2024年10月13日发(作者：南宫清淑)
囝 蚕 垦 塾 鱼
Ｔ０２５２封装产品可靠性改善研究
温莉裙，费智霞
（天水华天科技股份有限公司，甘肃天水７４１０００）
摘 要：在共模的条件下，ＴＯ２５２单基岛一双芯片封装产品因为粘片胶烘烤产生的挥发物质相互
扩散造成框架／芯片沾污，及引线框架与塑封料之间的包容强度不够，容易发生离层现象：研究
通过优化框架结构，在ＴＯ２５２引线框架基岛中部加“Ｔ”形孔，显著提高了产品的可靠性，其结果
为单基岛双芯片封装产品的可靠性提升提供优化指导。
关键词：单基岛双芯片；离层；“Ｔ”形孔；可靠性提高
中图分类号：ＴＮ９４８．４３ 文献标识码：Ｂ 文章编号：１００４—４５０７（２０１７）０１—００３９—０４
Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｆ Ｒｅｌｉａｂｌｉｔｙ Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ ｆｏｒ ＴＯ２５２
Ｐａｃｋａｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｔ
ＷＥＮ Ｌｉｊｕｎ，ＦＥＩ ＺｈｉＸｉａ
（Ｔｉａｎｓｈｕｉ Ｈｕａｔｉａｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．，Ｔｉａｎｓｈｕｉ ７４ １ ０００，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴＯ２５２ ｓｉｎｇｌｅ ｐａｄ—ｔｗｏ ｃｈｉｐｓ ｐａｃｋａｇｉｎｇ ｐｒｏｄｕｃｔｓ ｐｒｏｎｅ ｔｏ ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ Ｕｎｄｅｒ ｔｈｅ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ｏｆ ｃｏｍｍｏｎ ｍｏｄｅ，Ｂｅｃａｕｓｅ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｏｆ ｖｏｌａｔｉｌｅ ｓｕｂｓｔａｎｃｅｓ ａｆｔｅｒ ｅｐｏｘｙ ｃｕｒｉｎｇ ｃａｕｓｅ
ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｌｅａｄ ｆｒａｍｅ／ｄｉｅ，ａｎｄ ｐｏｏｒ ａｔｔａｃｈｉｎｇ ｓｔｒｅｎｇｔｈ ｂｅｔｗｅｅｎ ｔｈｅ ｌｅａｄ ｆｒａｍｅ ａｎｄ ｍｏｌｄｉｎｇ
ｃｏｍｐｏｕｎｄ．Ｉｎ ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ，ｔｈｅ“Ｔ＂－ｓｈａｐｅｄ ｈｏｌｅ ｉｓ ａｄｄｅｄ ｔｏ ｔｈｅ ＴＯ２５２ ｌｅａｄ ｆｒａｍｅ ｐａｄ，ｗｈｉｃｈ ｇｒｅａｔｌｙ
ｉｍｐｒｏｖｅｓ ｔｈｅ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｐｒｏｄｕｃｔ．Ｔｈｉｓ ｒｅｓｕｌｔ ｐｒｏｖｉｄｅｓ ａ ｇｕｉｄａｎｃｅ ｆｏｒ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ
ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ｓｉｎｇｌｅ ｐａｄ—ｔｗｏ ｃｈｉｐｓ ｐａｃｋａｇｅ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：Ｓｉｎｇｌｅ ｐａｄ—ｔｗｏ ｃｈｉｐｓ；Ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ；Ｔｈｅ“Ｔ”－ｓｈａｐｅｄ ｈｏｌｅ；Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ
ＴＯ２５２封装产品是带有散热片的大功率器件
塑料封装，常用于功率晶体管，稳压芯片等的封
毁坏元件，同时，塑封体吸水后，在加热时会变成
水汽，使塑封体受力膨胀，当其力超过塑封体与框
装，比如：数码相机、ＬＥＤ电视、手机、新能源汽车
等，应用范围非常广泛。
架、芯片的粘接力时就会使塑封体与框架、芯片问
产生离层或使塑料开裂，严重时甚至发生“爆米
花”效应，如图１所示。
ＴＯ２５２封装属于非气密性实体封装，封装过
程中产生的湿气会产生足够的蒸汽压力，损伤或
收稿日期：２０１７—０１．１１
近年来集成电路封装材料、设备及工艺技术
囫圜■衄（总第２６２期）
先进封装技术与设备 电子工业专用设备
度，容易发生分层现象。
在ＴＯ２５２引线框架 岛中部加“Ｔ”Ｎ－ｆＬ，如图
２所示，以此减少单个 片的粘片面积，增强框架
与塑封料之间的包容强度，使结合面更加牢固；“Ｔ”
研究进展迅速，尤其是封装材料及封装设备更是
形孔阻止粘片胶相互扩散，减少框架／芯片沾污。
Ｉ｛益完善。选择合适的封装材料，如：低水汽含量、
高粘接力环氧树脂 封料，低水汽含量、高剪切强
度粘片胶等，和适合的工艺参数，来防止塑封体与
村｛架、芯，Ｊ＿Ｊ词的离层或开裂问题；在加工过程中采
用除湿工艺去除原材料吸附的水汽，制成品在包
袈时采用真 防静电密封包装，在包装袋内放干
燥剂解决，以提升塑封电路的可靠性。本文重点讨
论通过优化引线框架结构，提升ＴＯ２５２单基岛双
片封装广：品的可靠性研究。
ｌ研究内容
１．１引线框架结构优化
图２ Ｔ０２５２框架基岛中部加“Ｔ”形孔
在共模的条件下，ＴＯ２５２单基岛双 片封装
品：（１）双芯 Ｉ臼“ＩＣ＋ＭＯＳ”组成，分别采用“绝
缘胶＋导电胶”力ｌ１］一，由］ 同一、 面上，当粘片
后烘烤时，挥发物质相互扩散，掉落附着在引线框
１．２实验的材料与设备
实验材料分别为ＴＯ２５２原结构框架（简记为
ＬＦ０）和基岛中部“Ｔ”形孔结构框架（简记为
ＬＦＴ），框架基村均为Ｃｕ—Ｆｅ．Ｐ系的高导热ＫＦＣ铜
架 Ｉ 片 造成引线框架表面沾污，从而降低塑
封料与引线框架之间的粘附力；（２）引线框架基岛
Ｉｆ１ 积偏大，减弱引线框架与塑封料之间的包容强
合金材料，其成分如表１所示。采用相同的其它封
装材料、封装设备与市Ｈ同的工艺参数封装产品。
表ｌ ＫＦＣ铜合金成分Ｉ：
１．３实验流程
本实验所用先导分析实验流程如图３，可靠性
品，选取１８０只合格样品按照ＪＥＳＤ ２２标准进行
可靠性实验，如图４。为 确认实验的稳定性，随
试验流程图如图４。
１．４实验内容
机选取芯片连续考核６次，如表３。
２结果与讨论
原结构引线框架封装产品ＭＳＬ３后扫描均有离
层现象，图５是离层情况比较严重的超声扫描照片。
（１）将Ｌ 和ＬＦ 两种框架按普通封装流程加
为成品，选取４５ 合格的样品按照ＪＥＤＥＣ标准
进行先导实验，如图３。为了实验的正确性和稳定
性，随机选取不同芯片重复考核３次，如表２。
（２）将ＬＦＴ框架按普通封装流程加ｌＩ 为成
基岛中部加“Ｔ”形孔结构引线框架封装产品
经超声检测，均没有离层发生，接着考核４个
项，电测试均合格。图６为超声扫描图片。
团
试验样品
电测试，２５℃
Ｖ
藿 鲎塾
表２实验方案及结果
ｆａｉｌ
Ｐａｓｓ
鱼
层考核结果
外观检查
Ｖ
分层比例８％）
Ｐａｓｓ
超声检测
温度循环，－４０＂Ｃ－－－６０＂Ｃ５次
高温贮存１２５（±５／０）￣Ｃ２４ｈ
Ｖ
Ｆａｉｌ
Ｐａｓｓ
表３实验方案及结果
ＮＯ． 产品型号 框架
ｌ
芯片
Ｄｉｅ５／Ｄｉｅ６
可靠性考核结果
Ｐａｓｓ
温热条件３级
３０℃，６Ｏ％ＩｔＨ．１９２
Ｖ
２
３
４
５
６
Ｄｉｅ７／Ｄｉｅ８
ＴＯ２５２ ＬＦ
１
Ｐａｓｓ
Ｐａｓｓ
Ｐａｓｓ
Ｐａｓｓ
Ｐａｓｓ
Ｄｉｅ９，Ｄｉｅｌ０
Ｄ ｅ１】／Ｄｉｅｌ２
Ｌ Ｄｉｅ１３／Ｄｉｅ１４
Ｄ ｅ１５／Ｄｉｅｌ６
回流焊，３次
｛４０Ｘ显微镜下外观检查
超声检测
Ｉ
Ｉ电测试，２５￣Ｃ
图３先导实验流程图
描图片
！
ｊ 鱼
超声检测
，
Ｊ
１２５（±５／０）℃
２４ ｈ
高温贮存
图６基岛中部加“Ｔ”形孔ＴＯ２５２ ＬＦ
—————
王———一
』回流焊，３次Ｊ
电测试
★
封装产品ＭＳＬ３后扫描图片
实验结果表明，选择合适的封装材料和工艺
技术，和原结构框架封装产品相比，基岛中部加
超声检测
“Ｔ”形孔框架封装产品离层得到了显著改善，使
得ＴＯ２５２单基岛双芯片封装产品可靠性得到了
明显提高。
３结束语
现有封装材料的使用性能和设备能力已不再
是影响产品可靠性的关键限制因素。在选择合适
图４可靠性实验流程图
的封装材料和工艺技术的前提下，针对单基岛面
先进封装技术与设备 电子工业毫用设备 口
积偏大的双芯片封装产品，在引线框架基岛中部
［２］ 范莉．铜基引线框架材料研究发展【Ｊ】．材料开发与应
用，２００８，８（４）：１０１—１０７．
．
加“Ｔ”形孔可以有效改善产品可靠性。这一研究
结果可以为单基岛双芯片封装产品可靠性提升提
供引线框架设计优化指导。
参考文献：
［１］ 周建国．ＳＯＴ２３系列产品ＭＳＬ１封装工艺研究［Ｊ］．电
子与封装，２０１２．５（１）：５．１０．
．
Ｓ止．Ｓ止．址．５止．Ｓ ．Ｓｔ ．Ｓ止．址．址
作者简介：
温莉瑶（１９８５．），女，甘肃天水人，毕
业于兰州理工大学，天水华天科技股份有
限公司技术部工程师，主要从事半导体封
装材料及集成电路封装可靠性研究。
．Ｓ Ｌ．址．５也．．Ｓ也．址．Ｓ屯．Ｓ ． 止 ． ．Ｓ‘． 也．Ｓｔ．喜也． Ｌ．址．１止．‘ — ．址．５止 ．喜ｌ上 —址 Ｓ止．址 址．址．Ｓ — 止—ｊ止．址．Ｓ 址．ｊ止 址．ｓ止．５止． 止．鼻屯—喜 —Ｓ 儿
（上接第２７页）
质溶于水的能力，憎水基的憎水性代表溶油能力。
硅氧化合物，这样在研磨的过程中，能增加硅片表
面的润湿性，从而减少硅片表面点划伤缺点码的
增多。普遍添加的是有机碱。其反应方程式如下：
Ｓｉ＋２ＯＨ‘＋Ｈ２Ｏ＿÷Ｓｉ０３ ＋２Ｈ２
４结语
在半导体硅片加工工艺中，研磨的作用是不
可忽视的。从研磨装置到研磨工艺参数，再到研磨
液的配制等，都对硅片表面的质量有很大影响，尤
其研磨液更是应主要考虑的因素。为了提高研磨
有机碱除了有调节ｐＨ的作用以外，还对金属
离子有螯合作用。研磨液一般用去离子水稀释十
几倍后进行使用，目前所用到的有机碱通常是有
机胺类，它具有一定的缓冲作用，使溶液的ｐＨ值
在一定范围内保持稳定状态 。
３．４表面活性剂
液的性能，提高悬浮性，进一步降低表面张力，
我们应该从其憎水基链的结构入手，通过大量试
验，找出一个悬浮能力和表面张力都令人满意的
憎水基链的结构。
参考文献：
［１］ 刘玉岭，檀柏梅，孙光英，等．硅单晶片研磨液的研究
［Ｊ］．稀有金属，２００１，２５（６）：４３１－４３３．
［２］ 杨杰，曾旭，李树岗，等．半导体硅材料研磨液研究进
展［Ｊ］．广东化工，２００９，３６（８）：８７－８９．
加入表面活性剂的目的主要是润湿磨料粒子
与硅片表面，乳化研磨液内部组分，并在研磨过程
中对硅片的研磨起到一定的润滑作用［６１。溶液中
加入表面活性剂，活性剂分子会借助润湿作用迅
速在硅片和颗粒的表面铺展开，形成一层致密的
保护层［７］。活性剂分子亲水基会与硅片表面形成
多点吸附，磨料在硅片表面移动时，渗透压使溶液
［３］ 张伟．硅片研磨和研磨液作用的分析［Ｊ］．微纳电子技
术，２００７，４４（４１：２０６．２１０．
［４］ 张伟，周建伟，刘玉岭，等．硅片研磨表面状态的改
善和研磨液的改进【Ｊ］．半导体技术，２００６，３１（１０）：
７５８ ７６１．
中自由的活性剂分子及已吸附的活性剂分子的亲
水基上未吸附的自由部分，积极地向硅片与磨料
的接触缝隙间伸入，随时与硅片和磨料上出现的
剩余自由键相吸引、结合，促使硅片与磨料问的作
用力减小，对硅片的研磨起到润滑作用 。表面活
［５】 蔡鑫泉．硅片研磨与磨削加工［Ｊ】．精密制造与自动
化，１９９３，（１）：４３－４６．
性剂的科－类繁多，对于一定体系究竟采用哪种表
面活性剂比较合适，效率最高，目前还缺乏理论
指导。一般认为，比较表面活性剂分子的亲水基团
的亲水性和亲油基团的亲油性是一项重要指标。
［６】 赵国玺．表面活性剂物理化学［Ｍ］．北京：北京大学
出版社，１９９１．
［７］ 赵国玺，朱步瑶．表面活性剂作用原理［Ｍ］．北京：中
国轻工业出版社，２００３．
由于每一个表面活性剂分子都包含亲水基团和憎
水基团两部分。亲水基的亲水性代表表面活性物
［８］ 徐燕莉．表面活性剂的功能［Ｍ］．北京：化学工业出版
社，２０００．
2024年10月13日发(作者：南宫清淑)
囝 蚕 垦 塾 鱼
Ｔ０２５２封装产品可靠性改善研究
温莉裙，费智霞
（天水华天科技股份有限公司，甘肃天水７４１０００）
摘 要：在共模的条件下，ＴＯ２５２单基岛一双芯片封装产品因为粘片胶烘烤产生的挥发物质相互
扩散造成框架／芯片沾污，及引线框架与塑封料之间的包容强度不够，容易发生离层现象：研究
通过优化框架结构，在ＴＯ２５２引线框架基岛中部加“Ｔ”形孔，显著提高了产品的可靠性，其结果
为单基岛双芯片封装产品的可靠性提升提供优化指导。
关键词：单基岛双芯片；离层；“Ｔ”形孔；可靠性提高
中图分类号：ＴＮ９４８．４３ 文献标识码：Ｂ 文章编号：１００４—４５０７（２０１７）０１—００３９—０４
Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｆ Ｒｅｌｉａｂｌｉｔｙ Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ ｆｏｒ ＴＯ２５２
Ｐａｃｋａｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｔ
ＷＥＮ Ｌｉｊｕｎ，ＦＥＩ ＺｈｉＸｉａ
（Ｔｉａｎｓｈｕｉ Ｈｕａｔｉａｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．，Ｔｉａｎｓｈｕｉ ７４ １ ０００，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴＯ２５２ ｓｉｎｇｌｅ ｐａｄ—ｔｗｏ ｃｈｉｐｓ ｐａｃｋａｇｉｎｇ ｐｒｏｄｕｃｔｓ ｐｒｏｎｅ ｔｏ ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ Ｕｎｄｅｒ ｔｈｅ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ｏｆ ｃｏｍｍｏｎ ｍｏｄｅ，Ｂｅｃａｕｓｅ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｏｆ ｖｏｌａｔｉｌｅ ｓｕｂｓｔａｎｃｅｓ ａｆｔｅｒ ｅｐｏｘｙ ｃｕｒｉｎｇ ｃａｕｓｅ
ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｌｅａｄ ｆｒａｍｅ／ｄｉｅ，ａｎｄ ｐｏｏｒ ａｔｔａｃｈｉｎｇ ｓｔｒｅｎｇｔｈ ｂｅｔｗｅｅｎ ｔｈｅ ｌｅａｄ ｆｒａｍｅ ａｎｄ ｍｏｌｄｉｎｇ
ｃｏｍｐｏｕｎｄ．Ｉｎ ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ，ｔｈｅ“Ｔ＂－ｓｈａｐｅｄ ｈｏｌｅ ｉｓ ａｄｄｅｄ ｔｏ ｔｈｅ ＴＯ２５２ ｌｅａｄ ｆｒａｍｅ ｐａｄ，ｗｈｉｃｈ ｇｒｅａｔｌｙ
ｉｍｐｒｏｖｅｓ ｔｈｅ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｐｒｏｄｕｃｔ．Ｔｈｉｓ ｒｅｓｕｌｔ ｐｒｏｖｉｄｅｓ ａ ｇｕｉｄａｎｃｅ ｆｏｒ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ
ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ｓｉｎｇｌｅ ｐａｄ—ｔｗｏ ｃｈｉｐｓ ｐａｃｋａｇｅ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：Ｓｉｎｇｌｅ ｐａｄ—ｔｗｏ ｃｈｉｐｓ；Ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ；Ｔｈｅ“Ｔ”－ｓｈａｐｅｄ ｈｏｌｅ；Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ
ＴＯ２５２封装产品是带有散热片的大功率器件
塑料封装，常用于功率晶体管，稳压芯片等的封
毁坏元件，同时，塑封体吸水后，在加热时会变成
水汽，使塑封体受力膨胀，当其力超过塑封体与框
装，比如：数码相机、ＬＥＤ电视、手机、新能源汽车
等，应用范围非常广泛。
架、芯片的粘接力时就会使塑封体与框架、芯片问
产生离层或使塑料开裂，严重时甚至发生“爆米
花”效应，如图１所示。
ＴＯ２５２封装属于非气密性实体封装，封装过
程中产生的湿气会产生足够的蒸汽压力，损伤或
收稿日期：２０１７—０１．１１
近年来集成电路封装材料、设备及工艺技术
囫圜■衄（总第２６２期）
先进封装技术与设备 电子工业专用设备
度，容易发生分层现象。
在ＴＯ２５２引线框架 岛中部加“Ｔ”Ｎ－ｆＬ，如图
２所示，以此减少单个 片的粘片面积，增强框架
与塑封料之间的包容强度，使结合面更加牢固；“Ｔ”
研究进展迅速，尤其是封装材料及封装设备更是
形孔阻止粘片胶相互扩散，减少框架／芯片沾污。
Ｉ｛益完善。选择合适的封装材料，如：低水汽含量、
高粘接力环氧树脂 封料，低水汽含量、高剪切强
度粘片胶等，和适合的工艺参数，来防止塑封体与
村｛架、芯，Ｊ＿Ｊ词的离层或开裂问题；在加工过程中采
用除湿工艺去除原材料吸附的水汽，制成品在包
袈时采用真 防静电密封包装，在包装袋内放干
燥剂解决，以提升塑封电路的可靠性。本文重点讨
论通过优化引线框架结构，提升ＴＯ２５２单基岛双
片封装广：品的可靠性研究。
ｌ研究内容
１．１引线框架结构优化
图２ Ｔ０２５２框架基岛中部加“Ｔ”形孔
在共模的条件下，ＴＯ２５２单基岛双 片封装
品：（１）双芯 Ｉ臼“ＩＣ＋ＭＯＳ”组成，分别采用“绝
缘胶＋导电胶”力ｌ１］一，由］ 同一、 面上，当粘片
后烘烤时，挥发物质相互扩散，掉落附着在引线框
１．２实验的材料与设备
实验材料分别为ＴＯ２５２原结构框架（简记为
ＬＦ０）和基岛中部“Ｔ”形孔结构框架（简记为
ＬＦＴ），框架基村均为Ｃｕ—Ｆｅ．Ｐ系的高导热ＫＦＣ铜
架 Ｉ 片 造成引线框架表面沾污，从而降低塑
封料与引线框架之间的粘附力；（２）引线框架基岛
Ｉｆ１ 积偏大，减弱引线框架与塑封料之间的包容强
合金材料，其成分如表１所示。采用相同的其它封
装材料、封装设备与市Ｈ同的工艺参数封装产品。
表ｌ ＫＦＣ铜合金成分Ｉ：
１．３实验流程
本实验所用先导分析实验流程如图３，可靠性
品，选取１８０只合格样品按照ＪＥＳＤ ２２标准进行
可靠性实验，如图４。为 确认实验的稳定性，随
试验流程图如图４。
１．４实验内容
机选取芯片连续考核６次，如表３。
２结果与讨论
原结构引线框架封装产品ＭＳＬ３后扫描均有离
层现象，图５是离层情况比较严重的超声扫描照片。
（１）将Ｌ 和ＬＦ 两种框架按普通封装流程加
为成品，选取４５ 合格的样品按照ＪＥＤＥＣ标准
进行先导实验，如图３。为了实验的正确性和稳定
性，随机选取不同芯片重复考核３次，如表２。
（２）将ＬＦＴ框架按普通封装流程加ｌＩ 为成
基岛中部加“Ｔ”形孔结构引线框架封装产品
经超声检测，均没有离层发生，接着考核４个
项，电测试均合格。图６为超声扫描图片。
团
试验样品
电测试，２５℃
Ｖ
藿 鲎塾
表２实验方案及结果
ｆａｉｌ
Ｐａｓｓ
鱼
层考核结果
外观检查
Ｖ
分层比例８％）
Ｐａｓｓ
超声检测
温度循环，－４０＂Ｃ－－－６０＂Ｃ５次
高温贮存１２５（±５／０）￣Ｃ２４ｈ
Ｖ
Ｆａｉｌ
Ｐａｓｓ
表３实验方案及结果
ＮＯ． 产品型号 框架
ｌ
芯片
Ｄｉｅ５／Ｄｉｅ６
可靠性考核结果
Ｐａｓｓ
温热条件３级
３０℃，６Ｏ％ＩｔＨ．１９２
Ｖ
２
３
４
５
６
Ｄｉｅ７／Ｄｉｅ８
ＴＯ２５２ ＬＦ
１
Ｐａｓｓ
Ｐａｓｓ
Ｐａｓｓ
Ｐａｓｓ
Ｐａｓｓ
Ｄｉｅ９，Ｄｉｅｌ０
Ｄ ｅ１】／Ｄｉｅｌ２
Ｌ Ｄｉｅ１３／Ｄｉｅ１４
Ｄ ｅ１５／Ｄｉｅｌ６
回流焊，３次
｛４０Ｘ显微镜下外观检查
超声检测
Ｉ
Ｉ电测试，２５￣Ｃ
图３先导实验流程图
描图片
！
ｊ 鱼
超声检测
，
Ｊ
１２５（±５／０）℃
２４ ｈ
高温贮存
图６基岛中部加“Ｔ”形孔ＴＯ２５２ ＬＦ
—————
王———一
』回流焊，３次Ｊ
电测试
★
封装产品ＭＳＬ３后扫描图片
实验结果表明，选择合适的封装材料和工艺
技术，和原结构框架封装产品相比，基岛中部加
超声检测
“Ｔ”形孔框架封装产品离层得到了显著改善，使
得ＴＯ２５２单基岛双芯片封装产品可靠性得到了
明显提高。
３结束语
现有封装材料的使用性能和设备能力已不再
是影响产品可靠性的关键限制因素。在选择合适
图４可靠性实验流程图
的封装材料和工艺技术的前提下，针对单基岛面
先进封装技术与设备 电子工业毫用设备 口
积偏大的双芯片封装产品，在引线框架基岛中部
［２］ 范莉．铜基引线框架材料研究发展【Ｊ】．材料开发与应
用，２００８，８（４）：１０１—１０７．
．
加“Ｔ”形孔可以有效改善产品可靠性。这一研究
结果可以为单基岛双芯片封装产品可靠性提升提
供引线框架设计优化指导。
参考文献：
［１］ 周建国．ＳＯＴ２３系列产品ＭＳＬ１封装工艺研究［Ｊ］．电
子与封装，２０１２．５（１）：５．１０．
．
Ｓ止．Ｓ止．址．５止．Ｓ ．Ｓｔ ．Ｓ止．址．址
作者简介：
温莉瑶（１９８５．），女，甘肃天水人，毕
业于兰州理工大学，天水华天科技股份有
限公司技术部工程师，主要从事半导体封
装材料及集成电路封装可靠性研究。
．Ｓ Ｌ．址．５也．．Ｓ也．址．Ｓ屯．Ｓ ． 止 ． ．Ｓ‘． 也．Ｓｔ．喜也． Ｌ．址．１止．‘ — ．址．５止 ．喜ｌ上 —址 Ｓ止．址 址．址．Ｓ — 止—ｊ止．址．Ｓ 址．ｊ止 址．ｓ止．５止． 止．鼻屯—喜 —Ｓ 儿
（上接第２７页）
质溶于水的能力，憎水基的憎水性代表溶油能力。
硅氧化合物，这样在研磨的过程中，能增加硅片表
面的润湿性，从而减少硅片表面点划伤缺点码的
增多。普遍添加的是有机碱。其反应方程式如下：
Ｓｉ＋２ＯＨ‘＋Ｈ２Ｏ＿÷Ｓｉ０３ ＋２Ｈ２
４结语
在半导体硅片加工工艺中，研磨的作用是不
可忽视的。从研磨装置到研磨工艺参数，再到研磨
液的配制等，都对硅片表面的质量有很大影响，尤
其研磨液更是应主要考虑的因素。为了提高研磨
有机碱除了有调节ｐＨ的作用以外，还对金属
离子有螯合作用。研磨液一般用去离子水稀释十
几倍后进行使用，目前所用到的有机碱通常是有
机胺类，它具有一定的缓冲作用，使溶液的ｐＨ值
在一定范围内保持稳定状态 。
３．４表面活性剂
液的性能，提高悬浮性，进一步降低表面张力，
我们应该从其憎水基链的结构入手，通过大量试
验，找出一个悬浮能力和表面张力都令人满意的
憎水基链的结构。
参考文献：
［１］ 刘玉岭，檀柏梅，孙光英，等．硅单晶片研磨液的研究
［Ｊ］．稀有金属，２００１，２５（６）：４３１－４３３．
［２］ 杨杰，曾旭，李树岗，等．半导体硅材料研磨液研究进
展［Ｊ］．广东化工，２００９，３６（８）：８７－８９．
加入表面活性剂的目的主要是润湿磨料粒子
与硅片表面，乳化研磨液内部组分，并在研磨过程
中对硅片的研磨起到一定的润滑作用［６１。溶液中
加入表面活性剂，活性剂分子会借助润湿作用迅
速在硅片和颗粒的表面铺展开，形成一层致密的
保护层［７］。活性剂分子亲水基会与硅片表面形成
多点吸附，磨料在硅片表面移动时，渗透压使溶液
［３］ 张伟．硅片研磨和研磨液作用的分析［Ｊ］．微纳电子技
术，２００７，４４（４１：２０６．２１０．
［４］ 张伟，周建伟，刘玉岭，等．硅片研磨表面状态的改
善和研磨液的改进【Ｊ］．半导体技术，２００６，３１（１０）：
７５８ ７６１．
中自由的活性剂分子及已吸附的活性剂分子的亲
水基上未吸附的自由部分，积极地向硅片与磨料
的接触缝隙间伸入，随时与硅片和磨料上出现的
剩余自由键相吸引、结合，促使硅片与磨料问的作
用力减小，对硅片的研磨起到润滑作用 。表面活
［５】 蔡鑫泉．硅片研磨与磨削加工［Ｊ】．精密制造与自动
化，１９９３，（１）：４３－４６．
性剂的科－类繁多，对于一定体系究竟采用哪种表
面活性剂比较合适，效率最高，目前还缺乏理论
指导。一般认为，比较表面活性剂分子的亲水基团
的亲水性和亲油基团的亲油性是一项重要指标。
［６】 赵国玺．表面活性剂物理化学［Ｍ］．北京：北京大学
出版社，１９９１．
［７］ 赵国玺，朱步瑶．表面活性剂作用原理［Ｍ］．北京：中
国轻工业出版社，２００３．
由于每一个表面活性剂分子都包含亲水基团和憎
水基团两部分。亲水基的亲水性代表表面活性物
［８］ 徐燕莉．表面活性剂的功能［Ｍ］．北京：化学工业出版
社，２０００．