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CellularRAMTM 存储器

IT圈 admin 16浏览 0评论

2024年6月4日发(作者:睦翰采)

广州周立功单片机发展有限公司 Tel020

Ïà¶ÔÓÚ

´«Í³µÄSRAM器件更具竞争力的多代伪静态随机存储器

cost-per-bit

Á½ÕߵŤ×÷µçѹ·¶Î§

Õß¿É·½±ãµØʵÏÖSRAM到CellularRAM的转变

ʹÉè¼Æ

Infineon技术公司和Cypress半导体公司已将合作开发出了16Mb

2Q04

Òò´ËËüµÄ¹¦ºÄ¿ÉÓëSRAM器件相

比拟

完全与低功耗Flash接口兼容

标准情况下为70ns

±ê×¼Çé¿öÏÂΪ80MHz

广州周立功单片机发展有限公司 Tel020

ÈçGPRS

ʹÓÃ16Mb或32Mb 6T的 SRAM价格又太昂贵

CellularRAM包含许多高新的性能

有关Micron的CellularRAM器件是否符合您的设计等问题

208-368-3900

因此

ÄÚºË

2.25V, 2.30V

16

接口类型

访

异步

页面

初始突发

最大突发

频率

激活电流

自刷新电流

25mA

2Meg

异步/页面/突发

60ns**, 70ns

20ns

39ns

80MHz, 104MHz** 66MHz,80MHz,

104MHz**

3.30V 1.50V

16

8mm

Grid 6ºÍ6

*可用的内核和I/O电压在数据手册中有规定 **是否可用需要与厂家联系

1mm VFBGA

2024年6月4日发(作者:睦翰采)

广州周立功单片机发展有限公司 Tel020

Ïà¶ÔÓÚ

´«Í³µÄSRAM器件更具竞争力的多代伪静态随机存储器

cost-per-bit

Á½ÕߵŤ×÷µçѹ·¶Î§

Õß¿É·½±ãµØʵÏÖSRAM到CellularRAM的转变

ʹÉè¼Æ

Infineon技术公司和Cypress半导体公司已将合作开发出了16Mb

2Q04

Òò´ËËüµÄ¹¦ºÄ¿ÉÓëSRAM器件相

比拟

完全与低功耗Flash接口兼容

标准情况下为70ns

±ê×¼Çé¿öÏÂΪ80MHz

广州周立功单片机发展有限公司 Tel020

ÈçGPRS

ʹÓÃ16Mb或32Mb 6T的 SRAM价格又太昂贵

CellularRAM包含许多高新的性能

有关Micron的CellularRAM器件是否符合您的设计等问题

208-368-3900

因此

ÄÚºË

2.25V, 2.30V

16

接口类型

访

异步

页面

初始突发

最大突发

频率

激活电流

自刷新电流

25mA

2Meg

异步/页面/突发

60ns**, 70ns

20ns

39ns

80MHz, 104MHz** 66MHz,80MHz,

104MHz**

3.30V 1.50V

16

8mm

Grid 6ºÍ6

*可用的内核和I/O电压在数据手册中有规定 **是否可用需要与厂家联系

1mm VFBGA

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