2024年10月25日发(作者：微生飞)
士兰微电子
5A, 700V 超结 MOS功率管
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
描述
SVS70R900S(D)(MJ)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用
士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，
使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVS70R900S(D)(MJ)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关
拓扑。
1
2
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
特点
5A，700V，R
DS(on)(typ.)
=0.8@V
GS
=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
1
3
1
3
1
2
3
TO-251J-3L
TO-252-2L
TO-263-2L
关键特性参数
参数
V
DS
V
GS(th)
R
DS(on)
，
max.
I
Q
.
参数值
700
2.5~4.5
0.9
20
13
单位
V
V
A
nC
产品规格分类
产品名称 封装形式
TO-263-2L
TO-263-2L
TO-252-2L
TO-251J-3L
打印名称
70R900SE3
70R900SE3
70R90DE3
70900MJE3
环保等级
无卤
无卤
无卤
无卤
包装方式
料管
编带
编带
料管
SVS70R900SE3
SVS70R900SE3TR
SVS70R900DE3TR
SVS70R900MJE3
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //
版本号：1.1
共11页 第1页
士兰微电子
极限参数(除非特殊说明，T
A
=25C)
参数
漏源电压
栅源电压（静态）
栅源电压（动态）
漏极电流
漏极脉冲电流（注1）
耗散功率（TO-263-2L）（注2）
耗散功率（TO-252-2L）
（TO-251J-3L）（注2）
单脉冲雪崩能量
单脉冲电流
体二极管
MOS管dv/dt耐用性
工作结温范围
贮存温度范围
连续二极管正向电流
二极管脉冲电流
最大二极管整流速度
符号
V
DS
V
GS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
P
D
E
AS
I
AS
dv/dt
dv/dt
T
J
T
stg
I
S
I
S
,
pulse
di/dt
--
--
AC(f>1Hz)
T
C
=25C
T
C
=100C
T
C
=25C
T
C
=25C
T
C
=25C
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
测试条件
参数值
最小值
700
-20
-30
--
--
--
--
--
--
--
--
--
-55
-55
--
--
--
典型值
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
最大值
--
20
30
5.0
3.2
20
69
57
162
1.9
50
100
150
150
5.0
20
250
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
mJ
A
V/ns
V/ns
C
C
A
A
A/µs
L=79mH，V
DD
=100V，R
G
=25，
开始温度T
J
=25C
--
V
DS
=0~400V，I
SD
<=I
S
，T
J
=25C
V
DS
=0~480V
--
--
T
C
=25C，MOS管中源极、漏极构
成的反偏P-N结
V
DS
=0~400V，I
SD
<= I
S
，T
J
=25C
杭州士兰微电子股份有限公司
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共11页 第2页
士兰微电子
热特性
表-263-2L(SVS70R900SE3)热特性
参数
芯片对表面热阻，底部
芯片对环境的热阻
焊接温度（SMD）
符号
R
θJC
R
θJA
T
sold
--
--
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
测试条件
参数值
最小值
--
--
--
典型值
--
--
--
最大值
1.8
62.5
260
单位
C/W
C/W
C
回流焊：10±1sec，3times
2
sec，1time 波峰焊：
10
-
0
表-252-2L(SVS70R900DE3)热特性
参数
芯片对表面热阻，底部
芯片对环境的热阻
焊接温度（SMD）
符号
R
θJC
R
θJA
T
sold
--
--
回流焊：10±1sec，3times
2
sec，1time 波峰焊：
10
-
0
测试条件
参数值
最小值
--
--
--
典型值
--
--
--
最大值
2.2
62.0
260
单位
C/W
C/W
C
表-251J-3L(SVS70R900MJE3)热特性
参数
芯片对表面热阻，底部
芯片对环境的热阻
焊接温度（直插式）
符号
R
θJC
R
θJA
T
sold
--
--
2
sec，1time
15
-
0
测试条件
参数值
最小值
--
--
--
典型值
--
--
--
最大值
2.2
62.0
260
单位
C/W
C/W
C
杭州士兰微电子股份有限公司
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版本号：1.1
共11页 第3页
士兰微电子
电气参数(除非特殊说明，T
J
=25C)
静态参数
参数
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
栅极电阻
动态参数
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
栅极-平台电压
反向二极管特性参数
参数
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复峰值电流
注：
1.
2.
脉冲时间5µs；
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
R
G
测试条件
V
GS
=0V，I
D
=250µA
V
DS
=700V，V
GS
=0V，T
J
=25C
V
DS
=700V，V
GS
=0V，T
J
=125C
V
GS
=±30V，V
DS
=0V
V
GS
=V
DS
，I
D
=250µA
V
GS
=10V，I
D
=2.5A
f=1MHz
参数值
最小值
700
--
--
--
2.5
--
--
典型值
--
--
3.0
--
--
0.8
8.9
最大值
--
1.0
--
±100
4.5
0.9
--
单位
V
µA
nA
V
符号
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
plateau
测试条件
参数值
最小值
--
典型值
437
20
0.58
13
28
30
24
13
4.3
6.1
7.2
最大值
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
f=1MHz，V
GS
=0V，V
DS
=100V --
--
pF
V
DD
=350V，V
GS
=10V，
R
G
=24Ω，I
D
=5.0A
（注3，4）
--
--
--
--
--
ns
V
DD
=560V，V
GS
=10V，I
D
=5.0A
（注3，4）
--
--
--
nC
V
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
I
rrm
测试条件
I
S
=5.0A，V
GS
=0V
I
S
=5.0A，V
GS
=0V，dI
F
/dt=100A/µs
（注3）
参数值
最小值
--
--
--
--
典型值
--
223
1.9
16
最大值
1.4
--
--
--
单位
V
ns
µC
A
耗散功率值会随着温度变化而变化，当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少：
0.56W/C(
TO-263-2L
)/ 0.45W/C(
TO-252-2L
)(TO-251J-3L)；
3.
4.
脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
基本上不受工作温度的影响。
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版本号：1.1
共11页 第4页
士兰微电子
典型特性曲线
图 1. 输出特性
14
12
V
GS
=4.5V
V
GS
=5.0V
V
GS
=5.5V
V
GS
=6.0V
V
GS
=7.0V
V
GS
=8.0V
V
GS
=10V
V
GS
=15V
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
图 2. 输出特性
8
V
GS
=4.5V
V
GS
=5.0V
V
GS
=5.5V
V
GS
=6.0V
V
GS
=7.0V
V
GS
=8.0V
V
GS
=10V
V
GS
=15V
漏
极
电
流
–
I
D
(
A
)
8
6
4
2
0
漏
极
电
流
–
I
D
(
A
)
10
6
4
注：
1.250µs 脉冲测试
2.T
J
=25°C
2
注：
1.250µs 脉冲测试
2.T
J
=125°C
05101520
0
05101520
漏源电压 – V
DS
(V)
图 3. 传输特性
100
1.6
-55°C
25°C
150°C
漏源电压 – V
DS
(V)
图 4. 导通电阻vs.漏极电流
V
GS
=10V
漏
源
导
通
电
阻
–
R
D
S
(
o
n
)
(
Ω
)
V
GS
=20V
1.2
漏
极
电
流
–
I
D
(
A
)
10
0.8
1
注：
1.250µs脉冲测试
2.V
DS
=50V
0246810
0.4
注：T
J
=25°C
0.0
0246810
0.1
栅源电压 – V
GS
(V)
图 5. 导通电阻vs.栅源电压
5.0
T
J
=25°C
T
J
=150°C
4.0
5
漏极电流 – I
D
(A)
图 6. 开启电压vs.温度特性
漏
源
导
通
电
阻
–
R
D
S
(
o
n
)
(
Ω
)
栅
源
开
启
电
压
–
V
G
S
(
t
h
)
(
V
)
4
3.0
3
2.0
1.0
注：I
D
=2.5A
0.0
45678910
2
注：I
D
=250µA
1
-100-50
栅源电压 – V
GS
(V)
结温 –
T
J
(°C)
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版本号：1.1
共11页 第5页
士兰微电子
典型特性曲线
图 7. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度
100
-55°C
25°C
150°C
10
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
图8. 电容特性
10000
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
反
向
漏
极
电
流
–
I
D
R
(
A
)
1000
电
容
(
p
F
)
1
注：
1.250µS 脉冲测试
2.V
GS
=0V
0.20.40.60.81.01.21.4
100
10
1
0.1
0.0
0.1
注：
1. V
GS
=0V
2. f=1MHz
0500600
源漏电压 – V
SD
(V)
图 9. 电荷量特性
12
10
1.2
漏源电压 - V
DS
(V)
图 10. 击穿电压vs.温度特性
漏
源
击
穿
电
压
–
B
V
D
S
S
（
标
准
化
）
V
DS
=560V
V
DS
=350V
V
DS
=140V
栅
源
电
压
–
V
G
S
(
V
)
1.1
8
6
4
2
注：I
D
=5.0A
0
03691215
1.0
0.9
注：
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250μA
-50
0.8
-100
总栅极电荷 – Q
g
(nC)
图 11. 导通电阻vs.温度特性
结温 – T
J
(°C)
图 12-1. 最大安全工作区域（SVS70R900SE3）
10
2
漏
源
导
通
电
阻
–
R
D
S
(
O
N
)
（
标
准
化
）
3.0
2.5
10
1
2.0
10µs
100µs
漏
极
电
流
-
I
D
(
A
)
1.5
10
0
1ms
10ms
DC
1.0
注：
1. V
GS
=10V
2. I
D
=2.5A
-100-50
10
-1
0.5
此区域工作受限于R
DS(ON)
0.0
10
-2
0
10
注: T
C
=25°C
10
1
10
2
10
3
结温 – T
J
(°C)
漏源电压- V
DS
(V)
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //
版本号：1.1
共11页 第6页
士兰微电子
典型特性曲线（续）
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
图 13-1. 耗散功率VS.温度（SVS70R900SE3）
80
70
图12-2 最大安全工作区域（SVS70R900D/MJE3）
10
2
10
0
100µ
s
1ms
10ms
DC
此区域工作受限于R
DS(ON)
耗
散
功
率
-
P
D
(
W
)
10
3
10
1
10µs
60
50
40
30
20
10
漏
极
电
流
-
I
D
(
A
)
10
-1
10
-2
注: T
C
=25°C
10
0
10
1
10
2
0
5150175
漏源电压 - V
DS
(V)
图 13-2. 耗散功率VS.温度（SVS70R900D/MJE3）
60
50
温度 - T
C
(°C)
耗
散
功
率
-
P
D
(
W
)
40
30
20
10
0
5150175
温度 - T
C
(°C)
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //
版本号：1.1
共11页 第7页
士兰微电子
典型测试电路
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
参数一致
V
GS
10V
Qg
V
GS
待测
器件
Ig
V
DS
QgsQgd
Vgs(th)
Qg(th)
Charge
开关时间测试电路及波形图
V
DS
R
L
V
DS
90%
V
GS
R
G
V
GS
待测
器件
V
DD
V
GS
10%
td
(on)
tr
t
on
td
(off)
t
f
t
off
E
AS
测试电路及波形图
L
V
DS
BV
DSS
I
D
R
G
V
GS
tp
待测
器件
E
AS
=
BV
DSS
1
2
LI
AS
2
BV
DSS
V
DD
I
AS
V
DD
V
DD
tp
I
D(t)
V
DS(t)
Time
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //
版本号：1.1
共11页 第8页
士兰微电子
封装外形图
TO-263-2L
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
单位：毫米
L
1
E
A
c2
MILLIMETER
SYMBOL
A
A1
b
c
MIN
4.30
0
0.71
0.30
1.17
8.50
9.80
NOM
4.57
0.10
0.81
__
1.27
__
__
MAX
4.72
0.25
0.91
0.60
1.37
9.35
10.45
D
c2
D
E
c
A1
H
e
H
L
2.54BSC
__
14.7015.75
2.00
1.12
__
L
2
2.30
1.27
__
2.74
1.42
1.75
L
L1
L2
b1
e
e
b
TO-251J-3L
A
E
c
b4
L
2
单位：毫米
SYMBOL
A
A1
b
b4
b5
K
A
R
-
M
.
2
P
E
±
0
T
O
1
.
3
0
ɸ
MILLIMETER
MIN
2.18
0.89
0.56
4.95
__
0.46
5.97
6.35
8.89
0.95
0.89
NOM
2.30
1.00
__
5.33
__
__
6.10
6.60
2.29 BCS
9.30
__
__
9.65
1.50
1.27
MAX
2.39
1.14
0.89
5.46
1.05
0.61
6.27
6.73
L
1
D
c
b5
A1
D
E
e
L
L
L1
L2
e
b
c
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //
版本号：1.1
共11页 第9页
士兰微电子
封装外形图(续)
TO-252-2L
E
b3
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
单位: 毫米
A
c2
SYMBOL
A
A1
b
MILLIMETER
MIN
2.10
0
0.66
5.10
0.45
0.45
5.80
6.30
NOM
2.30
—
0.76
5.33
—
—
6.10
6.60
2.30TYP
9.60
1.40
10.10
1.50
2.90REF
0.600.801.00
MAX
2.50
0.127
0.89
5.46
0.65
0.65
6.40
6.90
Eject pin（note1）
b3
c
c2
D
E
A1
D
H
e
H
L
L1
L
4
10.60
1.70
L
1
eb
c
L
L4
NOTE1：
There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin.
重要注意事项：
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新
和完整。
我司产品属于消费类和/或民用类电子产品。
在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有
一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并
采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。
购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。
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共11页 第10页
士兰微电子
产品名称：
版 权：
版 本：
修改记录：
1. 增加TO-252-2L和TO-251J-3L封装
1.0
2. 增加图12-2、图13-2曲线
版 本：
修改记录：
1. 正式版本发布
SVS70R900S(D)(MJ)E3
杭州士兰微电子股份有限公司
1.1
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
文档类型：
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说明书
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>>SILAN(士兰微)
2024年10月25日发(作者：微生飞)
士兰微电子
5A, 700V 超结 MOS功率管
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
描述
SVS70R900S(D)(MJ)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用
士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，
使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVS70R900S(D)(MJ)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关
拓扑。
1
2
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
特点
5A，700V，R
DS(on)(typ.)
=0.8@V
GS
=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
1
3
1
3
1
2
3
TO-251J-3L
TO-252-2L
TO-263-2L
关键特性参数
参数
V
DS
V
GS(th)
R
DS(on)
，
max.
I
Q
.
参数值
700
2.5~4.5
0.9
20
13
单位
V
V
A
nC
产品规格分类
产品名称 封装形式
TO-263-2L
TO-263-2L
TO-252-2L
TO-251J-3L
打印名称
70R900SE3
70R900SE3
70R90DE3
70900MJE3
环保等级
无卤
无卤
无卤
无卤
包装方式
料管
编带
编带
料管
SVS70R900SE3
SVS70R900SE3TR
SVS70R900DE3TR
SVS70R900MJE3
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士兰微电子
极限参数(除非特殊说明，T
A
=25C)
参数
漏源电压
栅源电压（静态）
栅源电压（动态）
漏极电流
漏极脉冲电流（注1）
耗散功率（TO-263-2L）（注2）
耗散功率（TO-252-2L）
（TO-251J-3L）（注2）
单脉冲雪崩能量
单脉冲电流
体二极管
MOS管dv/dt耐用性
工作结温范围
贮存温度范围
连续二极管正向电流
二极管脉冲电流
最大二极管整流速度
符号
V
DS
V
GS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
P
D
E
AS
I
AS
dv/dt
dv/dt
T
J
T
stg
I
S
I
S
,
pulse
di/dt
--
--
AC(f>1Hz)
T
C
=25C
T
C
=100C
T
C
=25C
T
C
=25C
T
C
=25C
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
测试条件
参数值
最小值
700
-20
-30
--
--
--
--
--
--
--
--
--
-55
-55
--
--
--
典型值
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
最大值
--
20
30
5.0
3.2
20
69
57
162
1.9
50
100
150
150
5.0
20
250
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
mJ
A
V/ns
V/ns
C
C
A
A
A/µs
L=79mH，V
DD
=100V，R
G
=25，
开始温度T
J
=25C
--
V
DS
=0~400V，I
SD
<=I
S
，T
J
=25C
V
DS
=0~480V
--
--
T
C
=25C，MOS管中源极、漏极构
成的反偏P-N结
V
DS
=0~400V，I
SD
<= I
S
，T
J
=25C
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共11页 第2页
士兰微电子
热特性
表-263-2L(SVS70R900SE3)热特性
参数
芯片对表面热阻，底部
芯片对环境的热阻
焊接温度（SMD）
符号
R
θJC
R
θJA
T
sold
--
--
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
测试条件
参数值
最小值
--
--
--
典型值
--
--
--
最大值
1.8
62.5
260
单位
C/W
C/W
C
回流焊：10±1sec，3times
2
sec，1time 波峰焊：
10
-
0
表-252-2L(SVS70R900DE3)热特性
参数
芯片对表面热阻，底部
芯片对环境的热阻
焊接温度（SMD）
符号
R
θJC
R
θJA
T
sold
--
--
回流焊：10±1sec，3times
2
sec，1time 波峰焊：
10
-
0
测试条件
参数值
最小值
--
--
--
典型值
--
--
--
最大值
2.2
62.0
260
单位
C/W
C/W
C
表-251J-3L(SVS70R900MJE3)热特性
参数
芯片对表面热阻，底部
芯片对环境的热阻
焊接温度（直插式）
符号
R
θJC
R
θJA
T
sold
--
--
2
sec，1time
15
-
0
测试条件
参数值
最小值
--
--
--
典型值
--
--
--
最大值
2.2
62.0
260
单位
C/W
C/W
C
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共11页 第3页
士兰微电子
电气参数(除非特殊说明，T
J
=25C)
静态参数
参数
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
栅极电阻
动态参数
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
栅极-平台电压
反向二极管特性参数
参数
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复峰值电流
注：
1.
2.
脉冲时间5µs；
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
R
G
测试条件
V
GS
=0V，I
D
=250µA
V
DS
=700V，V
GS
=0V，T
J
=25C
V
DS
=700V，V
GS
=0V，T
J
=125C
V
GS
=±30V，V
DS
=0V
V
GS
=V
DS
，I
D
=250µA
V
GS
=10V，I
D
=2.5A
f=1MHz
参数值
最小值
700
--
--
--
2.5
--
--
典型值
--
--
3.0
--
--
0.8
8.9
最大值
--
1.0
--
±100
4.5
0.9
--
单位
V
µA
nA
V
符号
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
plateau
测试条件
参数值
最小值
--
典型值
437
20
0.58
13
28
30
24
13
4.3
6.1
7.2
最大值
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
f=1MHz，V
GS
=0V，V
DS
=100V --
--
pF
V
DD
=350V，V
GS
=10V，
R
G
=24Ω，I
D
=5.0A
（注3，4）
--
--
--
--
--
ns
V
DD
=560V，V
GS
=10V，I
D
=5.0A
（注3，4）
--
--
--
nC
V
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
I
rrm
测试条件
I
S
=5.0A，V
GS
=0V
I
S
=5.0A，V
GS
=0V，dI
F
/dt=100A/µs
（注3）
参数值
最小值
--
--
--
--
典型值
--
223
1.9
16
最大值
1.4
--
--
--
单位
V
ns
µC
A
耗散功率值会随着温度变化而变化，当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少：
0.56W/C(
TO-263-2L
)/ 0.45W/C(
TO-252-2L
)(TO-251J-3L)；
3.
4.
脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
基本上不受工作温度的影响。
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共11页 第4页
士兰微电子
典型特性曲线
图 1. 输出特性
14
12
V
GS
=4.5V
V
GS
=5.0V
V
GS
=5.5V
V
GS
=6.0V
V
GS
=7.0V
V
GS
=8.0V
V
GS
=10V
V
GS
=15V
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
图 2. 输出特性
8
V
GS
=4.5V
V
GS
=5.0V
V
GS
=5.5V
V
GS
=6.0V
V
GS
=7.0V
V
GS
=8.0V
V
GS
=10V
V
GS
=15V
漏
极
电
流
–
I
D
(
A
)
8
6
4
2
0
漏
极
电
流
–
I
D
(
A
)
10
6
4
注：
1.250µs 脉冲测试
2.T
J
=25°C
2
注：
1.250µs 脉冲测试
2.T
J
=125°C
05101520
0
05101520
漏源电压 – V
DS
(V)
图 3. 传输特性
100
1.6
-55°C
25°C
150°C
漏源电压 – V
DS
(V)
图 4. 导通电阻vs.漏极电流
V
GS
=10V
漏
源
导
通
电
阻
–
R
D
S
(
o
n
)
(
Ω
)
V
GS
=20V
1.2
漏
极
电
流
–
I
D
(
A
)
10
0.8
1
注：
1.250µs脉冲测试
2.V
DS
=50V
0246810
0.4
注：T
J
=25°C
0.0
0246810
0.1
栅源电压 – V
GS
(V)
图 5. 导通电阻vs.栅源电压
5.0
T
J
=25°C
T
J
=150°C
4.0
5
漏极电流 – I
D
(A)
图 6. 开启电压vs.温度特性
漏
源
导
通
电
阻
–
R
D
S
(
o
n
)
(
Ω
)
栅
源
开
启
电
压
–
V
G
S
(
t
h
)
(
V
)
4
3.0
3
2.0
1.0
注：I
D
=2.5A
0.0
45678910
2
注：I
D
=250µA
1
-100-50
栅源电压 – V
GS
(V)
结温 –
T
J
(°C)
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版本号：1.1
共11页 第5页
士兰微电子
典型特性曲线
图 7. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度
100
-55°C
25°C
150°C
10
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
图8. 电容特性
10000
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
反
向
漏
极
电
流
–
I
D
R
(
A
)
1000
电
容
(
p
F
)
1
注：
1.250µS 脉冲测试
2.V
GS
=0V
0.20.40.60.81.01.21.4
100
10
1
0.1
0.0
0.1
注：
1. V
GS
=0V
2. f=1MHz
0500600
源漏电压 – V
SD
(V)
图 9. 电荷量特性
12
10
1.2
漏源电压 - V
DS
(V)
图 10. 击穿电压vs.温度特性
漏
源
击
穿
电
压
–
B
V
D
S
S
（
标
准
化
）
V
DS
=560V
V
DS
=350V
V
DS
=140V
栅
源
电
压
–
V
G
S
(
V
)
1.1
8
6
4
2
注：I
D
=5.0A
0
03691215
1.0
0.9
注：
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250μA
-50
0.8
-100
总栅极电荷 – Q
g
(nC)
图 11. 导通电阻vs.温度特性
结温 – T
J
(°C)
图 12-1. 最大安全工作区域（SVS70R900SE3）
10
2
漏
源
导
通
电
阻
–
R
D
S
(
O
N
)
（
标
准
化
）
3.0
2.5
10
1
2.0
10µs
100µs
漏
极
电
流
-
I
D
(
A
)
1.5
10
0
1ms
10ms
DC
1.0
注：
1. V
GS
=10V
2. I
D
=2.5A
-100-50
10
-1
0.5
此区域工作受限于R
DS(ON)
0.0
10
-2
0
10
注: T
C
=25°C
10
1
10
2
10
3
结温 – T
J
(°C)
漏源电压- V
DS
(V)
杭州士兰微电子股份有限公司
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版本号：1.1
共11页 第6页
士兰微电子
典型特性曲线（续）
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
图 13-1. 耗散功率VS.温度（SVS70R900SE3）
80
70
图12-2 最大安全工作区域（SVS70R900D/MJE3）
10
2
10
0
100µ
s
1ms
10ms
DC
此区域工作受限于R
DS(ON)
耗
散
功
率
-
P
D
(
W
)
10
3
10
1
10µs
60
50
40
30
20
10
漏
极
电
流
-
I
D
(
A
)
10
-1
10
-2
注: T
C
=25°C
10
0
10
1
10
2
0
5150175
漏源电压 - V
DS
(V)
图 13-2. 耗散功率VS.温度（SVS70R900D/MJE3）
60
50
温度 - T
C
(°C)
耗
散
功
率
-
P
D
(
W
)
40
30
20
10
0
5150175
温度 - T
C
(°C)
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版本号：1.1
共11页 第7页
士兰微电子
典型测试电路
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
参数一致
V
GS
10V
Qg
V
GS
待测
器件
Ig
V
DS
QgsQgd
Vgs(th)
Qg(th)
Charge
开关时间测试电路及波形图
V
DS
R
L
V
DS
90%
V
GS
R
G
V
GS
待测
器件
V
DD
V
GS
10%
td
(on)
tr
t
on
td
(off)
t
f
t
off
E
AS
测试电路及波形图
L
V
DS
BV
DSS
I
D
R
G
V
GS
tp
待测
器件
E
AS
=
BV
DSS
1
2
LI
AS
2
BV
DSS
V
DD
I
AS
V
DD
V
DD
tp
I
D(t)
V
DS(t)
Time
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版本号：1.1
共11页 第8页
士兰微电子
封装外形图
TO-263-2L
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
单位：毫米
L
1
E
A
c2
MILLIMETER
SYMBOL
A
A1
b
c
MIN
4.30
0
0.71
0.30
1.17
8.50
9.80
NOM
4.57
0.10
0.81
__
1.27
__
__
MAX
4.72
0.25
0.91
0.60
1.37
9.35
10.45
D
c2
D
E
c
A1
H
e
H
L
2.54BSC
__
14.7015.75
2.00
1.12
__
L
2
2.30
1.27
__
2.74
1.42
1.75
L
L1
L2
b1
e
e
b
TO-251J-3L
A
E
c
b4
L
2
单位：毫米
SYMBOL
A
A1
b
b4
b5
K
A
R
-
M
.
2
P
E
±
0
T
O
1
.
3
0
ɸ
MILLIMETER
MIN
2.18
0.89
0.56
4.95
__
0.46
5.97
6.35
8.89
0.95
0.89
NOM
2.30
1.00
__
5.33
__
__
6.10
6.60
2.29 BCS
9.30
__
__
9.65
1.50
1.27
MAX
2.39
1.14
0.89
5.46
1.05
0.61
6.27
6.73
L
1
D
c
b5
A1
D
E
e
L
L
L1
L2
e
b
c
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http: //
版本号：1.1
共11页 第9页
士兰微电子
封装外形图(续)
TO-252-2L
E
b3
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
单位: 毫米
A
c2
SYMBOL
A
A1
b
MILLIMETER
MIN
2.10
0
0.66
5.10
0.45
0.45
5.80
6.30
NOM
2.30
—
0.76
5.33
—
—
6.10
6.60
2.30TYP
9.60
1.40
10.10
1.50
2.90REF
0.600.801.00
MAX
2.50
0.127
0.89
5.46
0.65
0.65
6.40
6.90
Eject pin（note1）
b3
c
c2
D
E
A1
D
H
e
H
L
L1
L
4
10.60
1.70
L
1
eb
c
L
L4
NOTE1：
There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin.
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士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新
和完整。
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一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并
采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。
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杭州士兰微电子股份有限公司
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士兰微电子
产品名称：
版 权：
版 本：
修改记录：
1. 增加TO-252-2L和TO-251J-3L封装
1.0
2. 增加图12-2、图13-2曲线
版 本：
修改记录：
1. 正式版本发布
SVS70R900S(D)(MJ)E3
杭州士兰微电子股份有限公司
1.1
SVS70R900S(D)(MJ)E3说明书
文档类型：
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说明书
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