2～7.5 10 ≤15 10 ≤0.5 1 33

2CW56（ZW56、RLS56） 7.0～8.8 5 ≤15 5 ≤0.5 1 27

2CW57（ZW57、RLS57） 8.5～9.5 5 ≤20 5 ≤0.5 1 26

2CW58（ZW58、RLS58） 9.2～10.5 5 ≤25 5 ≤0.5 1 23

2CW59(ZW59、RLS59） 10～11.8 5 ≤30 5 ≤0.5 1 20

2CW60(ZW60、RLS60) 11.5～12.5 5 ≤40 5 ≤0.5 1 19

2CW61(ZW61、RLS61) 12.2～14 3 ≤50 3 ≤0.5 1 16

2CW62(ZW62、RLS62) 13.5～17 3 ≤60 3 ≤0.5 1 14

2CW63(ZW63、RLS63) 16～19 3 ≤70 3 ≤0.5 1 13

2CW64(ZW64、RLS64) 18～21 3 ≤75 3 ≤0.5 1 11

2CW65(ZW65、RLS65) 20～24 3 ≤80 3 ≤0.5 1 10

2CW66 (ZW66、RLS66) 23～26 3 ≤85 3 ≤0.5 1 9

2CW67(ZW67、RLS67) 25～28 3 ≤90 3 ≤0.5 1 9

2CW68 (ZW68、RLS68) 27～30 3 ≤95 3 ≤0.5 1 8

2CW69 (ZW69、RLS69) 29～33 3 ≤95 3 ≤0.5 1 7

2CW70 (ZW70、RLS70) 32～36 3 ≤100 3 ≤0.5 1 7

2CW71 (ZW71、RLS71) 35～40 3 ≤100 3 ≤0.5 1

备 注 可根据用户具体要求，选定稳压范围

封装型式及逻辑图

DO-35： LL-34

尺寸见附图

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（V）

（mA）

≤1 100

6

网址： 12

北京市半导体器件六厂 1/2W 2CW（ZW、RLS）稳压管系列

参 数 表

TA＝25℃

参 数

型 号

VZ

（V）

条件

IZ

RZ

（Ω）

条件

IZ

IR

（µA）

条件

VR

VF

（V）

条件

IF

IzM

（mA）

（mA）

（mA）

2CW72(ZW72、RLS72) 7～8.8 5 ≤6 5 ≤0.1 1 29

2CW73(ZW73、RLS73) 8.5～9.5 5 ≤10 5 ≤0.1 1 25

2CW74(ZW74、RLS74) 9.2～10.5 5 ≤12 5 ≤0.1 1 23

2CW75(ZW75、RLS75) 10～11.8 5 ≤15 5 ≤0.1 1 21

2CW76(ZW76、RLS76) 11.5～12.5 5 ≤18 5 ≤0.1 1 20

2CW77(ZW77、RLS77) 12.2～14 5 ≤18 5 ≤0.1 1 18

2CW78(ZW78、RLS78) 13.5～17 5 ≤21 5 ≤0.1 1

备 注 可根据用户具体要求，选定稳压范围

封装型式及逻辑图

DO-35： LL-34

尺寸见附图

互 换 型 号

本厂型号 互换型号 本厂型号 互换型号

ZW50 1N4370 ZW64 1N968

ZW51 1N4371、1N4372、1N746、 ZW65 1N969

ZW52 1N747、1N748、1N749 ZW66 1N970

ZW53 1N750、1N751 ZW67 1N971

ZW54 1N752、1N753 ZW68 1N972

ZW55 1N754 ZW69 1N973

ZW56 1N755、1N756 ZW70 1N974

ZW57 1N757 ZW71 1N975

ZW58 1N758

ZW59 1N962

ZW60 1N963

ZW61 1N964

ZW62 1N965、1N966

ZW63 1N967

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（V）

（mA）

≤1 10

14

网址： 13

北京市半导体器件六厂 1W 2CW（ZW、RLS）稳压管系列

1W 2CW（ZW、RLS）100～121系 列 稳 压 管

用途：在电子设备中用于对电压进行调整及稳

定电压的作用。

结构：硅外延平面工艺

机械性能：

封装形式： DO-41型玻璃轴向外引线封装

结构，引出端材料为杜美丝。LL-41表面贴装。

极性：色环表示阴极

贮存温度：-55℃～150℃

环境温度：-55℃～125℃

最大额定功率：1000 mW（当TA>25℃时，ZW100～

121按8mW/℃的速度线性地降额。）

DO-41

质量等级：

军品：J、GS、G、G+、CASTC

民品：Ⅱ类（工业级）

执行标准：

军品：GJB33A-1997《半导体分立器件总规范》

QZJ840611《半导体二、三极管“七专”技术条件》

民品：GB4589.1-2006《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054 网址： 14

北京市半导体器件六厂 1W 2CW（ZW、RLS）稳压管系列

参 数 表

TA＝25℃

参 数

型 号

VZ

（V）

条件

IZ

（mA）

RZ

（Ω）

条件

IZ

（mA）

IR

（µA）

条件

VR

（V）

VF

（V）

条件

IF

（mA）

IzM

（mA）

2CW100(ZW100、RLS100) 1.0～2.8 50 ≤15 50 ≤10 0.5 330

2CW101(ZW101、RLS101) 2.5～3.5 50 ≤25 50 ≤10 0.5 280

2CW102(ZW102、RLS102) 3.2～4.5 50 ≤30 50 ≤5 0.5 220

2CW103(ZW103、RLS103) 4.0～5.8 50 ≤20 50 ≤1 1 165

2CW104(ZW104、RLS104) 5.5～6.5 30 ≤15 30 ≤0.5 1 150

2CW105(ZW105、RLS105) 6.2～7.5 30 ≤7 30 ≤0.5 1 130

2CW106(ZW106、RLS106) 7.0～8.8 30 ≤5 30 ≤0.5 1 110

2CW107(ZW107、RLS107) 8.5～9.5 20 ≤10 20 ≤0.5 1 100

2CW108(ZW108、RLS108) 9.2～10.5 20 ≤12 20 ≤0.5 1 95

2CW109(ZW109、RLS109) 10～11.8 20 ≤15 20 ≤0.5 1 83

2CW110(ZW110、RLS110) 11.5～12.5 20 ≤20 20 ≤0.5 1 76

2CW111(ZW111、RLS111) 12.2～14 20 ≤20 20 ≤0.5 1 66

2CW112(ZW112、RLS112) 13.5～17 10 ≤35 10 ≤0.5 1 58

2CW113(ZW113、RLS113) 16～19 10 ≤40 10 ≤0.5 1 52

2CW114(ZW114、RLS114) 18～21 10 ≤45 10 ≤0.5 1 47

2CW115(ZW115、RLS115) 20～24 10 ≤50 10 ≤0.5 1 41

2CW116(ZW116、RLS116) 23～26 10 ≤55 10 ≤0.5 1 38

2CW117(ZW117、RLS117) 25～28 10 ≤60 10 ≤0.5 1 35

2CW118(ZW118、RLS118) 27～30 5 ≤80 5 ≤0.5 1 33

2CW119(ZW119、RLS119) 29～33 5 ≤90 5 ≤0.5 1 30

2CW120(ZW120、RLS120) 32～36 5 ≤110 5 ≤0.5 1 27

2CW121(ZW121、RLS121) 35～40 5 ≤130 5 ≤0.5 1

备 注 可根据用户具体要求，选定稳压范围

1 200

25

封装型式及逻辑图

尺寸见附图

DO-41：2CW LL-41

：RLS

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北京市半导体器件六厂 1W 2CW（ZW、RLS）稳压管系列

互 换 型 号

本厂型号 互换型号 本厂型号 互换型号

ZW101 1N4728 ZW112 1N4744、1N4745

ZW102 1N4729、1N4730、1N4731 ZW113 1N4746

ZW103 1N4732、1N4733 ZW114 1N4747

ZW104 1N4734 、1N4735 ZW115 1N4748

ZW105 1N4736 ZW116 1N4749

ZW106 1N4737、1N4738 ZW117 1N47450

ZW107 1N4739 ZW118 1N47451

ZW108 1N4740 ZW119 1N47452

ZW109 1N4741 ZW120 1N47453

ZW110 1N4742 ZW121 1N47454

ZW111 1N4743

地址：北京市宣武区南菜园甲2号

邮编：100054

网址： 16

北京市半导体器件六厂 1/2W 1N系列稳压二极管

1/2W 1N系 列 稳 压 管

用途：在电子设备中用于对电压进行调整及稳

定电压的作用。

结构：硅外延平面工艺

机械性能：

封装形式： DO-35型玻璃轴向外引线封装

结构，引出端材料为杜美丝。

极性：色环表示阴极

贮存温度：-55℃～150℃

环境温度：-55℃～125℃

最大额定功率：500 mW

DO-35

质量等级：军品：J、GS、G、G+、CASTC

民品：Ⅱ类（工业级）

执行标准：

军品：GJB33A-1997《半导体分立器件总规范》

QZJ840611《半导体二、三极管“七专”技术条件》

民品：GB4589.1-2006《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054 网址： 17

北京市半导体器件六厂 1/2W 1N系列稳压二极管

参 数 表

TA＝25℃

参 数

型 号

VZ

（V）

IZ

（mA）

RZ

（Ω）

IR

（µA）

VR

（V）

1N4370 2.28～2.7 20.0 ≤30.0 100.0 1.0

1N4371 2.5～3.1 20.0 ≤30.0 75.0 1.0

1N4372 2.8～3.4 20.0 ≤29.0 50.0 1.0

1N746 3.0～3.6 20.0 ≤28.0 10.0 1.0

1N747 3.2～4.0 20.0 ≤24.0 10.0 1.0

1N748 3.5～4.3 20.0 ≤23.0 10.0 1.0

1N749 3.9～4.7 20.0 ≤22.0 2.0 1.0

1N750 4.2～5.2 20.0 ≤19.0 2.0 1.0

1N751 4.6～5.6 20.0 ≤17.0 1.0 1.0

1N752 5.0～6.2 20.0 ≤11.0 1.0 1.0

1N753 5.6～6.8 20.0 ≤7.0 0.1 1.0

1N754 6.1～7.5 20.0 ≤5.0 0.1 1.0

1N755 6.8～8.3 20.0 ≤6.0 0.1 1.0

1N756 7.4～9.0 20.0 ≤8.0 0.1 1.0

1N757 8.9～10.0 20.0 ≤10.0 0.1 1.0

1N758 9.0～11.0 20.0 ≤17.0 0.1 1.0

1N962 9.9～12.1 10.0 ≤9.5 5.0 8.4

1N963 10.8～13.2 10.0 ≤11.5 5.0 9.1

1N964 11.7～14.3 10.0 ≤13.0 5.0 9.9

1N965 13.5～16.5 8.5 ≤16.0 5.0 11.4

1N966 14.4～17.6 7.5 ≤17.0 5.0 12.2

1N967 16.2～19.8 7.0 ≤21.0 5.0 13.7

1N968 18.0～22.0 6.0 25.0 5.0 15.2

1N969 19.8～24.2 5.5 29.0 5.0 16.7

1N970 21.6～26.4 5.5 33.0 5.0 18.2

1N971 24.3～29.7 5.0 41.0 5.0 20.6

1N972 27.0～33.0 5.0 49.0 5.0 22.8

备 注： 产品按参数精度值分档：A档误差范围： ±10% B档误差范围：±5% 且可根据用户具体要求，选定稳压范围

封装型式及逻辑图

尺寸见附图

DO-35：

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054 网址： 18

北京市半导体器件六厂 1/2W 1N系列稳压二极管

参 数 表

TA＝25℃

参 数

型 号

VZ

（V）

IZ

（mA）

RZ

（Ω）

IR

（µA）

VR

（V）

1N973 29.7～36.3 3.5 ≤58.0 5.0 25.1

1N974 32.4～39.6 3.5 ≤70.0 5.0 27.4

1N975 35.1～42.9 3.0 ≤80.0 5.0 29.7

1N976 38.7～47.3 3.0 ≤93.0 5.0 32.7

1N977 42.3～51.7 2.5 ≤105.0 5.0 35.8

1N978 45.9～56.1 2.5 ≤125.0 5.0 38.8

1N979 50.4～61.6 2.0 ≤150.0 5.0 42.6

1N980 55.8～68.2 2.0 ≤185.0 5.0 47.1

1N981 61.2～74.8 1.5 ≤230.0 5.0 56.0

1N982 67.5～82.5 1.5 ≤270.0 5.0 62.2

1N983 73.8～90.2 1.5 ≤320.0 5.0 69.2

封装型式及逻辑图

尺寸见附图

DO-35：

备 注： 产品按参数精度值分档：A档误差范围： ±10% B档误差范围：±5% ，且可根据用户具体要求，选定稳压范围

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054 网址： 19

北京市半导体器件六厂 1W 1N系列稳压二极管

1W 1N系 列 稳 压 管

用途：在电子设备中用于对电压进行调整及稳

定电压的作用。

结构：硅外延平面工艺

机械性能：

封装形式： DO-41型玻璃轴向外引线封装

结构，引出端材料为杜美丝。

极性：色环表示阴极

贮存温度：-55℃～150℃

环境温度：-55℃～125℃

最大额定功率：1000 mW

DO-41

质量等级：军品：J、GS、G、G+、CASTC

民品：Ⅱ类（工业级）

执行标准：

军品：GJB33A-1997《半导体分立器件总规范》

QZJ840611《半导体二、三极管“七专”技术条件》

民品：GB4589.1-2006《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054 网址： 20

北京市半导体器件六厂 1W 1N系列稳压二极管

参 数 表

TA＝25℃

参 数

型 号

VZ

（V）

IZ

（mA）

RZ

（Ω）

IR

（µA）

VR

（V）

1N4728 3.0～3.6 75 ≤10.0 100.0 1.0

1N4729 3.2～4.0 70 ≤10.0 100.0 1.0

1N4730 3.5～4.3 65 ≤9.0 50.0 1.0

1N4731 3.9～4.7 60 ≤9.0 10.0 1.0

1N4732 4.2～5.2 55 ≤8.0 10.0 1.0

1N4733 4.6～5.6 50 ≤7.0 10.0 1.0

1N4734 5.0～6.2 50 ≤5.0 10.0 2.0

1N4735 5.6～6.8 35 ≤2.0 10.0 2.0

1N4736 6.1～7.5 35 ≤3.5 10.0 4.0

1N4737 6.8～8.3 35 ≤4.0 10.0 5.0

1N4738 7.4～9.0 30 ≤4.5 10.0 6.0

1N4739 8.2～10.0 30 ≤5.0 10.0 7.0

1N4740 9.0～11.0 25 ≤7.0 10.0 7.6

1N4741 9.9～12.1 25 ≤8.0 5.0 8.4

1N4742 10.8～13.2 20 ≤9.0 5.0 9.1

1N4743 11.7～14.3 20 ≤10.0 5.0 9.9

1N4744 13.5～16.5 17 ≤14.0 5.0 11.4

1N4745 14.4～17.6 15 ≤16.0 5.0 12.2

1N4746 16.2～19.8 15 ≤20.0 5.0 13.7

1N4747 18.0～22.0 10 ≤22.0 5.0 15.2

1N4748 19.8～24.2 10 ≤23.0 5.0 16.2

1N4749 21.6～26.4 10 ≤25.0 5.0 18.2

1N4750 24.3～29.7 10 ≤35.0 5.0 20.5

1N4751 27.0～33.0 8.5 ≤40.0 5.0 22.8

1N4752 29.7～36.3 7.5 ≤45.0 5.0 25.1

1N4753 32.4～39.6 7.0 ≤50.0 5.0 27.4

备 注： 产品按参数精度值分档：A档误差范围： ±10% B档误差范围：±5% ，且可根据用户具体要求，选定稳压范围

封装型式及逻辑图

尺寸见附图

DO-41：

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054 网址： 21

北京市半导体器件六厂 1W 1N系列稳压二极管

参 数 表

TA＝25℃

参 数

型 号

VZ

（V）

IZ

（mA）

RZ

（Ω）

IR

（µA）

VR

（V）

1N4754 35.1～42.9 6.5 ≤60.0 5.0 29.7

1N4755 38.7～47.3 6.0 ≤70.0 5.0 32.7

1N4756 42.3～51.7 5.5 ≤80.0 5.0 35.8

1N4757 45.9～56.1 5.0 ≤95.0 5.0 38.8

1N4758 50.4～61.6 5.0 ≤110 5.0 42.6

1N4759 55.8～68.2 3.5 ≤125 5.0 47.1

1N4760 61.2～74.8 3.5 ≤150 5.0 51.7

1N4761 67.5～82.5 3.5 ≤175 5.0 56.0

1N4762 73.8～90.2 3.0 ≤200 5.0 62.2

1N4763 81.9～100.1 2.5 ≤250 5.0 69.2

1N4764 90.0～110.0 2.5 ≤350 5.0 76.0

备 注： 产品按参数精度值分档：A档误差范围： ±10% B档误差范围：±5% ，且可根据用户具体要求，选定稳压范围

封装型式及逻辑图

尺寸见附图

DO-41：

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北京市半导体器件六厂 1W 1N系列稳压二极管

2DW230～2DW236型硅平面温度补偿稳压二极管

用途：具有温度补偿作用，可用于电子设备、

仪器仪表中精密稳压源或基准电压源

结构：硅外延平面工艺

机械性能：

封装形式：金属封装A3-O1B、A3-O2B

贮存温度：-55℃～175℃

环境温度：-55℃～125℃

最大额定功率：200 mW

质量等级：

军品：J、G

民品：Ⅱ类（工业级）

执行标准：

军品：GJB33A-1997《半导体分立器件总规范》

QZJ840611《半导体二、三极管“七专”技术条件》

民品：GB4589.1-2006《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054 网址： 23

北京市半导体器件六厂 1W 1N系列稳压二极管

参 数 表

TA=25℃

参数测

试条件

及数

值

型号

Vz

(V)

最

小

值

IR

(μA)

rz

（Ω）

αvz

10-6/℃

Izr

(mA)

Izmax

(mA)

Ptot

(mW)

最

Izr

VR

大

(mA) 最大值

(V) 最大值

值

Iz

(mA) 最大值

50 10

2DW230 5.8 6.6 10 25

2DW231 5.8 6.6 10 15

2DW232 6 6.5 5 10 5

2DW233 6 6.5 7.5 10 7.5

2DW234 6 6.5 10 10 10

2DW235 6 6.5 13 10 13

2DW236 6 6.5 15

10

1 1

10

30 200

5

15

封装型式及逻辑图

尺寸见附图

A3-O1B A3-O2B

管脚1和2中有色点为负极，3为备用脚

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2024年2月20日发(作者：鲜书慧)

北京市半导体器件六厂 稳压二极管系列

稳压二极管系列

符 号 说 明

VZ 工作电压

IZ 测试电流

IR 反向电流

VR 反向电压

VF 正向压降

IF 正向电流

RZ 动态电阻

IZM 最大直流工作电流

αVZ 工作电压温度系数

Ptot 最大耗散功率

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网址： 10

北京市半导体器件六厂 1/2W 2CW（ZW、RLS）稳压管系列

1/2W 2CW（ZW、RLS）50～78系 列 稳 压 管

用途：在电子设备中用于对电压进行调整及稳

定电压的作用。

结构：硅外延平面工艺

机械性能：

封装形式： DO-35型玻璃轴向外引线封装

结构，引出端材料为杜美丝。LL-34表面贴装

极性：色环表示阴极

贮存温度：-55℃～150℃

环境温度：-55℃～125℃

最高结温：+150℃

最大额定功率：500 mW（当TA>25℃时，

DO-35

ZW50～78按4mW/℃的速度线性地降额）

质量等级：

军品：J、GS、G、G+、CASTC

民品：Ⅱ类（工业级）

执行标准：

军品：GJB33A-1997《半导体分立器件总规范》

QZJ840611《半导体二、三极管“七专”技术条件》

民品：GB4589.1-2006《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

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北京市半导体器件六厂 1/2W 2CW（ZW、RLS）稳压管系列

参 数 表

TA＝25℃

参 数

型 号

VZ

（V）

条件

IZ

RZ

（Ω）

条件

IZ

IR

（µA）

条件

VR

VF

（V）

条件

IF

IzM

（mA）

（mA）

（mA）

2CW50（ZW50、RLS50） 1.0～2.8 10 ≤50 10 ≤10 0.5 83

2CW51（ZW51、RLS51） 2.5～3.5 10 ≤60 10 ≤5 0.5 71

2CW52（ZW52、RLS52） 3.2～4.5 10 ≤70 10 ≤2 0.5 55

2CW53（ZW53、RLS53） 4.0～5.8 10 ≤57 10 ≤1 1 41

2CW54（ZW54、RLS54） 5.5～6.5 10 ≤30 10 ≤0.5 1 38

2CW55（ZW55、RLS55） 6.2～7.5 10 ≤15 10 ≤0.5 1 33

2CW56（ZW56、RLS56） 7.0～8.8 5 ≤15 5 ≤0.5 1 27

2CW57（ZW57、RLS57） 8.5～9.5 5 ≤20 5 ≤0.5 1 26

2CW58（ZW58、RLS58） 9.2～10.5 5 ≤25 5 ≤0.5 1 23

2CW59(ZW59、RLS59） 10～11.8 5 ≤30 5 ≤0.5 1 20

2CW60(ZW60、RLS60) 11.5～12.5 5 ≤40 5 ≤0.5 1 19

2CW61(ZW61、RLS61) 12.2～14 3 ≤50 3 ≤0.5 1 16

2CW62(ZW62、RLS62) 13.5～17 3 ≤60 3 ≤0.5 1 14

2CW63(ZW63、RLS63) 16～19 3 ≤70 3 ≤0.5 1 13

2CW64(ZW64、RLS64) 18～21 3 ≤75 3 ≤0.5 1 11

2CW65(ZW65、RLS65) 20～24 3 ≤80 3 ≤0.5 1 10

2CW66 (ZW66、RLS66) 23～26 3 ≤85 3 ≤0.5 1 9

2CW67(ZW67、RLS67) 25～28 3 ≤90 3 ≤0.5 1 9

2CW68 (ZW68、RLS68) 27～30 3 ≤95 3 ≤0.5 1 8

2CW69 (ZW69、RLS69) 29～33 3 ≤95 3 ≤0.5 1 7

2CW70 (ZW70、RLS70) 32～36 3 ≤100 3 ≤0.5 1 7

2CW71 (ZW71、RLS71) 35～40 3 ≤100 3 ≤0.5 1

备 注 可根据用户具体要求，选定稳压范围

封装型式及逻辑图

DO-35： LL-34

尺寸见附图

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054

（V）

（mA）

≤1 100

6

网址： 12

北京市半导体器件六厂 1/2W 2CW（ZW、RLS）稳压管系列

参 数 表

TA＝25℃

参 数

型 号

VZ

（V）

条件

IZ

RZ

（Ω）

条件

IZ

IR

（µA）

条件

VR

VF

（V）

条件

IF

IzM

（mA）

（mA）

（mA）

2CW72(ZW72、RLS72) 7～8.8 5 ≤6 5 ≤0.1 1 29

2CW73(ZW73、RLS73) 8.5～9.5 5 ≤10 5 ≤0.1 1 25

2CW74(ZW74、RLS74) 9.2～10.5 5 ≤12 5 ≤0.1 1 23

2CW75(ZW75、RLS75) 10～11.8 5 ≤15 5 ≤0.1 1 21

2CW76(ZW76、RLS76) 11.5～12.5 5 ≤18 5 ≤0.1 1 20

2CW77(ZW77、RLS77) 12.2～14 5 ≤18 5 ≤0.1 1 18

2CW78(ZW78、RLS78) 13.5～17 5 ≤21 5 ≤0.1 1

备 注 可根据用户具体要求，选定稳压范围

封装型式及逻辑图

DO-35： LL-34

尺寸见附图

互 换 型 号

本厂型号 互换型号 本厂型号 互换型号

ZW50 1N4370 ZW64 1N968

ZW51 1N4371、1N4372、1N746、 ZW65 1N969

ZW52 1N747、1N748、1N749 ZW66 1N970

ZW53 1N750、1N751 ZW67 1N971

ZW54 1N752、1N753 ZW68 1N972

ZW55 1N754 ZW69 1N973

ZW56 1N755、1N756 ZW70 1N974

ZW57 1N757 ZW71 1N975

ZW58 1N758

ZW59 1N962

ZW60 1N963

ZW61 1N964

ZW62 1N965、1N966

ZW63 1N967

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054

（V）

（mA）

≤1 10

14

网址： 13

北京市半导体器件六厂 1W 2CW（ZW、RLS）稳压管系列

1W 2CW（ZW、RLS）100～121系 列 稳 压 管

用途：在电子设备中用于对电压进行调整及稳

定电压的作用。

结构：硅外延平面工艺

机械性能：

封装形式： DO-41型玻璃轴向外引线封装

结构，引出端材料为杜美丝。LL-41表面贴装。

极性：色环表示阴极

贮存温度：-55℃～150℃

环境温度：-55℃～125℃

最大额定功率：1000 mW（当TA>25℃时，ZW100～

121按8mW/℃的速度线性地降额。）

DO-41

质量等级：

军品：J、GS、G、G+、CASTC

民品：Ⅱ类（工业级）

执行标准：

军品：GJB33A-1997《半导体分立器件总规范》

QZJ840611《半导体二、三极管“七专”技术条件》

民品：GB4589.1-2006《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054 网址： 14

北京市半导体器件六厂 1W 2CW（ZW、RLS）稳压管系列

参 数 表

TA＝25℃

参 数

型 号

VZ

（V）

条件

IZ

（mA）

RZ

（Ω）

条件

IZ

（mA）

IR

（µA）

条件

VR

（V）

VF

（V）

条件

IF

（mA）

IzM

（mA）

2CW100(ZW100、RLS100) 1.0～2.8 50 ≤15 50 ≤10 0.5 330

2CW101(ZW101、RLS101) 2.5～3.5 50 ≤25 50 ≤10 0.5 280

2CW102(ZW102、RLS102) 3.2～4.5 50 ≤30 50 ≤5 0.5 220

2CW103(ZW103、RLS103) 4.0～5.8 50 ≤20 50 ≤1 1 165

2CW104(ZW104、RLS104) 5.5～6.5 30 ≤15 30 ≤0.5 1 150

2CW105(ZW105、RLS105) 6.2～7.5 30 ≤7 30 ≤0.5 1 130

2CW106(ZW106、RLS106) 7.0～8.8 30 ≤5 30 ≤0.5 1 110

2CW107(ZW107、RLS107) 8.5～9.5 20 ≤10 20 ≤0.5 1 100

2CW108(ZW108、RLS108) 9.2～10.5 20 ≤12 20 ≤0.5 1 95

2CW109(ZW109、RLS109) 10～11.8 20 ≤15 20 ≤0.5 1 83

2CW110(ZW110、RLS110) 11.5～12.5 20 ≤20 20 ≤0.5 1 76

2CW111(ZW111、RLS111) 12.2～14 20 ≤20 20 ≤0.5 1 66

2CW112(ZW112、RLS112) 13.5～17 10 ≤35 10 ≤0.5 1 58

2CW113(ZW113、RLS113) 16～19 10 ≤40 10 ≤0.5 1 52

2CW114(ZW114、RLS114) 18～21 10 ≤45 10 ≤0.5 1 47

2CW115(ZW115、RLS115) 20～24 10 ≤50 10 ≤0.5 1 41

2CW116(ZW116、RLS116) 23～26 10 ≤55 10 ≤0.5 1 38

2CW117(ZW117、RLS117) 25～28 10 ≤60 10 ≤0.5 1 35

2CW118(ZW118、RLS118) 27～30 5 ≤80 5 ≤0.5 1 33

2CW119(ZW119、RLS119) 29～33 5 ≤90 5 ≤0.5 1 30

2CW120(ZW120、RLS120) 32～36 5 ≤110 5 ≤0.5 1 27

2CW121(ZW121、RLS121) 35～40 5 ≤130 5 ≤0.5 1

备 注 可根据用户具体要求，选定稳压范围

1 200

25

封装型式及逻辑图

尺寸见附图

DO-41：2CW LL-41

：RLS

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054 网址： 15

北京市半导体器件六厂 1W 2CW（ZW、RLS）稳压管系列

互 换 型 号

本厂型号 互换型号 本厂型号 互换型号

ZW101 1N4728 ZW112 1N4744、1N4745

ZW102 1N4729、1N4730、1N4731 ZW113 1N4746

ZW103 1N4732、1N4733 ZW114 1N4747

ZW104 1N4734 、1N4735 ZW115 1N4748

ZW105 1N4736 ZW116 1N4749

ZW106 1N4737、1N4738 ZW117 1N47450

ZW107 1N4739 ZW118 1N47451

ZW108 1N4740 ZW119 1N47452

ZW109 1N4741 ZW120 1N47453

ZW110 1N4742 ZW121 1N47454

ZW111 1N4743

地址：北京市宣武区南菜园甲2号

邮编：100054

网址： 16

北京市半导体器件六厂 1/2W 1N系列稳压二极管

1/2W 1N系 列 稳 压 管

用途：在电子设备中用于对电压进行调整及稳

定电压的作用。

结构：硅外延平面工艺

机械性能：

封装形式： DO-35型玻璃轴向外引线封装

结构，引出端材料为杜美丝。

极性：色环表示阴极

贮存温度：-55℃～150℃

环境温度：-55℃～125℃

最大额定功率：500 mW

DO-35

质量等级：军品：J、GS、G、G+、CASTC

民品：Ⅱ类（工业级）

执行标准：

军品：GJB33A-1997《半导体分立器件总规范》

QZJ840611《半导体二、三极管“七专”技术条件》

民品：GB4589.1-2006《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054 网址： 17

北京市半导体器件六厂 1/2W 1N系列稳压二极管

参 数 表

TA＝25℃

参 数

型 号

VZ

（V）

IZ

（mA）

RZ

（Ω）

IR

（µA）

VR

（V）

1N4370 2.28～2.7 20.0 ≤30.0 100.0 1.0

1N4371 2.5～3.1 20.0 ≤30.0 75.0 1.0

1N4372 2.8～3.4 20.0 ≤29.0 50.0 1.0

1N746 3.0～3.6 20.0 ≤28.0 10.0 1.0

1N747 3.2～4.0 20.0 ≤24.0 10.0 1.0

1N748 3.5～4.3 20.0 ≤23.0 10.0 1.0

1N749 3.9～4.7 20.0 ≤22.0 2.0 1.0

1N750 4.2～5.2 20.0 ≤19.0 2.0 1.0

1N751 4.6～5.6 20.0 ≤17.0 1.0 1.0

1N752 5.0～6.2 20.0 ≤11.0 1.0 1.0

1N753 5.6～6.8 20.0 ≤7.0 0.1 1.0

1N754 6.1～7.5 20.0 ≤5.0 0.1 1.0

1N755 6.8～8.3 20.0 ≤6.0 0.1 1.0

1N756 7.4～9.0 20.0 ≤8.0 0.1 1.0

1N757 8.9～10.0 20.0 ≤10.0 0.1 1.0

1N758 9.0～11.0 20.0 ≤17.0 0.1 1.0

1N962 9.9～12.1 10.0 ≤9.5 5.0 8.4

1N963 10.8～13.2 10.0 ≤11.5 5.0 9.1

1N964 11.7～14.3 10.0 ≤13.0 5.0 9.9

1N965 13.5～16.5 8.5 ≤16.0 5.0 11.4

1N966 14.4～17.6 7.5 ≤17.0 5.0 12.2

1N967 16.2～19.8 7.0 ≤21.0 5.0 13.7

1N968 18.0～22.0 6.0 25.0 5.0 15.2

1N969 19.8～24.2 5.5 29.0 5.0 16.7

1N970 21.6～26.4 5.5 33.0 5.0 18.2

1N971 24.3～29.7 5.0 41.0 5.0 20.6

1N972 27.0～33.0 5.0 49.0 5.0 22.8

备 注： 产品按参数精度值分档：A档误差范围： ±10% B档误差范围：±5% 且可根据用户具体要求，选定稳压范围

封装型式及逻辑图

尺寸见附图

DO-35：

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054 网址： 18

北京市半导体器件六厂 1/2W 1N系列稳压二极管

参 数 表

TA＝25℃

参 数

型 号

VZ

（V）

IZ

（mA）

RZ

（Ω）

IR

（µA）

VR

（V）

1N973 29.7～36.3 3.5 ≤58.0 5.0 25.1

1N974 32.4～39.6 3.5 ≤70.0 5.0 27.4

1N975 35.1～42.9 3.0 ≤80.0 5.0 29.7

1N976 38.7～47.3 3.0 ≤93.0 5.0 32.7

1N977 42.3～51.7 2.5 ≤105.0 5.0 35.8

1N978 45.9～56.1 2.5 ≤125.0 5.0 38.8

1N979 50.4～61.6 2.0 ≤150.0 5.0 42.6

1N980 55.8～68.2 2.0 ≤185.0 5.0 47.1

1N981 61.2～74.8 1.5 ≤230.0 5.0 56.0

1N982 67.5～82.5 1.5 ≤270.0 5.0 62.2

1N983 73.8～90.2 1.5 ≤320.0 5.0 69.2

封装型式及逻辑图

尺寸见附图

DO-35：

备 注： 产品按参数精度值分档：A档误差范围： ±10% B档误差范围：±5% ，且可根据用户具体要求，选定稳压范围

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054 网址： 19

北京市半导体器件六厂 1W 1N系列稳压二极管

1W 1N系 列 稳 压 管

用途：在电子设备中用于对电压进行调整及稳

定电压的作用。

结构：硅外延平面工艺

机械性能：

封装形式： DO-41型玻璃轴向外引线封装

结构，引出端材料为杜美丝。

极性：色环表示阴极

贮存温度：-55℃～150℃

环境温度：-55℃～125℃

最大额定功率：1000 mW

DO-41

质量等级：军品：J、GS、G、G+、CASTC

民品：Ⅱ类（工业级）

执行标准：

军品：GJB33A-1997《半导体分立器件总规范》

QZJ840611《半导体二、三极管“七专”技术条件》

民品：GB4589.1-2006《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

地址：北京市宣武区南菜园甲2号 邮编：100054 网址： 20

北京市半导体器件六厂 1W 1N系列稳压二极管

参 数 表

TA＝25℃

参 数

型 号

VZ

（V）

IZ

（mA）

RZ

（Ω）

IR

（µA）

VR

（V）

1N4728 3.0～3.6 75 ≤10.0 100.0 1.0

1N4729 3.2～4.0 70 ≤10.0 100.0 1.0

1N4730 3.5～4.3 65 ≤9.0 50.0 1.0

1N4731 3.9～4.7 60 ≤9.0 10.0 1.0

1N4732 4.2～5.2 55 ≤8.0 10.0 1.0

1N4733 4.6～5.6 50 ≤7.0 10.0 1.0

1N4734 5.0～6.2 50 ≤5.0 10.0 2.0

1N4735 5.6～6.8 35 ≤2.0 10.0 2.0

1N4736 6.1～7.5 35 ≤3.5 10.0 4.0

1N4737 6.8～8.3 35 ≤4.0 10.0 5.0

1N4738 7.4～9.0 30 ≤4.5 10.0 6.0

1N4739 8.2～10.0 30 ≤5.0 10.0 7.0

1N4740 9.0～11.0 25 ≤7.0 10.0 7.6

1N4741 9.9～12.1 25 ≤8.0 5.0 8.4

1N4742 10.8～13.2 20 ≤9.0 5.0 9.1

1N4743 11.7～14.3 20 ≤10.0 5.0 9.9

1N4744 13.5～16.5 17 ≤14.0 5.0 11.4

1N4745 14.4～17.6 15 ≤16.0 5.0 12.2

1N4746 16.2～19.8 15 ≤20.0 5.0 13.7

1N4747 18.0～22.0 10 ≤22.0 5.0 15.2

1N4748 19.8～24.2 10 ≤23.0 5.0 16.2

1N4749 21.6～26.4 10 ≤25.0 5.0 18.2

1N4750 24.3～29.7 10 ≤35.0 5.0 20.5

1N4751 27.0～33.0 8.5 ≤40.0 5.0 22.8

1N4752 29.7～36.3 7.5 ≤45.0 5.0 25.1

1N4753 32.4～39.6 7.0 ≤50.0 5.0 27.4

备 注： 产品按参数精度值分档：A档误差范围： ±10% B档误差范围：±5% ，且可根据用户具体要求，选定稳压范围

封装型式及逻辑图

尺寸见附图

DO-41：

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北京市半导体器件六厂 1W 1N系列稳压二极管

参 数 表

TA＝25℃

参 数

型 号

VZ

（V）

IZ

（mA）

RZ

（Ω）

IR

（µA）

VR

（V）

1N4754 35.1～42.9 6.5 ≤60.0 5.0 29.7

1N4755 38.7～47.3 6.0 ≤70.0 5.0 32.7

1N4756 42.3～51.7 5.5 ≤80.0 5.0 35.8

1N4757 45.9～56.1 5.0 ≤95.0 5.0 38.8

1N4758 50.4～61.6 5.0 ≤110 5.0 42.6

1N4759 55.8～68.2 3.5 ≤125 5.0 47.1

1N4760 61.2～74.8 3.5 ≤150 5.0 51.7

1N4761 67.5～82.5 3.5 ≤175 5.0 56.0

1N4762 73.8～90.2 3.0 ≤200 5.0 62.2

1N4763 81.9～100.1 2.5 ≤250 5.0 69.2

1N4764 90.0～110.0 2.5 ≤350 5.0 76.0

备 注： 产品按参数精度值分档：A档误差范围： ±10% B档误差范围：±5% ，且可根据用户具体要求，选定稳压范围

封装型式及逻辑图

尺寸见附图

DO-41：

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北京市半导体器件六厂 1W 1N系列稳压二极管

2DW230～2DW236型硅平面温度补偿稳压二极管

用途：具有温度补偿作用，可用于电子设备、

仪器仪表中精密稳压源或基准电压源

结构：硅外延平面工艺

机械性能：

封装形式：金属封装A3-O1B、A3-O2B

贮存温度：-55℃～175℃

环境温度：-55℃～125℃

最大额定功率：200 mW

质量等级：

军品：J、G

民品：Ⅱ类（工业级）

执行标准：

军品：GJB33A-1997《半导体分立器件总规范》

QZJ840611《半导体二、三极管“七专”技术条件》

民品：GB4589.1-2006《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

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北京市半导体器件六厂 1W 1N系列稳压二极管

参 数 表

TA=25℃

参数测

试条件

及数

值

型号

Vz

(V)

最

小

值

IR

(μA)

rz

（Ω）

αvz

10-6/℃

Izr

(mA)

Izmax

(mA)

Ptot

(mW)

最

Izr

VR

大

(mA) 最大值

(V) 最大值

值

Iz

(mA) 最大值

50 10

2DW230 5.8 6.6 10 25

2DW231 5.8 6.6 10 15

2DW232 6 6.5 5 10 5

2DW233 6 6.5 7.5 10 7.5

2DW234 6 6.5 10 10 10

2DW235 6 6.5 13 10 13

2DW236 6 6.5 15

10

1 1

10

30 200

5

15

封装型式及逻辑图

尺寸见附图

A3-O1B A3-O2B

管脚1和2中有色点为负极，3为备用脚

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