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基于500WOLED电视无桥PFC电源的EMI分析

IT圈 admin 31浏览 0评论

2024年4月9日发(作者:泰乐志)

ELECTRONICS WORLD

探索与观察

基于500W OLED电视无桥PFC电源的EMI分析

在大功率的开关电源设计时,无桥Boost PFC电路能提高

电源效率,因此被广泛应用。但是,相比传统的Boost PFC电

路,无桥Boost PFC因其电路拓扑,会产生较为严重的EMI干

扰问题。本文将结合无桥Boost PFC的实际应用案例,分析了

EMI产生的原因,并给出具体的解决方案,且通过大量的实

验验证,取得了良好的实验效果。

引言:传统的Boost PFC电路是在整流桥之后进行的变换,

适用于中小功率电路。随着开关电源功率的不断增大,特别是

在低压条件下(如90VAC),系统的通态损耗显著增加,为了

解决这个问题,提高电源效率,引入了无桥Boost PFC拓扑架

构,该架构电路在不改变PF值情况下,降低了整流桥的固有损

耗,提高了电源效率。但是,相比传统的Boost PFC电路,无桥

Boost PFC又有其自身的缺点,如会引起较为严重的EMI干扰问

题,给实际的设计和应用带来困扰。本文通过无桥Boost PFC的

工作原理,结合无桥Boost PFC在OLED电视电源中实际应用案

例,给出有实用价值的EMI问题的解决方案和对策。

1 无桥PFC电源EMI原理分析

在无桥PFC电路中,一方面,开关MOS上产生的dv/dt通

过散热片之间的寄生电容形成共模电流到地后,经L线和N线

与地间的寄生电容耦合到交流侧,形成共模干扰,且比有桥

PFC共模干扰要大。

另一方面,该电路产生的脉动电流给电路引入大量的谐

波,有相当一部分谐波电流与大电解电容的等效串联电感和

电阻相互作用,行成差模电流返回交流电源侧,形成差模干

扰。目前采用二极管方式来解决此问题。

D1D2

L1

L

12

L2

C1R0

N

12

Q1

22

D3D4

11

Q2

33

图1 无桥PFC二极管方式

通过在输入端的L和N线上对地增加二极管D3和D4来降

低EMI干扰。如图1所示。

实际应用中一般采用在L和N线上增加二极管的方式,在

Q1/Q2开通或关断,由于在低频下,电感阻抗较小,Q2/Q1体

90

创维集团TV产品研究院 胡向峰

二极管低压低于D4/D3所以大部分电流流经Q2/Q1或Q2/Q1的体二极管,

很少部分电流流经D4/D3(刘桂花,刘永光,王卫,无桥BoostPFC技术

的研究:电子器件)。由于D3和D4提供了电流通路,电源输入端不再浮

地,而是以通常的大电解电容为参考地,因此能起到有效抑制EMI作用。

2 基于500W无桥PFC电源的EMI分析及解决方案

OLED电视采用有机发光二极管技术实现优越的画质,但是屏体功率

较大,以500W OLED电视电源设计为例,一方面为了提高电源效率,另

一方面为了减小电源面积和高度,采用无桥Boost PFC电路能够很好的实

现上述目的。在此,对65寸500W OLED电视电源的EMI进行分析,并给

出相应的解决方案。

2.1 500W无桥PFC电源的EMI分析

C3

L1FB5

L

13

12

EMI Filter

D5

C4

FB6

N

24

L2

12

D6

FB1

FB2

CSA

D3

14

CSB

D4

14

R1

23

R2

23

D1D2

CT1

FB3

CT2

FB4

C0

R0

DRA

D7

DRB

D8

22

R5

1

R6

1

C2

R3

3

Q1

C1

R4

Q2

3

R7R8

图2 500W无桥PFC主功率电路

如图2所示,为无桥Boost PFC主功率电路原理图。电路产生的脉动电流引

入大量的谐波,虽然在整流输出侧有大电解电容(C0)可虑除一些谐波,但

是由于大电解电容C0有较大的等效串联电感和等效串联电阻,所以,大电解

电容C0不能完全吸收这些谐波,有相当一部分谐波电流与大电解电容的等效

串联电感和电阻相互作用,行成差模电流返回交流电源侧,产生差模干扰。

开关MOS(Q1/Q2)的开通和关断产生较高的dv/dt,它与Q1/Q2和散热

片之间的寄生电容相互作用形成共模电流,此共模电流通过散热片接地,

地线上的共模电流又通过寄生电容耦合到交流侧的L线和N线,从而形成

共模电流回路,产生共模干扰(Liu XueChao,Wang ZhiHao,UCC28070

Implement Bridgeless Power Factor Correction Application Report)。

2.2 500W无桥PFC电源的EMI解决方案

经过对无桥Boost PFC电路EMI产生的原因分析,结合500W OLED电

视整机EMI传导和辐射测试实验验证,可采取以下解决方案:

2.2.1 传导

由于开关信号产生的差模和共模干扰,对传导通路而言,测试频段

ELECTRONICS WORLD

探索与观察

一般为150KHz~30MHz,因此主要通过优化EMI电路和Y电容接地位置

来抑制干扰,经过大量实验测试,对无桥PFC电源主要采用如图3所示的

EMI滤波电路参数(供参考)。

图3 500W无桥PFC EMI滤波参考电路

如图3所示,通过采用一级小共模电感LF1(100uH),主要抑制低

频干扰,可省去电源线上的磁环设计;一级差模电感L1/L2(150uH),

主要抑制开关脉动电流引起的差模干扰;两级大共模电感LF2/LF3

(10mH)方式,结合Y电容的参数和位置设计(CY1/CY2/CY3/CY4/

CY5/CY6),可有效抑制MOS端过来的共模干扰。总之,通过此电路可

起到较好的抑制作用,传导测试结果对比如图4所示:

dBμV

80.0

70.0

限值

5

5

5

5

0

0

2

2

2

2

M

M

Q

A

P

V

60.0

50.0

40.0

传感器

8127-L

30.0

轨迹

P

A

K

V

+

20.0

10.0

0.0

150 kHz1 MHz10 MHz30 MHz

图4a 改善前

dBμV

80.0

70.0

限值

5

5

5

5

0

0

2

2

2

2

M

M

Q

A

P

V

60.0

50.0

40.0

传感器

8127-L

30.0

轨迹

P

A

K

V

+

20.0

10.0

0.0

150 kHz1 MHz10 MHz30 MHz

图4b 改善后

2.2.2 辐射

由于没有整流桥,开关MOS(Q1/Q2)的开通和关断产生较高的dv/

dt,与Q1/Q2和散热片之间的寄生电容相互作用形成共模电流,产生共模

干扰,因此,对于无桥Boost PFC而言,主要抑制因开关MOS产生的共模

干扰。主要采用以下措施:

①散热片接地与Y电容接地处理

由于开关MOS管与散热片间的寄生电容产生的共模干扰,是无桥PFC

产生辐射的主要原因,因此散热片的接地和Y电容的连接方式就显得尤为重

要。如图2所示,若Q1和D5,Q2与D6分别使用两个散热片,那么这两个散

热片采用单边引脚相连,并通过铜皮连接至大电解电容参考地。

②开关MOS管的EMI处理

开关MOS管是辐射产生的根源,因此需对MOS管上因开

通或关断产生dv/dt进行抑制,措施如下:

a.在MOS管Q1/Q2的D极增加磁珠FB3/FB4;

b.在MOS管Q1/Q2的D-S间并联的电容C1/C2(容值一般

为47-220pF之间);

c.在MOS管Q1/Q2温升允许情况下,适当增大驱动电阻

值,使驱动MOS开通时间加长,降低EMI;

③PFC整流二极管的EMI处理

因PFC整流二极管为超快恢复二极管,为了抑制干扰,

一般采取如下措施:

a.在整流二极管D5/D6的输入端增加磁珠FB5/FB6;

b在整流二极管D5/D6上并联电容C3/C4(容值一般为47-

220pF之间);

经过上述措施后,辐射测试的结果对比如图5所示:

图5a DTV垂直方向改善前

图5b DTV垂直方向改善后

3 结论

本文通过对无桥Boost PFC的工作原理介绍,分析了无

桥Boost PFC EMI产生的原因,并结合500W OLED电视无桥

PFC电源的EMI实际应用案例,从EMI电路设计到Y电容及散

热片的接地处理,给出了有可操作性和实用性的EMI抑制措

施,通过大量的实验验证,该系列措施可靠、有效,在大功

率OLED电视的EMI设计问题上,具有广泛的参考意义。

作者简介:胡向峰,2004年毕业于西南交通大学,2004-

2009年,从事TV产品研发工作,2009-至今,创维集团研发

总部电源设计师,2011年首次开发出“省辅助待机的创新架

构电源”,引领了TV电源架构新方向;2013年在行业首创全

软件配屏,期间已申请专利20项,其中发明专利5项。

91

2024年4月9日发(作者:泰乐志)

ELECTRONICS WORLD

探索与观察

基于500W OLED电视无桥PFC电源的EMI分析

在大功率的开关电源设计时,无桥Boost PFC电路能提高

电源效率,因此被广泛应用。但是,相比传统的Boost PFC电

路,无桥Boost PFC因其电路拓扑,会产生较为严重的EMI干

扰问题。本文将结合无桥Boost PFC的实际应用案例,分析了

EMI产生的原因,并给出具体的解决方案,且通过大量的实

验验证,取得了良好的实验效果。

引言:传统的Boost PFC电路是在整流桥之后进行的变换,

适用于中小功率电路。随着开关电源功率的不断增大,特别是

在低压条件下(如90VAC),系统的通态损耗显著增加,为了

解决这个问题,提高电源效率,引入了无桥Boost PFC拓扑架

构,该架构电路在不改变PF值情况下,降低了整流桥的固有损

耗,提高了电源效率。但是,相比传统的Boost PFC电路,无桥

Boost PFC又有其自身的缺点,如会引起较为严重的EMI干扰问

题,给实际的设计和应用带来困扰。本文通过无桥Boost PFC的

工作原理,结合无桥Boost PFC在OLED电视电源中实际应用案

例,给出有实用价值的EMI问题的解决方案和对策。

1 无桥PFC电源EMI原理分析

在无桥PFC电路中,一方面,开关MOS上产生的dv/dt通

过散热片之间的寄生电容形成共模电流到地后,经L线和N线

与地间的寄生电容耦合到交流侧,形成共模干扰,且比有桥

PFC共模干扰要大。

另一方面,该电路产生的脉动电流给电路引入大量的谐

波,有相当一部分谐波电流与大电解电容的等效串联电感和

电阻相互作用,行成差模电流返回交流电源侧,形成差模干

扰。目前采用二极管方式来解决此问题。

D1D2

L1

L

12

L2

C1R0

N

12

Q1

22

D3D4

11

Q2

33

图1 无桥PFC二极管方式

通过在输入端的L和N线上对地增加二极管D3和D4来降

低EMI干扰。如图1所示。

实际应用中一般采用在L和N线上增加二极管的方式,在

Q1/Q2开通或关断,由于在低频下,电感阻抗较小,Q2/Q1体

90

创维集团TV产品研究院 胡向峰

二极管低压低于D4/D3所以大部分电流流经Q2/Q1或Q2/Q1的体二极管,

很少部分电流流经D4/D3(刘桂花,刘永光,王卫,无桥BoostPFC技术

的研究:电子器件)。由于D3和D4提供了电流通路,电源输入端不再浮

地,而是以通常的大电解电容为参考地,因此能起到有效抑制EMI作用。

2 基于500W无桥PFC电源的EMI分析及解决方案

OLED电视采用有机发光二极管技术实现优越的画质,但是屏体功率

较大,以500W OLED电视电源设计为例,一方面为了提高电源效率,另

一方面为了减小电源面积和高度,采用无桥Boost PFC电路能够很好的实

现上述目的。在此,对65寸500W OLED电视电源的EMI进行分析,并给

出相应的解决方案。

2.1 500W无桥PFC电源的EMI分析

C3

L1FB5

L

13

12

EMI Filter

D5

C4

FB6

N

24

L2

12

D6

FB1

FB2

CSA

D3

14

CSB

D4

14

R1

23

R2

23

D1D2

CT1

FB3

CT2

FB4

C0

R0

DRA

D7

DRB

D8

22

R5

1

R6

1

C2

R3

3

Q1

C1

R4

Q2

3

R7R8

图2 500W无桥PFC主功率电路

如图2所示,为无桥Boost PFC主功率电路原理图。电路产生的脉动电流引

入大量的谐波,虽然在整流输出侧有大电解电容(C0)可虑除一些谐波,但

是由于大电解电容C0有较大的等效串联电感和等效串联电阻,所以,大电解

电容C0不能完全吸收这些谐波,有相当一部分谐波电流与大电解电容的等效

串联电感和电阻相互作用,行成差模电流返回交流电源侧,产生差模干扰。

开关MOS(Q1/Q2)的开通和关断产生较高的dv/dt,它与Q1/Q2和散热

片之间的寄生电容相互作用形成共模电流,此共模电流通过散热片接地,

地线上的共模电流又通过寄生电容耦合到交流侧的L线和N线,从而形成

共模电流回路,产生共模干扰(Liu XueChao,Wang ZhiHao,UCC28070

Implement Bridgeless Power Factor Correction Application Report)。

2.2 500W无桥PFC电源的EMI解决方案

经过对无桥Boost PFC电路EMI产生的原因分析,结合500W OLED电

视整机EMI传导和辐射测试实验验证,可采取以下解决方案:

2.2.1 传导

由于开关信号产生的差模和共模干扰,对传导通路而言,测试频段

ELECTRONICS WORLD

探索与观察

一般为150KHz~30MHz,因此主要通过优化EMI电路和Y电容接地位置

来抑制干扰,经过大量实验测试,对无桥PFC电源主要采用如图3所示的

EMI滤波电路参数(供参考)。

图3 500W无桥PFC EMI滤波参考电路

如图3所示,通过采用一级小共模电感LF1(100uH),主要抑制低

频干扰,可省去电源线上的磁环设计;一级差模电感L1/L2(150uH),

主要抑制开关脉动电流引起的差模干扰;两级大共模电感LF2/LF3

(10mH)方式,结合Y电容的参数和位置设计(CY1/CY2/CY3/CY4/

CY5/CY6),可有效抑制MOS端过来的共模干扰。总之,通过此电路可

起到较好的抑制作用,传导测试结果对比如图4所示:

dBμV

80.0

70.0

限值

5

5

5

5

0

0

2

2

2

2

M

M

Q

A

P

V

60.0

50.0

40.0

传感器

8127-L

30.0

轨迹

P

A

K

V

+

20.0

10.0

0.0

150 kHz1 MHz10 MHz30 MHz

图4a 改善前

dBμV

80.0

70.0

限值

5

5

5

5

0

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2

2

2

2

M

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A

P

V

60.0

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传感器

8127-L

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轨迹

P

A

K

V

+

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10.0

0.0

150 kHz1 MHz10 MHz30 MHz

图4b 改善后

2.2.2 辐射

由于没有整流桥,开关MOS(Q1/Q2)的开通和关断产生较高的dv/

dt,与Q1/Q2和散热片之间的寄生电容相互作用形成共模电流,产生共模

干扰,因此,对于无桥Boost PFC而言,主要抑制因开关MOS产生的共模

干扰。主要采用以下措施:

①散热片接地与Y电容接地处理

由于开关MOS管与散热片间的寄生电容产生的共模干扰,是无桥PFC

产生辐射的主要原因,因此散热片的接地和Y电容的连接方式就显得尤为重

要。如图2所示,若Q1和D5,Q2与D6分别使用两个散热片,那么这两个散

热片采用单边引脚相连,并通过铜皮连接至大电解电容参考地。

②开关MOS管的EMI处理

开关MOS管是辐射产生的根源,因此需对MOS管上因开

通或关断产生dv/dt进行抑制,措施如下:

a.在MOS管Q1/Q2的D极增加磁珠FB3/FB4;

b.在MOS管Q1/Q2的D-S间并联的电容C1/C2(容值一般

为47-220pF之间);

c.在MOS管Q1/Q2温升允许情况下,适当增大驱动电阻

值,使驱动MOS开通时间加长,降低EMI;

③PFC整流二极管的EMI处理

因PFC整流二极管为超快恢复二极管,为了抑制干扰,

一般采取如下措施:

a.在整流二极管D5/D6的输入端增加磁珠FB5/FB6;

b在整流二极管D5/D6上并联电容C3/C4(容值一般为47-

220pF之间);

经过上述措施后,辐射测试的结果对比如图5所示:

图5a DTV垂直方向改善前

图5b DTV垂直方向改善后

3 结论

本文通过对无桥Boost PFC的工作原理介绍,分析了无

桥Boost PFC EMI产生的原因,并结合500W OLED电视无桥

PFC电源的EMI实际应用案例,从EMI电路设计到Y电容及散

热片的接地处理,给出了有可操作性和实用性的EMI抑制措

施,通过大量的实验验证,该系列措施可靠、有效,在大功

率OLED电视的EMI设计问题上,具有广泛的参考意义。

作者简介:胡向峰,2004年毕业于西南交通大学,2004-

2009年,从事TV产品研发工作,2009-至今,创维集团研发

总部电源设计师,2011年首次开发出“省辅助待机的创新架

构电源”,引领了TV电源架构新方向;2013年在行业首创全

软件配屏,期间已申请专利20项,其中发明专利5项。

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