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场效应管基础知识资料

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2024年5月15日发(作者:奉家欣)

场效应管基础知识

一、场效应管的分类

按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场

效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也

有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗

尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。

二、场效应三极管的型号命名方法

第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同

一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

三、场效应管的参数

1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏

1

源电流。

2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力,即漏极电流I D变化

量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏

源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏

源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过

的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM

几种常用的场效应三极管的主要参数

四、场效应管的作用

2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3、场效应管可以用作可变电阻。

2

2024年5月15日发(作者:奉家欣)

场效应管基础知识

一、场效应管的分类

按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场

效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也

有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗

尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。

二、场效应三极管的型号命名方法

第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同

一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

三、场效应管的参数

1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏

1

源电流。

2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力,即漏极电流I D变化

量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏

源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏

源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过

的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM

几种常用的场效应三极管的主要参数

四、场效应管的作用

2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3、场效应管可以用作可变电阻。

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