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RK818 应用指南 V1.2_20150426
2024年6月6日发(作者：施妙芙)
RK818应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
密级状态：绝密( ) 秘密( ) 内部( ) 公开( √ )
RK818 应用指南
当前版本：
编 制：
修 改：
审 核：
批 准：
发布时间：
V1.2
XD
LinTao
HCH，ZX，ZDZ
HQP
2015/5/26
福州瑞芯微电子有限公司
Fuzhou Rockchips Semiconductor Co . , Ltd
(版本所有,翻版必究)
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
文档更新记录
版本号
V1.0
V1.1
修改人
XD
XD
修改日期
2015/3/26
2015/4/23
修改说明
初版
增加保护用TVS二极管相关描
述
V1.2 LinTao 2015/5/21增加更多说明
更名为RK818 应用指南
备注
P．5
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
目 录
1
2
3
简介............................................................................................................................................................. 3
丝印............................................................................................................................................................. 3
默认电压及开机序列 ................................................................................................................................. 4
3.1
3.2
3.3
4
RK818-1
OTP预设电压及开机序列 .................................................................................................. 4
RK818-2
OTP预设电压及开机序列 .................................................................................................. 4
预设电压选择脚（BOOT0、BOOT1） ................................................................................................. 4
DCDC、LDO LAYOUT指南 .................................................................................................................. 5
4.1
DCDC通用L
AYOUT
规则 ........................................................................................................................ 5
4.1.1
4.1.2
4.1.3
输入电容靠近芯片引脚，电流与过孔数量要匹配
................................................................. 5
芯片到电感要用敷铜连接以增加走线面积
............................................................................. 7
主输出电容靠近电感，过孔数量与电流要匹配
..................................................................... 7
4.1.4
DCDC的FB走法
............................................................................................................................. 8
4.2
5
LDO
L
AYOUT
规则 .................................................................................................................................. 9
RK818其它LAYOUT要求 ................................................................................................................... 10
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
5.7
5.8
5.9
5.10
完整的地平面................................................................................................................................... 10
足够多的地过孔连接
E
PAD .............................................................................................................. 10
TVS管 ............................................................................................................................................... 10
SW5与SW6电感距离必须保证1.5
MM
以上 ...................................................................................... 11
B
OOST
输出电容要大于30
U
F ............................................................................................................. 12
SNSP/SNSN电流采样信号线............................................................................................................ 12
SNSP/SNS滤波电容.......................................................................................................................... 14
32.768KH
Z
........................................................................................................................................ 15
各个GND引脚
直接连到
E
15
充放电路径 .................................................................................................................................. 16
1
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
6
RK818生产工艺参考 .............................................................................................................................. 17
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
钢网要求 .......................................................................................................................................... 17
开孔要求 .......................................................................................................................................... 17
回流温度曲线设定推荐（依实际效果调整） ............................................................................... 17
易发生的焊接不良因素................................................................................................................... 18
返修指南 .......................................................................................................................................... 18
2
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
1 简介
RK818是一款高性能 PMIC，面向单节锂电池（包括锂离子电池及锂聚合物电池）
中需要多路输出的多核处理器应用，提供外围应用简单的完整电源解决方案。
RK818主要集成了单电池应用方案中常用的：充电管理、电池充放电路径管理、电
量计、大电流降压DCDC、5V升压、OTG输出、LDO及电子开关等。
RK818中的大电流BUCK采用2MHz的开关频率，可以采用更小体积的电感，并且集
成了所有功率开关管（不需要外部功率MOSFET、开关二极管等），使PCB更为简洁，
有利于降低系统成本。
在电源系统中优化PCB布局能够提供干净的电源输出，并且能够在减少EMI排放
方面节约相当的时间。本指南将在RK818芯片布局、布线的关键之处提供优化的设计。
2 丝印
第一行：logo：ROCKCHIPS
第二行：产品名称，“RK818-1”,“-1”用于区分不同的上电时序。
RK当前只有：RK818-1,RK818-2这两种丝印的芯片，后面会根据需求陆续添
加。
测试中的样子叫：“RK818”通常不带后缀。
第三行：ABCXXXXXX：生产编号。
DEFG为封装时间:DE表示年份，FG为周
3
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
3 默认电压及开机序列
同一型号不同后缀的芯片，内部OTP烧写的默认输出电压及上电序列不同。
3.1 RK818-1 OTP预设电压及开机序列
当前用这个时序的芯片是：RK3288,RK3368
3.2 RK818-2 OTP预设电压及开机序列
当前用这个时序的芯片是:SoFia 3GR
3.3 预设电压选择脚（BOOT0、BOOT1）
RK818的BOOT0与BOOT1引脚，是用于选择预设电压及开机序列的，选择OTP预
设电压及上电时序开机时（RK818-1、RK818-2）BOOT1与BOOT0必须常接地，片内的
4
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
另外三种序列开机（主要用于RK31XX系列芯片）的BOOT引脚接法请参考RK818
datasheet。
4 DCDC、LDO Layout指南
4.1 DCDC通用Layout规则
RK818共集成了4路buck，1路boost，1路charge，请尽量遵循DCDC的通用规则进
行layout：
1、输入输出电容尽量靠近芯片引脚或电感引脚，要有最短的回流路径。
2、跟据电流大小来分配合理的走线宽度。
3、两个DCDC的电感不要挨着放，如果要挨着放要采用闭磁材料的电感。
4、输入输出电容正负端都需要足够多的过孔。
4.1.1 输入电容靠近芯片引脚，电流与过孔数量要匹配
下图示例说明各DCDC主输入电容要靠近对应的引脚，换层过孔根据单个0402过孔最大走300mA
（0503,500mA）适当添加，（一般DCDC1,DCDC2输出3A/1.1V输入端就有1.2A/3.8V，至少要放
4个0402过孔）。电容与芯片引脚间用敷铜连接以增加走线面积。
5
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
6
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
4.1.2 芯片到电感要用敷铜连接以增加走线面积
4.1.3 主输出电容靠近电感，过孔数量与电流要匹配
DCDC1、DCDC2（其它电源请参考这种做法）的输出能力可以达到4A以上，如果后端实际有需
求这么大电流，那么换层的过孔数量一定要与电流匹配(如下图用了9个0503过孔)，并且电容的
负极也要打相对应数量的过孔，否则起不到滤波效果。
7
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
4.1.4 DCDC的FB走法
4.1.4.1 反馈信号要取自滤波电容的输出端，不能从电感端就近取。
4.1.4.2 FB信号的远端反馈接法
RK系统CPU与GPU通常都是走远端反馈，为了防止电压反馈信号意外开路使BUCK输出过高的
电压而损坏其他器件，需在输出端滤波电容旁就近放置一个100Ω电阻连接V
OUT
与V
FB
。
8
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
BUCK电压反馈信号V
FB
的走线必须紧贴该路电源输出的铜皮，否则可能引起器件的不稳定甚至
振荡。
4.2 LDO Layout规则
一般保证输入输出脚有对应的电容，线宽及过孔满足电流需求即可（尽理按一般电源的规则，线
能粗尽量粗，过孔能打就尽量多打）。
9
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
5 RK818其它Layout要求
5.1 完整的地平面
至少要有一个完整的GND层来确保良好的PI指标与可靠的散热能力。
5.2 足够多的地过孔连接ePAD
为了获取可靠的散热能力，芯片底部的ePAD焊盘需至少30个0503过孔连接到GND
层。
5.3 TVS管
RK818芯片Vbus端防过压TVS二极管必须良好接地，要有保证足够数量的过孔连
到主地。由于此位置需承受较大的瞬间电流，对地阻抗偏高可能会导致保护失效进而
10
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
增加损坏RK818的风险。
该TVS二极管具体要求如下：
动作电压(Operating Supply Vltage)： 5.5V(大于5.25V,小于6V)
保护电流(PeakPulse Current）： 大于10A（tp=8/20uS)
钳位电压(Surge Clamping Voltage)： 小于6.5V
推荐型号： AZ5825-01F
5.4 SW5与SW6电感距离必须保证1.5mm以上
因SW5（Pin5）与SW6（Pin11/12）两只脚都工作在比较高的电压下，如果两个电
感靠太近会产生互感，互感的电压如果刚好叠加在电源上，会超出芯片耐压有损坏芯
片的可能。
11
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
图3-1
5.5 Boost输出电容要大于30uF
BOOST（Pin6/7）输出滤波电容（Cboost）必须大于30uF。
5.6 SNSP/SNSN电流采样信号线
电池电流采样信号（SNSP、SNSN）需要走差分线，SNSP/SNSN取自采样电阻R
SENSE
（默认20 mΩ）的焊盘处，避开周围可能对其产生干扰的走线，并且在此信号走线区
域禁止铺铜，即SNSN虽与GND网络相连，但不可与GND铺铜合并(如果没有从采样电
阻焊盘处直接出线，会导致RK818采样的电流值不准)。
12
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
(此处从20mΩ采样电阻焊盘处直接出线，并且加入了禁止铺铜区，使SNSN信号线与
GND铺铜分离，正确。)
红色高亮为SNSP、SNSN
13
RK818 应用指南
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5.7 SNSP/SNS滤波电容
SNSP（Pin58）、SNSN（Pin57）之间的1nF旁路电容须紧贴芯片引脚，
图3-4。
14
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
5.8 32.768KHz
RTC晶体在layout的时候注意包地处理
因为RK818的RTC_CLK输出jitter受USB及Vsys电源纹波影响比较大，所以芯片的USB 、
MIDU及Vsys的引脚需要保持足够大的滤波电容。
5.9 各个GND引脚 直接连到ePAD
RK818的DCDC GND、LDO GDD及REF GND，都须通过芯片底部散热ePAD GND焊盘
就近接地。
15
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
5.10 充放电路径
下图是RK818的充放电电流路径，在这些电流路径上可能会出现超过3A的电流，
所以layout时请考虑大电流走线。
如下图：Vbat与Vsys需要打足够多的过孔，及足够宽的走线。
16
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
附录
6 RK818生产工艺参考
6.1 钢网要求
PAD PATCH为0.35mm 推荐钢网厚度为0.10±0.01mm 激光开孔，孔壁电解抛光。
6.2 开孔要求
IO P AD 宽度开孔 Max＝1:1 ; IO PAD 长度可内切 0.05mm 外扩 0.1mm。
开孔宽度可向内稍微缩小一点，防止相邻两焊盘焊接桥连。
65%，开孔方式推荐如下:
钢网接地焊盘开孔推荐按PCBA接地焊盘的面积比：不小于PCBA面积的45%不大于
钢网开孔
6.3 回流温度曲线设定推荐（依实际效果调整）
预热阶段温度曲线设定：此为升温过程，升温斜率在（1-3℃/秒）有铅工艺温度在
（110-130）℃，时间60-90秒；无铅工艺温度在（130-150）℃，时间90-120秒。
恒温阶段温度曲线设定：此为活化过程，有铅工艺温度在（130-170）℃，时间90-120
17
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
秒；无铅工艺温度在（150-190）℃，时间90-120秒。
回流阶段温度曲线设定：此为熔焊过程，有铅工艺温度在（200-235）℃，时间30-60
秒；无铅工艺温度在（220-245）℃，时间60-90秒。
冷却阶段温度曲线设定：冷却斜率在（2-3）℃/秒，不建议过快冷却。
6.4 易发生的焊接不良因素
1) 芯片 GND PAD 钢网开孔面积大于 80%以上，容易出现虚焊，空焊等。
2) 印刷锡膏偏移 25%以上易出现连锡短路。
3) 炉温设置不当易导致虚焊，汽泡等。
4) 贴片机 TECH 元件坐标不准，导致元件偏位易出现短路或虚焊等。
6.5 返修指南
返修前建议PCBA部分烘烤4小时，温度（110-120）℃，以去除PCB和元件的潮气。
使用BGA返修工作台取下元件的温度曲线可参考回流温度曲线，回流时间可相对减
少。焊接前应将PCBA IO和元件IO焊盘均匀上锡，PCBA和元件接地焊盘须用吸锡线
拖平整（否则会因锡量过多元件被顶起导致虚焊）以上完成后，在PCBA处均匀涂上新
的助焊剂，将元件放至PCBA处准确对齐，然后只要保证完成回流焊接即可。
手工返修时热气枪的温度设置为360℃左右，吹焊时应匀速转动风枪使元件受热均
匀，避免风口固定对准元件某一部位，元件受热时间不应过长（控制在50秒内），以
免高温损坏。
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2024年6月6日发(作者：施妙芙)
RK818应用指南
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密级状态：绝密( ) 秘密( ) 内部( ) 公开( √ )
RK818 应用指南
当前版本：
编 制：
修 改：
审 核：
批 准：
发布时间：
V1.2
XD
LinTao
HCH，ZX，ZDZ
HQP
2015/5/26
福州瑞芯微电子有限公司
Fuzhou Rockchips Semiconductor Co . , Ltd
(版本所有,翻版必究)
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
文档更新记录
版本号
V1.0
V1.1
修改人
XD
XD
修改日期
2015/3/26
2015/4/23
修改说明
初版
增加保护用TVS二极管相关描
述
V1.2 LinTao 2015/5/21增加更多说明
更名为RK818 应用指南
备注
P．5
RK818 应用指南
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目 录
1
2
3
简介............................................................................................................................................................. 3
丝印............................................................................................................................................................. 3
默认电压及开机序列 ................................................................................................................................. 4
3.1
3.2
3.3
4
RK818-1
OTP预设电压及开机序列 .................................................................................................. 4
RK818-2
OTP预设电压及开机序列 .................................................................................................. 4
预设电压选择脚（BOOT0、BOOT1） ................................................................................................. 4
DCDC、LDO LAYOUT指南 .................................................................................................................. 5
4.1
DCDC通用L
AYOUT
规则 ........................................................................................................................ 5
4.1.1
4.1.2
4.1.3
输入电容靠近芯片引脚，电流与过孔数量要匹配
................................................................. 5
芯片到电感要用敷铜连接以增加走线面积
............................................................................. 7
主输出电容靠近电感，过孔数量与电流要匹配
..................................................................... 7
4.1.4
DCDC的FB走法
............................................................................................................................. 8
4.2
5
LDO
L
AYOUT
规则 .................................................................................................................................. 9
RK818其它LAYOUT要求 ................................................................................................................... 10
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
5.7
5.8
5.9
5.10
完整的地平面................................................................................................................................... 10
足够多的地过孔连接
E
PAD .............................................................................................................. 10
TVS管 ............................................................................................................................................... 10
SW5与SW6电感距离必须保证1.5
MM
以上 ...................................................................................... 11
B
OOST
输出电容要大于30
U
F ............................................................................................................. 12
SNSP/SNSN电流采样信号线............................................................................................................ 12
SNSP/SNS滤波电容.......................................................................................................................... 14
32.768KH
Z
........................................................................................................................................ 15
各个GND引脚
直接连到
E
15
充放电路径 .................................................................................................................................. 16
1
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6
RK818生产工艺参考 .............................................................................................................................. 17
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
钢网要求 .......................................................................................................................................... 17
开孔要求 .......................................................................................................................................... 17
回流温度曲线设定推荐（依实际效果调整） ............................................................................... 17
易发生的焊接不良因素................................................................................................................... 18
返修指南 .......................................................................................................................................... 18
2
RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
1 简介
RK818是一款高性能 PMIC，面向单节锂电池（包括锂离子电池及锂聚合物电池）
中需要多路输出的多核处理器应用，提供外围应用简单的完整电源解决方案。
RK818主要集成了单电池应用方案中常用的：充电管理、电池充放电路径管理、电
量计、大电流降压DCDC、5V升压、OTG输出、LDO及电子开关等。
RK818中的大电流BUCK采用2MHz的开关频率，可以采用更小体积的电感，并且集
成了所有功率开关管（不需要外部功率MOSFET、开关二极管等），使PCB更为简洁，
有利于降低系统成本。
在电源系统中优化PCB布局能够提供干净的电源输出，并且能够在减少EMI排放
方面节约相当的时间。本指南将在RK818芯片布局、布线的关键之处提供优化的设计。
2 丝印
第一行：logo：ROCKCHIPS
第二行：产品名称，“RK818-1”,“-1”用于区分不同的上电时序。
RK当前只有：RK818-1,RK818-2这两种丝印的芯片，后面会根据需求陆续添
加。
测试中的样子叫：“RK818”通常不带后缀。
第三行：ABCXXXXXX：生产编号。
DEFG为封装时间:DE表示年份，FG为周
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RK818 应用指南
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3 默认电压及开机序列
同一型号不同后缀的芯片，内部OTP烧写的默认输出电压及上电序列不同。
3.1 RK818-1 OTP预设电压及开机序列
当前用这个时序的芯片是：RK3288,RK3368
3.2 RK818-2 OTP预设电压及开机序列
当前用这个时序的芯片是:SoFia 3GR
3.3 预设电压选择脚（BOOT0、BOOT1）
RK818的BOOT0与BOOT1引脚，是用于选择预设电压及开机序列的，选择OTP预
设电压及上电时序开机时（RK818-1、RK818-2）BOOT1与BOOT0必须常接地，片内的
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另外三种序列开机（主要用于RK31XX系列芯片）的BOOT引脚接法请参考RK818
datasheet。
4 DCDC、LDO Layout指南
4.1 DCDC通用Layout规则
RK818共集成了4路buck，1路boost，1路charge，请尽量遵循DCDC的通用规则进
行layout：
1、输入输出电容尽量靠近芯片引脚或电感引脚，要有最短的回流路径。
2、跟据电流大小来分配合理的走线宽度。
3、两个DCDC的电感不要挨着放，如果要挨着放要采用闭磁材料的电感。
4、输入输出电容正负端都需要足够多的过孔。
4.1.1 输入电容靠近芯片引脚，电流与过孔数量要匹配
下图示例说明各DCDC主输入电容要靠近对应的引脚，换层过孔根据单个0402过孔最大走300mA
（0503,500mA）适当添加，（一般DCDC1,DCDC2输出3A/1.1V输入端就有1.2A/3.8V，至少要放
4个0402过孔）。电容与芯片引脚间用敷铜连接以增加走线面积。
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4.1.2 芯片到电感要用敷铜连接以增加走线面积
4.1.3 主输出电容靠近电感，过孔数量与电流要匹配
DCDC1、DCDC2（其它电源请参考这种做法）的输出能力可以达到4A以上，如果后端实际有需
求这么大电流，那么换层的过孔数量一定要与电流匹配(如下图用了9个0503过孔)，并且电容的
负极也要打相对应数量的过孔，否则起不到滤波效果。
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4.1.4 DCDC的FB走法
4.1.4.1 反馈信号要取自滤波电容的输出端，不能从电感端就近取。
4.1.4.2 FB信号的远端反馈接法
RK系统CPU与GPU通常都是走远端反馈，为了防止电压反馈信号意外开路使BUCK输出过高的
电压而损坏其他器件，需在输出端滤波电容旁就近放置一个100Ω电阻连接V
OUT
与V
FB
。
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BUCK电压反馈信号V
FB
的走线必须紧贴该路电源输出的铜皮，否则可能引起器件的不稳定甚至
振荡。
4.2 LDO Layout规则
一般保证输入输出脚有对应的电容，线宽及过孔满足电流需求即可（尽理按一般电源的规则，线
能粗尽量粗，过孔能打就尽量多打）。
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5 RK818其它Layout要求
5.1 完整的地平面
至少要有一个完整的GND层来确保良好的PI指标与可靠的散热能力。
5.2 足够多的地过孔连接ePAD
为了获取可靠的散热能力，芯片底部的ePAD焊盘需至少30个0503过孔连接到GND
层。
5.3 TVS管
RK818芯片Vbus端防过压TVS二极管必须良好接地，要有保证足够数量的过孔连
到主地。由于此位置需承受较大的瞬间电流，对地阻抗偏高可能会导致保护失效进而
10
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增加损坏RK818的风险。
该TVS二极管具体要求如下：
动作电压(Operating Supply Vltage)： 5.5V(大于5.25V,小于6V)
保护电流(PeakPulse Current）： 大于10A（tp=8/20uS)
钳位电压(Surge Clamping Voltage)： 小于6.5V
推荐型号： AZ5825-01F
5.4 SW5与SW6电感距离必须保证1.5mm以上
因SW5（Pin5）与SW6（Pin11/12）两只脚都工作在比较高的电压下，如果两个电
感靠太近会产生互感，互感的电压如果刚好叠加在电源上，会超出芯片耐压有损坏芯
片的可能。
11
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图3-1
5.5 Boost输出电容要大于30uF
BOOST（Pin6/7）输出滤波电容（Cboost）必须大于30uF。
5.6 SNSP/SNSN电流采样信号线
电池电流采样信号（SNSP、SNSN）需要走差分线，SNSP/SNSN取自采样电阻R
SENSE
（默认20 mΩ）的焊盘处，避开周围可能对其产生干扰的走线，并且在此信号走线区
域禁止铺铜，即SNSN虽与GND网络相连，但不可与GND铺铜合并(如果没有从采样电
阻焊盘处直接出线，会导致RK818采样的电流值不准)。
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(此处从20mΩ采样电阻焊盘处直接出线，并且加入了禁止铺铜区，使SNSN信号线与
GND铺铜分离，正确。)
红色高亮为SNSP、SNSN
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5.7 SNSP/SNS滤波电容
SNSP（Pin58）、SNSN（Pin57）之间的1nF旁路电容须紧贴芯片引脚，
图3-4。
14
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5.8 32.768KHz
RTC晶体在layout的时候注意包地处理
因为RK818的RTC_CLK输出jitter受USB及Vsys电源纹波影响比较大，所以芯片的USB 、
MIDU及Vsys的引脚需要保持足够大的滤波电容。
5.9 各个GND引脚 直接连到ePAD
RK818的DCDC GND、LDO GDD及REF GND，都须通过芯片底部散热ePAD GND焊盘
就近接地。
15
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5.10 充放电路径
下图是RK818的充放电电流路径，在这些电流路径上可能会出现超过3A的电流，
所以layout时请考虑大电流走线。
如下图：Vbat与Vsys需要打足够多的过孔，及足够宽的走线。
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附录
6 RK818生产工艺参考
6.1 钢网要求
PAD PATCH为0.35mm 推荐钢网厚度为0.10±0.01mm 激光开孔，孔壁电解抛光。
6.2 开孔要求
IO P AD 宽度开孔 Max＝1:1 ; IO PAD 长度可内切 0.05mm 外扩 0.1mm。
开孔宽度可向内稍微缩小一点，防止相邻两焊盘焊接桥连。
65%，开孔方式推荐如下:
钢网接地焊盘开孔推荐按PCBA接地焊盘的面积比：不小于PCBA面积的45%不大于
钢网开孔
6.3 回流温度曲线设定推荐（依实际效果调整）
预热阶段温度曲线设定：此为升温过程，升温斜率在（1-3℃/秒）有铅工艺温度在
（110-130）℃，时间60-90秒；无铅工艺温度在（130-150）℃，时间90-120秒。
恒温阶段温度曲线设定：此为活化过程，有铅工艺温度在（130-170）℃，时间90-120
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RK818 应用指南
福州瑞芯微电子有限公司
秒；无铅工艺温度在（150-190）℃，时间90-120秒。
回流阶段温度曲线设定：此为熔焊过程，有铅工艺温度在（200-235）℃，时间30-60
秒；无铅工艺温度在（220-245）℃，时间60-90秒。
冷却阶段温度曲线设定：冷却斜率在（2-3）℃/秒，不建议过快冷却。
6.4 易发生的焊接不良因素
1) 芯片 GND PAD 钢网开孔面积大于 80%以上，容易出现虚焊，空焊等。
2) 印刷锡膏偏移 25%以上易出现连锡短路。
3) 炉温设置不当易导致虚焊，汽泡等。
4) 贴片机 TECH 元件坐标不准，导致元件偏位易出现短路或虚焊等。
6.5 返修指南
返修前建议PCBA部分烘烤4小时，温度（110-120）℃，以去除PCB和元件的潮气。
使用BGA返修工作台取下元件的温度曲线可参考回流温度曲线，回流时间可相对减
少。焊接前应将PCBA IO和元件IO焊盘均匀上锡，PCBA和元件接地焊盘须用吸锡线
拖平整（否则会因锡量过多元件被顶起导致虚焊）以上完成后，在PCBA处均匀涂上新
的助焊剂，将元件放至PCBA处准确对齐，然后只要保证完成回流焊接即可。
手工返修时热气枪的温度设置为360℃左右，吹焊时应匀速转动风枪使元件受热均
匀，避免风口固定对准元件某一部位，元件受热时间不应过长（控制在50秒内），以
免高温损坏。
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