2024年7月18日发(作者：局振宇)
单电源/双电源高压隔离
IGBT栅极驱动器
ADuM4136
概述
ADuM4136是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动绝
缘栅极双极性晶体管(IGBT)进行了优化。ADI公司的
iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。
输出侧可以由单电源或双电源供电，需要时支持负栅极
驱动。
ADI公司芯片级变压器还提供芯片高压侧与低压侧之间的
控制信息隔离通信。芯片状态信息可从专用输出读取。当
器件副边出现故障时，可以在原边对复位操作进行控制。
去饱和检测电路集成在ADuM4136上，提供高压下IGBT的
短路工作保护。去饱和保护包含降低噪声干扰的功能，比
如在开关动作之后提供312 ns(典型值)的屏蔽时间，用来屏
蔽初始导通时产生的电压尖峰。内部537 µA(典型值)电流源
有助于降低整体器件数量；如需提高抗噪水平，内部消隐
开关也支持使用外部电流源。
考虑到IGBT通用阈值水平，副边UVLO设置为12 V。
产品特性
4 A峰值驱动输出能力
输出功率器件电阻：<1 Ω
去饱和保护
隔离故障输出
故障时软关断
隔离故障和就绪功能
低传播延迟：55 ns(典型值)
最小脉冲宽度：50 ns
工作温度范围：–40°C至+125°C
输出电压范围至35 V
输入电压范围：2.5 V至6 V
输出和输入欠压闭锁(UVLO)
爬电距离：7.8 mm(最小值)
共模瞬变抗扰度(CMTI)：100 kV/μs(最小值)
600 V rms或1092 V直流工作电压时寿命可达20年
安全和法规认证(申请中)
1分钟5 kV AC，符合UL 1577
CSA元件验收通知5A
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
V
IORM
= 849 V 峰值(基本)
应用
MOSFET/IGBT栅极驱动器
光伏(PV)逆变器
电机驱动
电源
功能框图
ADuM4136
UVLOUVLO
2
16
GND
2
V
I
+
1
V
I
–
2
V
DD1
3
V
SS1
4
1
9V
2
15
V
SS2
14
DESAT
13
V
DD2
RESET
5
1
MASTER
LOGIC
PRIMARY
ENCODEDECODE
MASTER
LOGIC
SECONDARY
2
12
V
DD2
FAULT
6
DECODE
READY
7
1
2
2
ENCODE
11
V
OUT
10
V
SS2
V
SS1
8
1
1
TSD
2
9
V
SS2
NOTES
1. GROUNDS ON PRIMARY AND SECONDARY SIDE ARE ISOLATED FROM EACH OTHER.
1
3
5
7
5
-
0
0
1
图1.
Rev. 0
Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no
responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other
rights of third parties that may result from its use. Speci
2024年7月18日发(作者：局振宇)
单电源/双电源高压隔离
IGBT栅极驱动器
ADuM4136
概述
ADuM4136是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动绝
缘栅极双极性晶体管(IGBT)进行了优化。ADI公司的
iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。
输出侧可以由单电源或双电源供电，需要时支持负栅极
驱动。
ADI公司芯片级变压器还提供芯片高压侧与低压侧之间的
控制信息隔离通信。芯片状态信息可从专用输出读取。当
器件副边出现故障时，可以在原边对复位操作进行控制。
去饱和检测电路集成在ADuM4136上，提供高压下IGBT的
短路工作保护。去饱和保护包含降低噪声干扰的功能，比
如在开关动作之后提供312 ns(典型值)的屏蔽时间，用来屏
蔽初始导通时产生的电压尖峰。内部537 µA(典型值)电流源
有助于降低整体器件数量；如需提高抗噪水平，内部消隐
开关也支持使用外部电流源。
考虑到IGBT通用阈值水平，副边UVLO设置为12 V。
产品特性
4 A峰值驱动输出能力
输出功率器件电阻：<1 Ω
去饱和保护
隔离故障输出
故障时软关断
隔离故障和就绪功能
低传播延迟：55 ns(典型值)
最小脉冲宽度：50 ns
工作温度范围：–40°C至+125°C
输出电压范围至35 V
输入电压范围：2.5 V至6 V
输出和输入欠压闭锁(UVLO)
爬电距离：7.8 mm(最小值)
共模瞬变抗扰度(CMTI)：100 kV/μs(最小值)
600 V rms或1092 V直流工作电压时寿命可达20年
安全和法规认证(申请中)
1分钟5 kV AC，符合UL 1577
CSA元件验收通知5A
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
V
IORM
= 849 V 峰值(基本)
应用
MOSFET/IGBT栅极驱动器
光伏(PV)逆变器
电机驱动
电源
功能框图
ADuM4136
UVLOUVLO
2
16
GND
2
V
I
+
1
V
I
–
2
V
DD1
3
V
SS1
4
1
9V
2
15
V
SS2
14
DESAT
13
V
DD2
RESET
5
1
MASTER
LOGIC
PRIMARY
ENCODEDECODE
MASTER
LOGIC
SECONDARY
2
12
V
DD2
FAULT
6
DECODE
READY
7
1
2
2
ENCODE
11
V
OUT
10
V
SS2
V
SS1
8
1
1
TSD
2
9
V
SS2
NOTES
1. GROUNDS ON PRIMARY AND SECONDARY SIDE ARE ISOLATED FROM EACH OTHER.
1
3
5
7
5
-
0
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1
图1.
Rev. 0
Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no
responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other
rights of third parties that may result from its use. Speci