2024年7月14日发(作者：倪暮芸)
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
FS2300M
SOT-2320VNChannelEnhancement沟道增强型
MOSFieldEffectTransistor场效应管
▉
AbsoluteMaximumRatings最大额定值
Symbol
符号
BV
DSS
V
GS
I
D
（atT
A
=25°C）
I
DM
P
D
(atT
A
=25°C)
R
Θ
JA
T
J
,
T
stg
Rat
额定值
20
+10
6.8
27
1250
100
-55~150
Unit
单位
V
V
A
A
mW
℃
/W
℃
Characteristic
特性参数
Drain-SourceVoltage漏极-源极电压
Gate-SourceVoltage
栅极
-
源极电压
DrainCurrent(continuous)漏极电流-连续
DrainCurrent(pulsed)
漏极电流
-
脉冲
TotalDeviceDissipation总耗散功率
ThermalResistanceJunction-Ambient热阻
Junction/StorageTemperature结温/储存温度
▉
DeviceMarking产品字标
FS2300M=2300
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
FS2300M
▉
ElectricalCharacteristics
电特性
Symbol
符号
BV
DSS
V
GS
(th)
I
DSS
I
GSS
Min
最小值
20
0.45
—
—
Type
典型值
—
0.62
—
—
13.5
17
22
—
888
133
117
11
2
3
7
46
30
52
Max
最大值
—
1.0
1
+100
18
22
39
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Unit
单位
V
V
u
A
n
A
(T
A
=25℃unlessotherwisenoted如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic
特性参数
Drain-SourceBreakdownVoltage
漏极-源极击穿电压(I
D
=250uA,V
GS
=0V)
GateThresholdVoltage
栅极开启电压(I
D
=250uA,V
GS
=V
DS
)
ZeroGateVoltageDrainCurrent
零栅压漏极电流(V
GS
=0V,V
DS
=20V)
GateBodyLeakage
栅极漏电流
(V
GS
=+10V,V
DS
=0V)
StaticDrain-SourceOn-StateResistance
静态漏源导通电阻
(I
D
=6.8A,V
GS
=4.5V)
(I
D
=3A,V
GS
=2.5V)
(I
D
=2.5A,V
GS
=1.8V)
DiodeForwardVoltageDrop
内附二极管正向压降
(I
SD
=6.8A,V
GS
=0V)
InputCapacitance输入电容
(V
GS
=0V,V
DS
=10V,f=1MHz)
CommonSourceOutputCapacitance
共源输出电容
(V
GS
=0V,V
DS
=10V,f=1MHz)
ReverseTransferCapacitance
反馈电容
(V
GS
=0V,V
DS
=10V,f=1MHz)
TotalGateCharge栅极电荷密度
(V
DS
=10V,I
D
=6.8A,V
GS
=4.5V)
GateSourceCharge栅源电荷密度
(V
DS
=10V,I
D
=6.8A,V
GS
=4.5V)
GateDrainCharge栅漏电荷密度
(V
DS
=10V,I
D
=6.8A,V
GS
=4.5V)
Turn-ONDelayTime
开启延迟时间
(V
DS
=10VI
D
=6.8A,R
GEN
=3
Ω
,V
GS
=4.5V)
Turn-ONRiseTime
开启上升时间
(V
DS
=10VI
D
=6.8A,R
GEN
=3
Ω
,V
GS
=4.5V)
Turn-OFFDelayTime
关断延迟时间
(V
DS
=10VI
D
=6.8A,R
GEN
=3
Ω
,V
GS
=4.5V)
Turn-OFFFallTime
关断下降时间
(V
DS
=10VI
D
=6.8A,R
GEN
=3
Ω
,V
GS
=4.5V)
R
DS(ON)
—
mΩ
V
SD
C
ISS
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
2024年7月14日发(作者：倪暮芸)
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
FS2300M
SOT-2320VNChannelEnhancement沟道增强型
MOSFieldEffectTransistor场效应管
▉
AbsoluteMaximumRatings最大额定值
Symbol
符号
BV
DSS
V
GS
I
D
（atT
A
=25°C）
I
DM
P
D
(atT
A
=25°C)
R
Θ
JA
T
J
,
T
stg
Rat
额定值
20
+10
6.8
27
1250
100
-55~150
Unit
单位
V
V
A
A
mW
℃
/W
℃
Characteristic
特性参数
Drain-SourceVoltage漏极-源极电压
Gate-SourceVoltage
栅极
-
源极电压
DrainCurrent(continuous)漏极电流-连续
DrainCurrent(pulsed)
漏极电流
-
脉冲
TotalDeviceDissipation总耗散功率
ThermalResistanceJunction-Ambient热阻
Junction/StorageTemperature结温/储存温度
▉
DeviceMarking产品字标
FS2300M=2300
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
FS2300M
▉
ElectricalCharacteristics
电特性
Symbol
符号
BV
DSS
V
GS
(th)
I
DSS
I
GSS
Min
最小值
20
0.45
—
—
Type
典型值
—
0.62
—
—
13.5
17
22
—
888
133
117
11
2
3
7
46
30
52
Max
最大值
—
1.0
1
+100
18
22
39
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Unit
单位
V
V
u
A
n
A
(T
A
=25℃unlessotherwisenoted如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic
特性参数
Drain-SourceBreakdownVoltage
漏极-源极击穿电压(I
D
=250uA,V
GS
=0V)
GateThresholdVoltage
栅极开启电压(I
D
=250uA,V
GS
=V
DS
)
ZeroGateVoltageDrainCurrent
零栅压漏极电流(V
GS
=0V,V
DS
=20V)
GateBodyLeakage
栅极漏电流
(V
GS
=+10V,V
DS
=0V)
StaticDrain-SourceOn-StateResistance
静态漏源导通电阻
(I
D
=6.8A,V
GS
=4.5V)
(I
D
=3A,V
GS
=2.5V)
(I
D
=2.5A,V
GS
=1.8V)
DiodeForwardVoltageDrop
内附二极管正向压降
(I
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=6.8A,V
GS
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InputCapacitance输入电容
(V
GS
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=10V,f=1MHz)
CommonSourceOutputCapacitance
共源输出电容
(V
GS
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=10V,f=1MHz)
ReverseTransferCapacitance
反馈电容
(V
GS
=0V,V
DS
=10V,f=1MHz)
TotalGateCharge栅极电荷密度
(V
DS
=10V,I
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=6.8A,V
GS
=4.5V)
GateSourceCharge栅源电荷密度
(V
DS
=10V,I
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=6.8A,V
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=4.5V)
GateDrainCharge栅漏电荷密度
(V
DS
=10V,I
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=6.8A,V
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=4.5V)
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开启延迟时间
(V
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开启上升时间
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,V
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Turn-OFFDelayTime
关断延迟时间
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DS
=10VI
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关断下降时间
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—
mΩ
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Q
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