2024年5月18日发(作者：孟寻云)
体制造技术
,
名为“
UX7LS
”。预计
2007
年
10
～
12
月左右可导入用于手机的
LSI
(
大规模集成电路
)
正式量产。
NEC
目前量产最先进的
LSI
是
90
纳米的产
品
,
而此次开发的新技术就是
65
纳米的改良版。目前
NEC
与东芝等已着手共
同研发更先进的
45
纳米半导体制造技术。
半导体电路细微化的主要技术在于降低耗电以及提高数据的处理速度
,
此
次
NEC
研发的技术主要是在全球首度实际运用新材料铪硅作为半导体中的绝
缘膜
,
比目前一般使用的氧化硅膜耗电更低
,
所以可突破常规半导体电路细微
化的课题
,
完成新技术。
NEC
也对此次突破寄予厚望
,
希望在电路细微化的竞
争中起步较晚的
NEC
能在新一代技术中扳回一城。
程文芳 摘
加州大学制造出毫米波频率
CMOS
电路
在短短的几年之前
,
毫米波频率
CMOS
电路被众多科学圈认为是滑稽可笑
的。但是
,
美国加州大学伯克莱分校的无线研究中心的研究人员开发出能够与
无源元件集成的
CMOS
晶体管
,
制作出毫米波频率的电路部件。他们所设计的
130nmCMOS
晶体管的最大振荡频率达到
135GHz
。上述研究人员开发出这
种数字
CMOS
电路的扩频模型
,
以考虑更高频率下寄生元件的影响。他们还开
发出传输线模型
,
用以分析无源结构以及器件之间的互连。为了证明上述模型
的有效性
,
用共面波导和横截面尺寸不同的传输线制造了一块
CMOS
试验芯
片。模拟并制造出若干不同的器件
,
包括一个
30GHz
带通滤波器和中心频率
为
40GHz
和
60GHz
的宽带毫米波放大器。这些放大器的配置为栅2阴配置
,
采
用共面波导传输线和
AC
耦合输入、输出端口。
40GHz
放大器
34
—
44GHz
的
峰值功率增益达到
19dB,60GHz
放大器
51
—
65GHz
的峰值功率增益达到
12
dB,
其输出回波损耗优于
15dB
。
陈裕权 译自
Microwaves&RF,2005,44
(
4
)
HittiteMicrowave
宽带移相器
HittiteMicrowave
公司推出
MMIC
移相器产品线。该新产品线中的前三种
产品面向
5GHz
到
18GHz
频率范围军事、太空、光纤和测试与测量应用
,
提供
裸片、表面贴装封装和带有连接器的模块外形。
HMC247
为
5GHz
到
18GHz
30
模拟移相器管芯
,5GHz
频率可提供
0
°到
450
°连续可变相移
,18GHz
频率可提
高
0
°到
100
°相移。相移为单调变化
,
通过一个
0V
到
+10V
的模拟直流电压进
行控制。插入损耗低于
4dB,
且跟控制电压的关系极为一致。对于表面贴装应
用
,HMC538LP46GHz
到
15GHz
模拟移相器采用
QFN4
毫米×
4
毫米
SMT
封装
,
可在
6GHz
提供
0
°到
750
°可变相移
,
在
15GHz
提供
0
°到
450
°可变相移。
HMC538LP4E
为符合
RoHS
规范的版本。
HMCC010
为
6GHz
到
15GHz
模拟
移相器模块
,
可提供与
HMC538LP4
相同的宽带性能
,
采用微型密封模块封装
,
带有可拆卸的
SMA
连接器。
HMC
2
C010
额定工作温度范围为
-55
°
C
到
+85
°
C
。
章从福 摘
OkiElectric
推出低掉电泄漏晶体管
日本冲电气公司
(
OkiElectric
)
推出了一种晶体管结构
,
这种结构比以前的
晶体管的待机消耗电流
(
掉电泄漏电流
,off
2
leakcurrent
)
降低了
90%
。
日本冲电气公司
(
OkiElectric
)
推出的这种全耗尽型
SOI
晶体管
,
采用了非
掺杂式架构和非交迭型
SOI
结构。以前的
SOI
器件当电压升高时
,
很难保证没
有电流泄漏。而冲电气公司采用了非掺杂式架构成功地减少了电流的泄漏。
由于以前的源极
/
漏极到栅极的交迭结构
,
使得在交迭区产生寄生电容
,
从
而影响运行速度。而应用非交迭结构
,
冲电气公司减少不必要的寄生电容
,
提
高了运行速度。
这种新结构器件
,
对
NMOS
使用
P
+
栅极
,
对
PMOS
使用
N
+
栅极
,
它和通
常的
CMOS
栅极的极性是相反的
,
同时
,
由于采用了低成本的多晶硅栅极工艺
,
不但降低了成本还提高了兼容性。
章从福 摘
IR
新型
DirectFETMOSFET
转换器芯片组
国际整流器公司
(
InternationalRectifier,
简称
IR
)
推出新款
20VDirectFET
MOSFET
同步降压转换器芯片组———
IRF6610
和
IRF6636
。据称这款小型罐
式
DirectFETMOSFET
对性能相当于一对
SO
2
8MOSFET,
但体积却减小了
40%,
特别适合对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点
(
Point
2
of
2
load,
31
2024年5月18日发(作者：孟寻云)
体制造技术
,
名为“
UX7LS
”。预计
2007
年
10
～
12
月左右可导入用于手机的
LSI
(
大规模集成电路
)
正式量产。
NEC
目前量产最先进的
LSI
是
90
纳米的产
品
,
而此次开发的新技术就是
65
纳米的改良版。目前
NEC
与东芝等已着手共
同研发更先进的
45
纳米半导体制造技术。
半导体电路细微化的主要技术在于降低耗电以及提高数据的处理速度
,
此
次
NEC
研发的技术主要是在全球首度实际运用新材料铪硅作为半导体中的绝
缘膜
,
比目前一般使用的氧化硅膜耗电更低
,
所以可突破常规半导体电路细微
化的课题
,
完成新技术。
NEC
也对此次突破寄予厚望
,
希望在电路细微化的竞
争中起步较晚的
NEC
能在新一代技术中扳回一城。
程文芳 摘
加州大学制造出毫米波频率
CMOS
电路
在短短的几年之前
,
毫米波频率
CMOS
电路被众多科学圈认为是滑稽可笑
的。但是
,
美国加州大学伯克莱分校的无线研究中心的研究人员开发出能够与
无源元件集成的
CMOS
晶体管
,
制作出毫米波频率的电路部件。他们所设计的
130nmCMOS
晶体管的最大振荡频率达到
135GHz
。上述研究人员开发出这
种数字
CMOS
电路的扩频模型
,
以考虑更高频率下寄生元件的影响。他们还开
发出传输线模型
,
用以分析无源结构以及器件之间的互连。为了证明上述模型
的有效性
,
用共面波导和横截面尺寸不同的传输线制造了一块
CMOS
试验芯
片。模拟并制造出若干不同的器件
,
包括一个
30GHz
带通滤波器和中心频率
为
40GHz
和
60GHz
的宽带毫米波放大器。这些放大器的配置为栅2阴配置
,
采
用共面波导传输线和
AC
耦合输入、输出端口。
40GHz
放大器
34
—
44GHz
的
峰值功率增益达到
19dB,60GHz
放大器
51
—
65GHz
的峰值功率增益达到
12
dB,
其输出回波损耗优于
15dB
。
陈裕权 译自
Microwaves&RF,2005,44
(
4
)
HittiteMicrowave
宽带移相器
HittiteMicrowave
公司推出
MMIC
移相器产品线。该新产品线中的前三种
产品面向
5GHz
到
18GHz
频率范围军事、太空、光纤和测试与测量应用
,
提供
裸片、表面贴装封装和带有连接器的模块外形。
HMC247
为
5GHz
到
18GHz
30
模拟移相器管芯
,5GHz
频率可提供
0
°到
450
°连续可变相移
,18GHz
频率可提
高
0
°到
100
°相移。相移为单调变化
,
通过一个
0V
到
+10V
的模拟直流电压进
行控制。插入损耗低于
4dB,
且跟控制电压的关系极为一致。对于表面贴装应
用
,HMC538LP46GHz
到
15GHz
模拟移相器采用
QFN4
毫米×
4
毫米
SMT
封装
,
可在
6GHz
提供
0
°到
750
°可变相移
,
在
15GHz
提供
0
°到
450
°可变相移。
HMC538LP4E
为符合
RoHS
规范的版本。
HMCC010
为
6GHz
到
15GHz
模拟
移相器模块
,
可提供与
HMC538LP4
相同的宽带性能
,
采用微型密封模块封装
,
带有可拆卸的
SMA
连接器。
HMC
2
C010
额定工作温度范围为
-55
°
C
到
+85
°
C
。
章从福 摘
OkiElectric
推出低掉电泄漏晶体管
日本冲电气公司
(
OkiElectric
)
推出了一种晶体管结构
,
这种结构比以前的
晶体管的待机消耗电流
(
掉电泄漏电流
,off
2
leakcurrent
)
降低了
90%
。
日本冲电气公司
(
OkiElectric
)
推出的这种全耗尽型
SOI
晶体管
,
采用了非
掺杂式架构和非交迭型
SOI
结构。以前的
SOI
器件当电压升高时
,
很难保证没
有电流泄漏。而冲电气公司采用了非掺杂式架构成功地减少了电流的泄漏。
由于以前的源极
/
漏极到栅极的交迭结构
,
使得在交迭区产生寄生电容
,
从
而影响运行速度。而应用非交迭结构
,
冲电气公司减少不必要的寄生电容
,
提
高了运行速度。
这种新结构器件
,
对
NMOS
使用
P
+
栅极
,
对
PMOS
使用
N
+
栅极
,
它和通
常的
CMOS
栅极的极性是相反的
,
同时
,
由于采用了低成本的多晶硅栅极工艺
,
不但降低了成本还提高了兼容性。
章从福 摘
IR
新型
DirectFETMOSFET
转换器芯片组
国际整流器公司
(
InternationalRectifier,
简称
IR
)
推出新款
20VDirectFET
MOSFET
同步降压转换器芯片组———
IRF6610
和
IRF6636
。据称这款小型罐
式
DirectFETMOSFET
对性能相当于一对
SO
2
8MOSFET,
但体积却减小了
40%,
特别适合对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点
(
Point
2
of
2
load,
31