2024年4月21日发(作者：东香菱)
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
2SD780
SOT-23BipolarTransistor
双极型三极管
▉
Features
特点
NPNPowerAmplifier
功率放大
▉
AbsoluteMaximumRatings
最大额定值
Symbol符号
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
(T
a
=25
℃
)
R
Θ
JA
T
J
,
T
stg
Rat额定值
60
60
5
300
200
625
Unit单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
Characteristic特性参数
Collector-BaseVoltage集电极基极电压
Collector-EmitterVoltage集电极发射极电压
Emitter-BaseVoltage
发射极基极电压
CollectorCurrent集电极电流
Powerdissipation
耗散功率
ThermalResistanceJunction-Ambient热阻
JunctionandStorageTemperature
结温和储藏温度
-55to+150
℃
■
DeviceMarking
产品打标
110-180
DW1
135-220
DW2
170-270
DW3
200-320
DW4
250-400
DW5
H
FE
（1）
Mark
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
2SD780
■
Electrical
(T
A
=
25
℃
unlessotherwisenoted如无特殊说明，温度为25℃
)
Characteristics
电特性
Characteristic
特性参数
Collector-BaseBreakdownVoltage
集电极基极击穿电压
(I
C
=100µA
，
I
E
=0)
Collector-EmitterBreakdownVoltage
集电极发射极击穿电压(I
C
=1mA，I
B
=0)
Emitter-BaseBreakdownVoltage
发射极基极击穿电压(I
E
=100µA，I
C
=0)
Collector-BaseLeakageCurrent
集电极基极漏电流
(V
CB
=50V
，
I
E
=0)
Emitter-BaseLeakageCurrent
发射极基极漏电流
(V
EB
=5V
，
I
C
=0)
DCCurrentGain
直流电流增益(V
CE
=1V，I
C
=50mA)
DCCurrentGain
直流电流增益(V
CE
=2V，I
C
=300mA)
Collector-EmitterSaturationVoltage
集电极发射极饱和压降
(I
C
=300mA
，
I
B
=30mA)
Base-EmitterOnVoltage
基极发射极导通压降
(V
CE
=6V，I
C
=10mA)
TransitionFrequency
特征频率(V
CE
=6V，I
C
=10mA)
OutputCapacitance
输出电容
(V
CB
=6V
，
I
E
=0,f=1MH
Z
)
Symbol
符号
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
（1）
H
FE
（
2
）
Min
最小值
60
60
5
—
—
110
30
Type
典型值
—
—
—
—
—
—
—
Max
最大值
—
—
—
100
100
400
—
Unit
单位
V
V
V
nA
nA
V
CE(sat)
—0.15
0.6
V
V
BE(on)
0.60.645
0.7
V
f
T
—
—
140
7
—
—
MH
Z
pF
C
ob
2024年4月21日发(作者：东香菱)
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
2SD780
SOT-23BipolarTransistor
双极型三极管
▉
Features
特点
NPNPowerAmplifier
功率放大
▉
AbsoluteMaximumRatings
最大额定值
Symbol符号
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
(T
a
=25
℃
)
R
Θ
JA
T
J
,
T
stg
Rat额定值
60
60
5
300
200
625
Unit单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
Characteristic特性参数
Collector-BaseVoltage集电极基极电压
Collector-EmitterVoltage集电极发射极电压
Emitter-BaseVoltage
发射极基极电压
CollectorCurrent集电极电流
Powerdissipation
耗散功率
ThermalResistanceJunction-Ambient热阻
JunctionandStorageTemperature
结温和储藏温度
-55to+150
℃
■
DeviceMarking
产品打标
110-180
DW1
135-220
DW2
170-270
DW3
200-320
DW4
250-400
DW5
H
FE
（1）
Mark
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
2SD780
■
Electrical
(T
A
=
25
℃
unlessotherwisenoted如无特殊说明，温度为25℃
)
Characteristics
电特性
Characteristic
特性参数
Collector-BaseBreakdownVoltage
集电极基极击穿电压
(I
C
=100µA
，
I
E
=0)
Collector-EmitterBreakdownVoltage
集电极发射极击穿电压(I
C
=1mA，I
B
=0)
Emitter-BaseBreakdownVoltage
发射极基极击穿电压(I
E
=100µA，I
C
=0)
Collector-BaseLeakageCurrent
集电极基极漏电流
(V
CB
=50V
，
I
E
=0)
Emitter-BaseLeakageCurrent
发射极基极漏电流
(V
EB
=5V
，
I
C
=0)
DCCurrentGain
直流电流增益(V
CE
=1V，I
C
=50mA)
DCCurrentGain
直流电流增益(V
CE
=2V，I
C
=300mA)
Collector-EmitterSaturationVoltage
集电极发射极饱和压降
(I
C
=300mA
，
I
B
=30mA)
Base-EmitterOnVoltage
基极发射极导通压降
(V
CE
=6V，I
C
=10mA)
TransitionFrequency
特征频率(V
CE
=6V，I
C
=10mA)
OutputCapacitance
输出电容
(V
CB
=6V
，
I
E
=0,f=1MH
Z
)
Symbol
符号
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
（1）
H
FE
（
2
）
Min
最小值
60
60
5
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—
110
30
Type
典型值
—
—
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Max
最大值
—
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100
100
400
—
Unit
单位
V
V
V
nA
nA
V
CE(sat)
—0.15
0.6
V
V
BE(on)
0.60.645
0.7
V
f
T
—
—
140
7
—
—
MH
Z
pF
C
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