2024年3月14日发(作者：濮阳温茂)
H61BIOS设置详解
微星H61主板的BIOS虽然没有图形也是UEFI BIOS。UEFI BIOS可以做成图形的，也
可以做成纯文字的。UEFI与传统BIOS的建议分辨是看是否支持鼠标。传统BIOS不支持
鼠标。
H61主板BIOS设置常识
一、主菜单
该菜单显示基本硬件配置和设置日期时间。
二、高级设置菜单
该菜单设置主板的I/O设备和电源管理。
1、PCI子系统设置
1-1、PCI延迟时间
设置PCI延迟时间。延迟时间以PCI总线时钟为单位。比如第一个设置就是延迟32个PCI
总线时钟。英特尔在6系列芯片组取消了PCI总线。当前主板上的PCI是第3方芯片从
PCIE转接的。如果有些PCI卡响应慢，系统检测不到，可以增加延迟时间。
2、ACPI设置
2-1、ACPI待机状态
ACPI待机状态有S1和S3。S1是只关闭显示，S3是只保持内存有+5V SB供电，其余
都停止供电。都默认是S3，
2-2、电源指示灯状态
2种状态，闪烁和双色。电源指示灯状态设置要与机箱的只是等配置有关。并请参看说明书
有关指示灯的连接。
3、整合外围设备
3-1、板载网卡
开启/关闭板载网卡。默认是开启。
3-2、网卡ROM
开启/关闭网卡启动ROM。这项是设置网卡启动的。开启，就是从网卡ROM启动。一般无
盘网要设置为开启。
3-3、SATA配置
这是H61的SATA配置。有IDE和AHCI 2种模式。默认是IDE。当配置为AHCI时，
弹出热插拔设置菜单。
开起/关闭热插拔，默认是关闭的。硬盘设置为热插拔后，这个SATA接口就可以连接eSATA
移动硬盘，可以在开机是插拔。
3-4、声卡配置
开启/关闭板载HD音频解码器，默认是开启。
3-5、HPET配置
开启/关闭HPET，默认是开启。HPET的英文全称是High Precision Event Timer（高精
度事件定时器）。HPET是Intel制定的用以代替传统的8254（PIT）中断定时器与RTC
定时器的新定时器。这是一个安全的选项，即使你的硬件不支持HPET也不会造成问题，
因为它会自动用8254替换。
4、整合图形设备
4-1、内部图形卡
设置项有IGD/PEG，默认是PEG。这是设置开机时从那个显卡显示。IGD是内部整合显
卡。PEG就是独立显卡。
小常识：
[IGD]是 内置显卡，设为首选项时系统首先初始化IGD。
[PEG]是PCIE显卡，设为首选项时系统首先初始化PEG。
[PCI]是PCI显卡，设为首选项时系统首先初始化PCI。
4-2、内置显卡共享内存
设置内置显卡共享内存的容量，设置项有32M/64M/128M。这里设置的是静态共享显存。
实际上英特尔的IGD还有动态共享显存，动态共享显存很大。
4-3、IGD双显设置
这是设置内置显卡使用双显示器设置。设置项有开启/关闭。默认是关闭。
5、USB配置
5-1、USB控制器
开启/关闭USB控制器，默认是开启。
5-2、传统USB支持
开启/关闭传统USB支持，默认是开启。传统USB就是USB1.0时代的USB设备。
5-3、板载USB3.0控制器
开启/关闭板载USB3.0控制器，默认是开启。如果主板上有第三方的USB3.0控制器，就
会有这个选项。
5-4、USB3.0传统模式支持
开启/关闭USB3.0传统模式支持，默认是开启。这里的传统模式就是USB2.0，开启就是
兼容USB2.0设备。
6、超级I/O配置
6-1、超级I/O配置菜单
超级I/O芯片是F71869。
6-2、串口配置
开启/关闭串口，默认是开启。
6-2-1、设置串口I/O地址和中断号
设置项有自动和若干IO地址、中断号。这些选择是避免地址、中断冲突。如果遇到串口地
址、中断与其他设备冲突，就要在这里换一个试试。
6-3、并口配置
开启/关闭并口，默认是开启。
6-3-1、设置并口I/O地址和中断号
设置项有自动和若干IO地址、中断号。这些选择是避免地址、中断冲突。如果遇到并口地
址、中断与其他设备冲突，就要在这里换一个试试。
6-3-2、设备模式
并口设备有若干模式，连接并口设备后，要根据设备的模式在这里选择与设备匹配的模式。
7、硬件监控
7-1、监控页面
7-2、CPU智能风扇设置
默认是关闭的。开启CPU智能风扇首先要设置目标温度。目标温度就是CPU的温度，从
40到70度，设置时选定一个温度，就是说CPU在达到这个温度前风扇是低速转，达到这
个温度后风扇加速。
7-2-1、设置风扇最小转速
设定温度目标后，弹出风扇最小转速设置，这里的转速是按风扇的实际转速百分比设置的。
因为各种风扇的实际转速是不一样，不能按转速设置，只能按百分比设置。
7-3、系统风扇控制
这里是控制系统风扇的转速，有三档，百分之50、75、100。
系统风扇1和2设置方法相同。
8、电源管理设置
8-1、EUP2013设置
开启/关闭EUP2013，默认是开启。EUP2013是欧盟新的节能标准，要求电脑在待机状态
时，功耗降低到欧盟的要求。开启EUP2013可能导致开机加电时间略微延迟。
8-2、AC掉电恢复后状态
有三种状态：关机/开机/掉电前状态，默认是关机。市电有时会掉电，这项设置就是应对市
电掉点后再来电电脑是开机，还是关机，或者保持掉电前的状态。
8-3、CPU供电相管理
CPU供电一般是多相的脉宽调制（PWM）方式，当CPU空闲时不需要大电流，可以关闭
多余的供电相，降低供电电路的自身耗电。
CPU供电相管理有三项设置，APS模式/Intel SVID模式/关闭，默认是Intel SVID模式。
APS模式（Active Phase Switching）也叫主动相变换模式，是微星的动态相位切换功能，
其原理是依据CPU的负载调控PWM供电的相数。
Intel SVID模式（Serial Voltage Identification）是英特尔VRD12供电规格采用的串
行电压识别。英特尔的EIST就是依据SVID总线侦测CPU电压。依据CPU电压来调控
PWM供电的相数。
关闭：关闭CPU供电相切换功能，
9、唤醒事件设置
9-1、唤醒事件管理
设置唤醒事件由BIOS管理/OS管理。BIOS管理就需要做下面的设置。OS管理就要到
OS里设置。
9-2、时钟唤醒
开启/关闭时钟唤醒，默认是关闭。开启后弹出时间设置菜单。
设置时分秒。
9-3、PIC/PCIE设备唤醒
开启/关闭PIC/PCIE设备唤醒，默认是关闭。
9-4、USB设备唤醒
开启/关闭USB设备唤醒，默认是关闭。
9-5、PS2鼠标唤醒
开启/关闭PS2鼠标唤醒，默认是关闭。
9-6、PS2键盘唤醒
PS2键盘唤醒有3项设置关闭/任何一键/热键。
如果设置热键唤醒，弹出热键设置菜单。
9-6-1、热键设置
热键有Ctrl+Esc/Ctrl+F1/Ctrl+Space。
三、超频菜单
该菜单主要设置CPU、GPU、DRAM的频率、电压。
3-1、调整CPU倍率
回车弹出倍率选择菜单，可以从中选择。H61不支持CPU超频，倍频菜单最高倍率是CPU
默认的倍率。
3-2、超内部PLL电压
设置项有Auto/关闭/开启，默认是自动。这是自动提升CPU时钟信号电压。对K字CPU
超频很有帮助。但是在H61主板BIOS中出现，没有用处了。
3-3、EIST设置
开启/关闭EIST，默认开启。EIST全称为“Enhanced Intel Speed Step Technology”，
是Intel公司专门为移动平台和服务器平台处理器开发的一种节电技术。到后来，新推出的
桌面处理器也内置了该项技术。EIST是根据处理器负载来调节主频和电压的模块，它的触
发机制同C1E halt state是不同的。操作系统、BIOS的支持是必需的，操作系统通过ACPI
进行调节。EIST提供了更多的CPU频率和电压调节级别，因此可以比C1E halt更加精确
的调节处理器的状态。
3-4、Turbo Boost设置
开启/关闭Turbo Boost，默认开启。英特尔第2代睿频技术。CPU可以根据负载启用核
心数量，并自动超频。单核工作时频率可提高20%。
3-5、OC Genie按钮
开启/关闭 OC Genie按钮，默认是关闭。这是一键超频功能，在H61主板上没有作用。
3-6、内存频率设置
回车弹出频率选择菜单。H61也不支持内存超频，默认的频率最高是1333MHz。
3-7、XMP设置
开启/关闭XMP，默认是关闭。XMP在H61主板上也不起作用。
3-8、DRAM时序模式
这里的设置有Auto/Link/Unlink，Auto就是按内存的SPD参数自动设置，Link/Unlink
是手动设置，Link是双通道用同一个时序设置，Unlink是2个通道分开设置时序。当设置
了Link/Unlink后，下面的Advanced DRAM Configuration变为可操作的，以便于手动
设置内存时序。
3-9、内存时序设置
3-9-1、第一梯队的六个参数
这6个参数是最重要的，可以在CPU-Z里面看到。其中CL、RCD、RP是JEDEC标准排
名前三的重要参数。
Command Rate：命令速率，也称之为CR，Command Mode。设置参数有1T/2T/3T。
这个选项是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。延迟时间以周期为单
位。1T当然比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一
般保持Auto设置即可，让BIOS自己去设置。
tCL：参数范围5-15T。CL就是CAS# Latency，列地址选通潜伏时间，指的是“内存读
写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因
为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参
数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
tRCD：参数范围4-15T。RCD就是RAS# to CAS# Delay，行地址到列地址的延迟时
间，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插
入延迟时钟周期。JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，
如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。
tRP：参数范围4-15T。RP就是Row# precharge Delay，内存行地址选通脉冲预充电
时间。也叫做“内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP
用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数大会导致所有的行激活
延迟过长，参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。该参数的大小取决于内存
颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器
不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定。
这3个参数是JEDEC规范中最重要的参数，参数值越低，内存读写操作越快，但稳定性下
降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。
tRAS：参数范围10-40T。RAS就是Row# active Delay，内存行地址选通延迟。即“内
存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小
就越好。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则
会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏
足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为
CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但
如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。
tRFC：参数范围48-200T。RFC就是Refresh Cycle Time，刷新周期时间。它是“SDRAM
行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的
另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比
tRC的值要稍高一些。
3-9-2、DRAM参数的第二梯队
tWR：参数范围5-16T。WR就是Write Recovery Time，写恢复延时。该值指的是在
一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的
时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低
的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预
充电操作，会导致数据的丢失及损坏。
tWTR：参数范围4-15T。WTR就是Write to Read Delay，写到读延时。这个参数设
定向DDR内存模块的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等
待的时钟周期。tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能，
但系统会不稳定。
tRRD：参数范围1-15T。RRD就是Row to Row Delay，行到行延迟。也称为RAS to RAS
delay ，表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次
发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。延迟越低，表示下一个
bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起
连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。
tRTP：参数范围4-15T。RTP就是DRAM READ to PRE Time，内部读取到预充电命令
时间。这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小，系统运
行很快，但不稳定。
tFAW：参数范围4-63T。FAW就是DRAM FOUR ACT WIN Time，内存四项动作成功
时间。该选项通常设置为Auto即可，对性能以及稳定性影响不大。
tWCL：参数范围5-15T。WCL就是Write CAS Latency，写指令到行地址控制器延时。
SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数
情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。这个参数和tCL（CAS-Latency）是
相对的，tCL是“读”的延迟，tWCL是“写”的延迟。
tCKE：参数范围3-15T。CKE是时钟有效信号（Clock Enable），在这里这个参数叫做
CKE Minimum Plus Width，就是CKE最小脉冲宽度。
tRTL：参数范围24-64T。RTL就是DRAM Round Trip Latency，在一个UCLK（NB
Clock）内往返读取若干单元之间的最小延迟。
3-9-4、第三梯队（高级通道1时序配置）
这个梯队是读写通道1内存的特殊参数。
tRRDR：Read-Read Different Rank，same DIMM。这个参数的含义是在同一个DIMM
（就是同一条内存）内，读取不同RANK的延迟。
tRRDD：Read-Read Different Rank。这个参数的含义是读取不同RANK的延迟（包
括了所有DIMM）。
tWWDR：Write-Write Different Rank，same DIMM。这个参数的含义是在同一个
DIMM（就是同一条内存）内，写不同RANK的延迟。
tWWDD：Write-Write Different Rank。这个参数的含义是写不同RANK的延迟（包
括了所有DIMM）。
tRWDRDD：Read-Write Different Ranks same or Different DIMM。这个参数的含
义是在同一内存条或不同内存条上读-写不同的RANK的延迟。
tWRDRDD：Write-Read Different Ranks same or Different DIMM。这个参数的含
义是在同一内存条或不同内存条上写-读不同的RANK的延迟。
tRWSR：Read-Write Same Rank。这个参数的含义是读-写同一个RANK的延迟。
3-9-5
JEDEC的DDR3时序表
10、集显超频
开启/关闭集显超频，默认是开启。
集显超频也是设置GPU的倍率。因为基频与CPU相同。可以键入数字，也可以用+/-键调
整倍频。
11、频展设置
开启/关闭频展，默认是开启。这项设置有利于超频稳定。
12、内存电压设置
Auto是内存条的默认电压。如果有因为内存兼容不良而蓝屏死机，可以适当提高高内存电
压。
13、CPU特征设置
13-1、CPU核心设置
设置CPU工作的核心。设置项随CPU的核心数而变化。
13-2、CPUID最大限制
开启/关闭CPUID最大限制，默认是关闭。这项设置的含义是限制执行CPUID指令返回
最大数值大。CPU ID 包括了用户计算机当今的信息处理器的信息。 信息包括型号，
信息处理器家庭，高速缓存尺寸，时钟速度和制造厂codename 等。 通过查询可以
知道一些信息：晶体管数，针脚类型，尺寸等。较新的 CPU 执行 CPUID 指令后因
返回最大数值可能会造成某些操作系统误动作。WINDOW不需要开启。
13-3、扩展禁止位
开启/关闭扩展禁止位，默认是开启。Execute Disable Bit是Intel在新一代处理器中引
入的一项功能，开启该功能后，可以防止病毒、蠕虫、木马等程序利用溢出、无限扩大等手
法去破坏系统内存并取得系统的控制权。其工作原理是：处理器在内存中划分出几块区域，
部分区域可执行应用程序代码，而另一些区域则不允许。当然，要实现处理器的“Execute
Disable Bit”功能，还需要操作系统的配合才行。现在Windows系统、Linux 9.2及Red
Hat Enterprise Linux 3 Update 3等均支持这一功能。
13-4、虚拟机设置
开启/关闭虚拟机，默认是关闭的。安装虚拟机时请开启。
13-5、I/O 虚拟分配技术设置
开启/关闭I/O 虚拟分配技术，默认是关闭。安装虚拟机时请开启。英特尔 VT-d
是英特尔虚拟化技术硬件架构的最新成员。VT-d 能够改进应用的兼容性和可靠
性，并提供更高水平的可管理性、安全性、隔离性和 I/O 性能，从而帮助 VMM 更
好地利用硬件。通过使用构建在英特尔芯片组内部的 VT-d 硬件辅助，VMM 能够
获得更出色的性能、可用性、可靠性、安全性和可信度。
13-6、电源技术设置
设置项有关闭（Disable）/能效（Energy Efficient）/自选（Custom），默认是自选。
13-7、C1E支持
开启/关闭C1E支持，默认关闭。C1E的全称是C1E enhanced halt stat，由操作系统
HLT命令触发，通过调节倍频降低处理器的主频，同时还可以降低电压。
13-8、超频保护
开启/关闭超频保护，默认是开启。
13-9、C-State
开启/关闭C-State，默认是开启。C-State是ACPI定义的处理器的电源状态。处理器电
源状态被设计为C0,C1,Cn。C0电源状态是活跃状态，即CPU执行指令。C1
到Cn都是处理器睡眠状态，即和C0状态相比，处理器消耗更少的能源并且释放更少
的热量。但在这睡眠状态下，处理器都有一个恢复到C0的唤醒时间，不同的C-State
要耗费不同的唤醒时间。
C-State与C1E的区别：C-State是ACPI控制的休眠机制，C1E是HLT指令控制的降
低CPU频率节能。C1E是C0状态下的节能。
13-10、Package C State Limit
这是设置C状态限制。如果限制到C0，C1E就不起作用，如果限制到C2，就不能进入C3
更节能的状态，默认是自动，超频时也可以设置为No Limit（不限制）。
13-11、功耗设置
Long Duration power limit（W）：长时间TDP限制（瓦）。从功耗角度设定TDP，设置
范围0-255W。想超频解开TDP限制就得靠它，设为200已经足够。
Long Duration maintained（ms）：长时间TDP限制（毫秒）。从时间角度设定TDP，
设置范围0-32000毫秒（32秒）。
Short Duration power limit（W）：短时间TDP限制（瓦）。从功耗角度设定短时间TDP，
设置范围0-255W。这是设置Turbo Boost可以在短时间内超出TDP限制，但是不能超
过这个功耗。
以上三项设置对于H61没有意义。
Primary Plane Turbo Power Limit（W）：第一平台Turbo功耗限制（瓦），设置范围
0-255W。这是集显作为主显的Turbo超频功耗限制。
Secondary Plane Turbo Power Limit（W）：第二平台Turbo功耗限制（瓦）设置范围
0-255W。这是集显作为副显的Turbo超频功耗限制。
四、M-Flash
M-Flash是微星独有的使用U盘保存BIOS副本，更新BIOS和从U盘里的BIOS启动等
三项功能总称。
4-1、从U BIOS启动
开启/关闭从U盘BIOS启动功能，默认是关闭。
如果要从U盘BIOS启动，请先把带有BIOS的U盘插入USB口，开机进入BIOS的
M-Flash选项。设置BIOS Boot Function为Enabled。
开启BIOS Boot Function后，Select one file to Boot（选择启动的BIOS文件）变为
可操作项，回车就弹出检测到的U盘。
回车就可以看到U盘里的BIOS文件，选择你要启动用的一个。
然后F10保存并重启，就可以从U盘BIOS启动了。如果不能启动则有2声提示音，反复
3次后出现提示文字。
可以敲Del进BIOS关闭从U盘BIOS启动功能。也可以清CMOS。
4-2、保存BIOS到U盘
在Save BIOS to Storage回车，就弹出检测到的U盘信息。回车弹出BIOS文件名。
再回车就开始保存。
4-3、用U盘的BIOS更新
在Select one file to Update BIOS处回车，弹出检测到的U盘。
回车弹出U盘的BIOS文件，供你选择更新用的BIOS文件。选定文件后回车就开始更新。
五、安全设置
上边2行显示密码设置状态，当前显示的是没有设置。
5-1、设置管理员密码
回车弹出密码输入框，在框内键入密码。
再输入一次验证。回车即可。
5-2、设置用户密码
回车弹出密码输入框，在框内键入密码。
再输入一次验证。回车即可。
5-3、机箱入侵设置
该项设置是防止开启机箱，需要有防开机箱配合。设置项有关闭/启用/复位，默认是关闭。
六、启动配置
6-1、全屏LOGO
开启/关闭全屏LOGO显示，默认是开启。
6-2、启动顺序
这里设置启动顺序。BIOS自动侦测连接在主板上的启动设备，侦测到的设备会把设备名称
型号等显示出来。比如Hard Disk：OCZ-VERTEX2。
6-2-1、用3TB硬盘安装系统
把WIN7 64安装盘放到光驱，开机进入BIOS设置，启动配置里会看到：
UEFI：ATAPI DVD D DH1805S
这项是用来从UEFI启动光盘，在3TB硬盘上安装系统。
6-2-2、BBS启动配置
启动设置里有若干项BBS的启动。这是当有2个以上的同类型设备，设置它们的启动顺序。
比如2个硬盘，可以通过BBS设置这2个硬盘的启动顺序。
七、保存和退出
Discard changes and Exit：放弃修改并退出
Save Changes and Exit：保存修改并退出
保存选项
Save Changes：保存修改
Discard changes：放弃修改
Restore Defaults：恢复默认值
跨越启动（Boot Override）
就是不管Boot的配置，直接从下面的设备启动。比如：
UEFI：ATAPI DVD D DH1805S
SATA：OCZ-VERTEX2
SATA：ATAPI DVD D DH1805S
上面的光驱启动有2个：UEFI和SATA。UEFI就是使用3TB硬盘装系统用的，SATA就
是普通硬盘装系统用的。
2024年3月14日发(作者：濮阳温茂)
H61BIOS设置详解
微星H61主板的BIOS虽然没有图形也是UEFI BIOS。UEFI BIOS可以做成图形的，也
可以做成纯文字的。UEFI与传统BIOS的建议分辨是看是否支持鼠标。传统BIOS不支持
鼠标。
H61主板BIOS设置常识
一、主菜单
该菜单显示基本硬件配置和设置日期时间。
二、高级设置菜单
该菜单设置主板的I/O设备和电源管理。
1、PCI子系统设置
1-1、PCI延迟时间
设置PCI延迟时间。延迟时间以PCI总线时钟为单位。比如第一个设置就是延迟32个PCI
总线时钟。英特尔在6系列芯片组取消了PCI总线。当前主板上的PCI是第3方芯片从
PCIE转接的。如果有些PCI卡响应慢，系统检测不到，可以增加延迟时间。
2、ACPI设置
2-1、ACPI待机状态
ACPI待机状态有S1和S3。S1是只关闭显示，S3是只保持内存有+5V SB供电，其余
都停止供电。都默认是S3，
2-2、电源指示灯状态
2种状态，闪烁和双色。电源指示灯状态设置要与机箱的只是等配置有关。并请参看说明书
有关指示灯的连接。
3、整合外围设备
3-1、板载网卡
开启/关闭板载网卡。默认是开启。
3-2、网卡ROM
开启/关闭网卡启动ROM。这项是设置网卡启动的。开启，就是从网卡ROM启动。一般无
盘网要设置为开启。
3-3、SATA配置
这是H61的SATA配置。有IDE和AHCI 2种模式。默认是IDE。当配置为AHCI时，
弹出热插拔设置菜单。
开起/关闭热插拔，默认是关闭的。硬盘设置为热插拔后，这个SATA接口就可以连接eSATA
移动硬盘，可以在开机是插拔。
3-4、声卡配置
开启/关闭板载HD音频解码器，默认是开启。
3-5、HPET配置
开启/关闭HPET，默认是开启。HPET的英文全称是High Precision Event Timer（高精
度事件定时器）。HPET是Intel制定的用以代替传统的8254（PIT）中断定时器与RTC
定时器的新定时器。这是一个安全的选项，即使你的硬件不支持HPET也不会造成问题，
因为它会自动用8254替换。
4、整合图形设备
4-1、内部图形卡
设置项有IGD/PEG，默认是PEG。这是设置开机时从那个显卡显示。IGD是内部整合显
卡。PEG就是独立显卡。
小常识：
[IGD]是 内置显卡，设为首选项时系统首先初始化IGD。
[PEG]是PCIE显卡，设为首选项时系统首先初始化PEG。
[PCI]是PCI显卡，设为首选项时系统首先初始化PCI。
4-2、内置显卡共享内存
设置内置显卡共享内存的容量，设置项有32M/64M/128M。这里设置的是静态共享显存。
实际上英特尔的IGD还有动态共享显存，动态共享显存很大。
4-3、IGD双显设置
这是设置内置显卡使用双显示器设置。设置项有开启/关闭。默认是关闭。
5、USB配置
5-1、USB控制器
开启/关闭USB控制器，默认是开启。
5-2、传统USB支持
开启/关闭传统USB支持，默认是开启。传统USB就是USB1.0时代的USB设备。
5-3、板载USB3.0控制器
开启/关闭板载USB3.0控制器，默认是开启。如果主板上有第三方的USB3.0控制器，就
会有这个选项。
5-4、USB3.0传统模式支持
开启/关闭USB3.0传统模式支持，默认是开启。这里的传统模式就是USB2.0，开启就是
兼容USB2.0设备。
6、超级I/O配置
6-1、超级I/O配置菜单
超级I/O芯片是F71869。
6-2、串口配置
开启/关闭串口，默认是开启。
6-2-1、设置串口I/O地址和中断号
设置项有自动和若干IO地址、中断号。这些选择是避免地址、中断冲突。如果遇到串口地
址、中断与其他设备冲突，就要在这里换一个试试。
6-3、并口配置
开启/关闭并口，默认是开启。
6-3-1、设置并口I/O地址和中断号
设置项有自动和若干IO地址、中断号。这些选择是避免地址、中断冲突。如果遇到并口地
址、中断与其他设备冲突，就要在这里换一个试试。
6-3-2、设备模式
并口设备有若干模式，连接并口设备后，要根据设备的模式在这里选择与设备匹配的模式。
7、硬件监控
7-1、监控页面
7-2、CPU智能风扇设置
默认是关闭的。开启CPU智能风扇首先要设置目标温度。目标温度就是CPU的温度，从
40到70度，设置时选定一个温度，就是说CPU在达到这个温度前风扇是低速转，达到这
个温度后风扇加速。
7-2-1、设置风扇最小转速
设定温度目标后，弹出风扇最小转速设置，这里的转速是按风扇的实际转速百分比设置的。
因为各种风扇的实际转速是不一样，不能按转速设置，只能按百分比设置。
7-3、系统风扇控制
这里是控制系统风扇的转速，有三档，百分之50、75、100。
系统风扇1和2设置方法相同。
8、电源管理设置
8-1、EUP2013设置
开启/关闭EUP2013，默认是开启。EUP2013是欧盟新的节能标准，要求电脑在待机状态
时，功耗降低到欧盟的要求。开启EUP2013可能导致开机加电时间略微延迟。
8-2、AC掉电恢复后状态
有三种状态：关机/开机/掉电前状态，默认是关机。市电有时会掉电，这项设置就是应对市
电掉点后再来电电脑是开机，还是关机，或者保持掉电前的状态。
8-3、CPU供电相管理
CPU供电一般是多相的脉宽调制（PWM）方式，当CPU空闲时不需要大电流，可以关闭
多余的供电相，降低供电电路的自身耗电。
CPU供电相管理有三项设置，APS模式/Intel SVID模式/关闭，默认是Intel SVID模式。
APS模式（Active Phase Switching）也叫主动相变换模式，是微星的动态相位切换功能，
其原理是依据CPU的负载调控PWM供电的相数。
Intel SVID模式（Serial Voltage Identification）是英特尔VRD12供电规格采用的串
行电压识别。英特尔的EIST就是依据SVID总线侦测CPU电压。依据CPU电压来调控
PWM供电的相数。
关闭：关闭CPU供电相切换功能，
9、唤醒事件设置
9-1、唤醒事件管理
设置唤醒事件由BIOS管理/OS管理。BIOS管理就需要做下面的设置。OS管理就要到
OS里设置。
9-2、时钟唤醒
开启/关闭时钟唤醒，默认是关闭。开启后弹出时间设置菜单。
设置时分秒。
9-3、PIC/PCIE设备唤醒
开启/关闭PIC/PCIE设备唤醒，默认是关闭。
9-4、USB设备唤醒
开启/关闭USB设备唤醒，默认是关闭。
9-5、PS2鼠标唤醒
开启/关闭PS2鼠标唤醒，默认是关闭。
9-6、PS2键盘唤醒
PS2键盘唤醒有3项设置关闭/任何一键/热键。
如果设置热键唤醒，弹出热键设置菜单。
9-6-1、热键设置
热键有Ctrl+Esc/Ctrl+F1/Ctrl+Space。
三、超频菜单
该菜单主要设置CPU、GPU、DRAM的频率、电压。
3-1、调整CPU倍率
回车弹出倍率选择菜单，可以从中选择。H61不支持CPU超频，倍频菜单最高倍率是CPU
默认的倍率。
3-2、超内部PLL电压
设置项有Auto/关闭/开启，默认是自动。这是自动提升CPU时钟信号电压。对K字CPU
超频很有帮助。但是在H61主板BIOS中出现，没有用处了。
3-3、EIST设置
开启/关闭EIST，默认开启。EIST全称为“Enhanced Intel Speed Step Technology”，
是Intel公司专门为移动平台和服务器平台处理器开发的一种节电技术。到后来，新推出的
桌面处理器也内置了该项技术。EIST是根据处理器负载来调节主频和电压的模块，它的触
发机制同C1E halt state是不同的。操作系统、BIOS的支持是必需的，操作系统通过ACPI
进行调节。EIST提供了更多的CPU频率和电压调节级别，因此可以比C1E halt更加精确
的调节处理器的状态。
3-4、Turbo Boost设置
开启/关闭Turbo Boost，默认开启。英特尔第2代睿频技术。CPU可以根据负载启用核
心数量，并自动超频。单核工作时频率可提高20%。
3-5、OC Genie按钮
开启/关闭 OC Genie按钮，默认是关闭。这是一键超频功能，在H61主板上没有作用。
3-6、内存频率设置
回车弹出频率选择菜单。H61也不支持内存超频，默认的频率最高是1333MHz。
3-7、XMP设置
开启/关闭XMP，默认是关闭。XMP在H61主板上也不起作用。
3-8、DRAM时序模式
这里的设置有Auto/Link/Unlink，Auto就是按内存的SPD参数自动设置，Link/Unlink
是手动设置，Link是双通道用同一个时序设置，Unlink是2个通道分开设置时序。当设置
了Link/Unlink后，下面的Advanced DRAM Configuration变为可操作的，以便于手动
设置内存时序。
3-9、内存时序设置
3-9-1、第一梯队的六个参数
这6个参数是最重要的，可以在CPU-Z里面看到。其中CL、RCD、RP是JEDEC标准排
名前三的重要参数。
Command Rate：命令速率，也称之为CR，Command Mode。设置参数有1T/2T/3T。
这个选项是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。延迟时间以周期为单
位。1T当然比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一
般保持Auto设置即可，让BIOS自己去设置。
tCL：参数范围5-15T。CL就是CAS# Latency，列地址选通潜伏时间，指的是“内存读
写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因
为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参
数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
tRCD：参数范围4-15T。RCD就是RAS# to CAS# Delay，行地址到列地址的延迟时
间，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插
入延迟时钟周期。JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，
如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。
tRP：参数范围4-15T。RP就是Row# precharge Delay，内存行地址选通脉冲预充电
时间。也叫做“内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP
用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数大会导致所有的行激活
延迟过长，参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。该参数的大小取决于内存
颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器
不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定。
这3个参数是JEDEC规范中最重要的参数，参数值越低，内存读写操作越快，但稳定性下
降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。
tRAS：参数范围10-40T。RAS就是Row# active Delay，内存行地址选通延迟。即“内
存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小
就越好。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则
会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏
足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为
CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但
如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。
tRFC：参数范围48-200T。RFC就是Refresh Cycle Time，刷新周期时间。它是“SDRAM
行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的
另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比
tRC的值要稍高一些。
3-9-2、DRAM参数的第二梯队
tWR：参数范围5-16T。WR就是Write Recovery Time，写恢复延时。该值指的是在
一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的
时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低
的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预
充电操作，会导致数据的丢失及损坏。
tWTR：参数范围4-15T。WTR就是Write to Read Delay，写到读延时。这个参数设
定向DDR内存模块的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等
待的时钟周期。tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能，
但系统会不稳定。
tRRD：参数范围1-15T。RRD就是Row to Row Delay，行到行延迟。也称为RAS to RAS
delay ，表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次
发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。延迟越低，表示下一个
bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起
连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。
tRTP：参数范围4-15T。RTP就是DRAM READ to PRE Time，内部读取到预充电命令
时间。这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小，系统运
行很快，但不稳定。
tFAW：参数范围4-63T。FAW就是DRAM FOUR ACT WIN Time，内存四项动作成功
时间。该选项通常设置为Auto即可，对性能以及稳定性影响不大。
tWCL：参数范围5-15T。WCL就是Write CAS Latency，写指令到行地址控制器延时。
SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数
情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。这个参数和tCL（CAS-Latency）是
相对的，tCL是“读”的延迟，tWCL是“写”的延迟。
tCKE：参数范围3-15T。CKE是时钟有效信号（Clock Enable），在这里这个参数叫做
CKE Minimum Plus Width，就是CKE最小脉冲宽度。
tRTL：参数范围24-64T。RTL就是DRAM Round Trip Latency，在一个UCLK（NB
Clock）内往返读取若干单元之间的最小延迟。
3-9-4、第三梯队（高级通道1时序配置）
这个梯队是读写通道1内存的特殊参数。
tRRDR：Read-Read Different Rank，same DIMM。这个参数的含义是在同一个DIMM
（就是同一条内存）内，读取不同RANK的延迟。
tRRDD：Read-Read Different Rank。这个参数的含义是读取不同RANK的延迟（包
括了所有DIMM）。
tWWDR：Write-Write Different Rank，same DIMM。这个参数的含义是在同一个
DIMM（就是同一条内存）内，写不同RANK的延迟。
tWWDD：Write-Write Different Rank。这个参数的含义是写不同RANK的延迟（包
括了所有DIMM）。
tRWDRDD：Read-Write Different Ranks same or Different DIMM。这个参数的含
义是在同一内存条或不同内存条上读-写不同的RANK的延迟。
tWRDRDD：Write-Read Different Ranks same or Different DIMM。这个参数的含
义是在同一内存条或不同内存条上写-读不同的RANK的延迟。
tRWSR：Read-Write Same Rank。这个参数的含义是读-写同一个RANK的延迟。
3-9-5
JEDEC的DDR3时序表
10、集显超频
开启/关闭集显超频，默认是开启。
集显超频也是设置GPU的倍率。因为基频与CPU相同。可以键入数字，也可以用+/-键调
整倍频。
11、频展设置
开启/关闭频展，默认是开启。这项设置有利于超频稳定。
12、内存电压设置
Auto是内存条的默认电压。如果有因为内存兼容不良而蓝屏死机，可以适当提高高内存电
压。
13、CPU特征设置
13-1、CPU核心设置
设置CPU工作的核心。设置项随CPU的核心数而变化。
13-2、CPUID最大限制
开启/关闭CPUID最大限制，默认是关闭。这项设置的含义是限制执行CPUID指令返回
最大数值大。CPU ID 包括了用户计算机当今的信息处理器的信息。 信息包括型号，
信息处理器家庭，高速缓存尺寸，时钟速度和制造厂codename 等。 通过查询可以
知道一些信息：晶体管数，针脚类型，尺寸等。较新的 CPU 执行 CPUID 指令后因
返回最大数值可能会造成某些操作系统误动作。WINDOW不需要开启。
13-3、扩展禁止位
开启/关闭扩展禁止位，默认是开启。Execute Disable Bit是Intel在新一代处理器中引
入的一项功能，开启该功能后，可以防止病毒、蠕虫、木马等程序利用溢出、无限扩大等手
法去破坏系统内存并取得系统的控制权。其工作原理是：处理器在内存中划分出几块区域，
部分区域可执行应用程序代码，而另一些区域则不允许。当然，要实现处理器的“Execute
Disable Bit”功能，还需要操作系统的配合才行。现在Windows系统、Linux 9.2及Red
Hat Enterprise Linux 3 Update 3等均支持这一功能。
13-4、虚拟机设置
开启/关闭虚拟机，默认是关闭的。安装虚拟机时请开启。
13-5、I/O 虚拟分配技术设置
开启/关闭I/O 虚拟分配技术，默认是关闭。安装虚拟机时请开启。英特尔 VT-d
是英特尔虚拟化技术硬件架构的最新成员。VT-d 能够改进应用的兼容性和可靠
性，并提供更高水平的可管理性、安全性、隔离性和 I/O 性能，从而帮助 VMM 更
好地利用硬件。通过使用构建在英特尔芯片组内部的 VT-d 硬件辅助，VMM 能够
获得更出色的性能、可用性、可靠性、安全性和可信度。
13-6、电源技术设置
设置项有关闭（Disable）/能效（Energy Efficient）/自选（Custom），默认是自选。
13-7、C1E支持
开启/关闭C1E支持，默认关闭。C1E的全称是C1E enhanced halt stat，由操作系统
HLT命令触发，通过调节倍频降低处理器的主频，同时还可以降低电压。
13-8、超频保护
开启/关闭超频保护，默认是开启。
13-9、C-State
开启/关闭C-State，默认是开启。C-State是ACPI定义的处理器的电源状态。处理器电
源状态被设计为C0,C1,Cn。C0电源状态是活跃状态，即CPU执行指令。C1
到Cn都是处理器睡眠状态，即和C0状态相比，处理器消耗更少的能源并且释放更少
的热量。但在这睡眠状态下，处理器都有一个恢复到C0的唤醒时间，不同的C-State
要耗费不同的唤醒时间。
C-State与C1E的区别：C-State是ACPI控制的休眠机制，C1E是HLT指令控制的降
低CPU频率节能。C1E是C0状态下的节能。
13-10、Package C State Limit
这是设置C状态限制。如果限制到C0，C1E就不起作用，如果限制到C2，就不能进入C3
更节能的状态，默认是自动，超频时也可以设置为No Limit（不限制）。
13-11、功耗设置
Long Duration power limit（W）：长时间TDP限制（瓦）。从功耗角度设定TDP，设置
范围0-255W。想超频解开TDP限制就得靠它，设为200已经足够。
Long Duration maintained（ms）：长时间TDP限制（毫秒）。从时间角度设定TDP，
设置范围0-32000毫秒（32秒）。
Short Duration power limit（W）：短时间TDP限制（瓦）。从功耗角度设定短时间TDP，
设置范围0-255W。这是设置Turbo Boost可以在短时间内超出TDP限制，但是不能超
过这个功耗。
以上三项设置对于H61没有意义。
Primary Plane Turbo Power Limit（W）：第一平台Turbo功耗限制（瓦），设置范围
0-255W。这是集显作为主显的Turbo超频功耗限制。
Secondary Plane Turbo Power Limit（W）：第二平台Turbo功耗限制（瓦）设置范围
0-255W。这是集显作为副显的Turbo超频功耗限制。
四、M-Flash
M-Flash是微星独有的使用U盘保存BIOS副本，更新BIOS和从U盘里的BIOS启动等
三项功能总称。
4-1、从U BIOS启动
开启/关闭从U盘BIOS启动功能，默认是关闭。
如果要从U盘BIOS启动，请先把带有BIOS的U盘插入USB口，开机进入BIOS的
M-Flash选项。设置BIOS Boot Function为Enabled。
开启BIOS Boot Function后，Select one file to Boot（选择启动的BIOS文件）变为
可操作项，回车就弹出检测到的U盘。
回车就可以看到U盘里的BIOS文件，选择你要启动用的一个。
然后F10保存并重启，就可以从U盘BIOS启动了。如果不能启动则有2声提示音，反复
3次后出现提示文字。
可以敲Del进BIOS关闭从U盘BIOS启动功能。也可以清CMOS。
4-2、保存BIOS到U盘
在Save BIOS to Storage回车，就弹出检测到的U盘信息。回车弹出BIOS文件名。
再回车就开始保存。
4-3、用U盘的BIOS更新
在Select one file to Update BIOS处回车，弹出检测到的U盘。
回车弹出U盘的BIOS文件，供你选择更新用的BIOS文件。选定文件后回车就开始更新。
五、安全设置
上边2行显示密码设置状态，当前显示的是没有设置。
5-1、设置管理员密码
回车弹出密码输入框，在框内键入密码。
再输入一次验证。回车即可。
5-2、设置用户密码
回车弹出密码输入框，在框内键入密码。
再输入一次验证。回车即可。
5-3、机箱入侵设置
该项设置是防止开启机箱，需要有防开机箱配合。设置项有关闭/启用/复位，默认是关闭。
六、启动配置
6-1、全屏LOGO
开启/关闭全屏LOGO显示，默认是开启。
6-2、启动顺序
这里设置启动顺序。BIOS自动侦测连接在主板上的启动设备，侦测到的设备会把设备名称
型号等显示出来。比如Hard Disk：OCZ-VERTEX2。
6-2-1、用3TB硬盘安装系统
把WIN7 64安装盘放到光驱，开机进入BIOS设置，启动配置里会看到：
UEFI：ATAPI DVD D DH1805S
这项是用来从UEFI启动光盘，在3TB硬盘上安装系统。
6-2-2、BBS启动配置
启动设置里有若干项BBS的启动。这是当有2个以上的同类型设备，设置它们的启动顺序。
比如2个硬盘，可以通过BBS设置这2个硬盘的启动顺序。
七、保存和退出
Discard changes and Exit：放弃修改并退出
Save Changes and Exit：保存修改并退出
保存选项
Save Changes：保存修改
Discard changes：放弃修改
Restore Defaults：恢复默认值
跨越启动（Boot Override）
就是不管Boot的配置，直接从下面的设备启动。比如：
UEFI：ATAPI DVD D DH1805S
SATA：OCZ-VERTEX2
SATA：ATAPI DVD D DH1805S
上面的光驱启动有2个：UEFI和SATA。UEFI就是使用3TB硬盘装系统用的，SATA就
是普通硬盘装系统用的。