2024年5月13日发(作者：富双文)
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
A42
SOT-89BipolarTransistor
双极型三极管
▉
Features
特点
NPNHighVoltage
高压
▉
AbsoluteMaximumRatings
最大额定值
Symbol符号
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
(T
a
=25
℃
)
R
Θ
JA
T
J
,
T
stg
Rat额定值
310
305
5
200
500
500
250
Unit单位
V
V
V
mA
mA
mW
℃
/W
Characteristic特性参数
Collector-BaseVoltage集电极基极电压
Collector-EmitterVoltage集电极发射极电压
Emitter-BaseVoltage
发射极基极电压
CollectorCurrent集电极电流
CollectorCurrentPulsed
集电极脉冲电流
Powerdissipation耗散功率
ThermalResistanceJunction-Ambient热阻
JunctionandStorageTemperature
结温和储藏温度
-55to+150
℃
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
A42
■
Electrical
(T
A
=
25
℃
unlessotherwisenoted
如无特殊说明，温度为
25
℃
)
Characteristics
电特性
Characteristic
特性参数
Symbol
符号
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
H
FE
(1)
H
FE
(2)
H
FE
(3)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Min
最小值
310
305
5
—
—
—
60
100
60
—
—
50
—
Type
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6
Max
最大值
—
—
—
100
100
100
—
200
—
0.2
0.9
—
—
Unit
单位
V
V
V
nA
nA
nA
Collector-BaseBreakdownVoltage
集电极基极击穿电压(I
C
=100uA，I
E
=0)
Collector-EmitterBreakdownVoltage
集电极发射极击穿电压
(I
C
=1mA
，
I
B
=0)
Emitter-BaseBreakdownVoltage
发射极基极击穿电压(I
E
=100uA，I
C
=0)
Collector-BaseLeakageCurrent
集电极基极漏电流
(V
CB
=300V
，
I
E
=0)
Collector-EmitterLeakageCurrent
集电极发射极漏电流
(V
CE
=200V
，
I
B
=0)
Emitter-BaseLeakageCurrent
发射极基极漏电流
(V
EB
=5V
，
I
C
=0)
DCCurrentGain
直流电流增益(V
CE
=10V，I
C
=1mA)
DCCurrentGain
直流电流增益
(V
CE
=10V
，
I
C
=10mA)
DCCurrentGain
直流电流增益
(V
CE
=10V
，
I
C
=30mA)
Collector-EmitterSaturationVoltage
集电极发射极饱和压降(I
C
=20mA，I
B
=2mA)
Base-EmitterSaturationVoltage
基极发射极饱和压降
(I
C
=20mA
，
I
B
=2mA)
TransitionFrequency
特征频率(V
CE
=20V，I
C
=10mA)
OutputCapacitance
输出电容
(V
CB
=20V
，
I
E
=0,f=1MH
Z
)
V
V
MH
Z
pF
2024年5月13日发(作者：富双文)
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
A42
SOT-89BipolarTransistor
双极型三极管
▉
Features
特点
NPNHighVoltage
高压
▉
AbsoluteMaximumRatings
最大额定值
Symbol符号
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
(T
a
=25
℃
)
R
Θ
JA
T
J
,
T
stg
Rat额定值
310
305
5
200
500
500
250
Unit单位
V
V
V
mA
mA
mW
℃
/W
Characteristic特性参数
Collector-BaseVoltage集电极基极电压
Collector-EmitterVoltage集电极发射极电压
Emitter-BaseVoltage
发射极基极电压
CollectorCurrent集电极电流
CollectorCurrentPulsed
集电极脉冲电流
Powerdissipation耗散功率
ThermalResistanceJunction-Ambient热阻
JunctionandStorageTemperature
结温和储藏温度
-55to+150
℃
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
A42
■
Electrical
(T
A
=
25
℃
unlessotherwisenoted
如无特殊说明，温度为
25
℃
)
Characteristics
电特性
Characteristic
特性参数
Symbol
符号
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
H
FE
(1)
H
FE
(2)
H
FE
(3)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Min
最小值
310
305
5
—
—
—
60
100
60
—
—
50
—
Type
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6
Max
最大值
—
—
—
100
100
100
—
200
—
0.2
0.9
—
—
Unit
单位
V
V
V
nA
nA
nA
Collector-BaseBreakdownVoltage
集电极基极击穿电压(I
C
=100uA，I
E
=0)
Collector-EmitterBreakdownVoltage
集电极发射极击穿电压
(I
C
=1mA
，
I
B
=0)
Emitter-BaseBreakdownVoltage
发射极基极击穿电压(I
E
=100uA，I
C
=0)
Collector-BaseLeakageCurrent
集电极基极漏电流
(V
CB
=300V
，
I
E
=0)
Collector-EmitterLeakageCurrent
集电极发射极漏电流
(V
CE
=200V
，
I
B
=0)
Emitter-BaseLeakageCurrent
发射极基极漏电流
(V
EB
=5V
，
I
C
=0)
DCCurrentGain
直流电流增益(V
CE
=10V，I
C
=1mA)
DCCurrentGain
直流电流增益
(V
CE
=10V
，
I
C
=10mA)
DCCurrentGain
直流电流增益
(V
CE
=10V
，
I
C
=30mA)
Collector-EmitterSaturationVoltage
集电极发射极饱和压降(I
C
=20mA，I
B
=2mA)
Base-EmitterSaturationVoltage
基极发射极饱和压降
(I
C
=20mA
，
I
B
=2mA)
TransitionFrequency
特征频率(V
CE
=20V，I
C
=10mA)
OutputCapacitance
输出电容
(V
CB
=20V
，
I
E
=0,f=1MH
Z
)
V
V
MH
Z
pF