2024年8月29日发(作者：衅嘉茂)
大学物理实验报告
摘要：热敏电阻是阻值对温度变化非常敏感的一种半导体电阻，
具有许多独特的优点和用途，在自动控制、无线电子技术、遥控技术
及测温技术等方面有着广泛的应用。
本实验通过用电桥法来研究热敏电阻的电阻温度特性，加深对热
敏电阻的电阻温度特性的了解。
关键词：热敏电阻、非平衡直流电桥、电阻温度特性1、引言热
敏电阻是根据半导体材料的电导率与温度有很强的依赖关系而制成的
一种器件，其电阻温度系数一般为（-0.003~+0.6）℃-1。
因此，热敏电阻一般可以分为:Ⅰ、负电阻温度系数（简称NTC）
的热敏电阻元件常由一些过渡金属氧化物（主要用铜、镍、钴、镉等
氧化物）在一定的烧结条件下形成的半导体金属氧化物作为基本材料
制成的，近年还有单晶半导体等材料制成。
国产的主要是指MF91~MF96型半导体热敏电阻。
由于组成这类热敏电阻的上述过渡金属氧化物在室温范围内基本
已全部电离，即载流子浓度基本上与温度无关，因此这类热敏电阻的
电阻率随温度变化主要考虑迁移率与温度的关系，随着温度的升高，
迁移率增加，电阻率下降。
大多应用于测温控温技术，还可以制成流量计、功率计等。
Ⅱ、正电阻温度系数（简称PTC）的热敏电阻元件常用钛酸钡材
料添加微量的钛、钡等或稀土元素采用陶瓷工艺，高温烧制而成。
这类热敏电阻的电阻率随温度变化主要依赖于载流子浓度，而迁
移率随温度的变化相对可以忽略。
载流子数目随温度的升高呈指数增加，载流子数目越多，电阻率
越小。
应用广泛，除测温、控温，在电子线路中作温度补偿外，还制成
各类加热器，如电吹风等。
2、实验装置及原理【实验装置】FQJ—Ⅱ型教学用非平衡直流电
桥，FQJ非平衡电桥加热实验装置（加热炉内置MF51型半导体热敏
电阻（2.7kΩ）以及控温用的温度传感器），连接线若干。
【实验原理】根据半导体理论，一般半导体材料的电阻率和绝对
温度之间的关系为（1—1）式中a与b对于同一种半导体材料为常
量，其数值与材料的物理性质有关。
因而热敏电阻的电阻值可以根据电阻定律写为（1—2）式中为两
电极间距离，为热敏电阻的横截面，。
对某一特定电阻而言，与b均为常数，用实验方法可以测定。
为了便于数据处理，将上式两边取对数，则有（1—3）上式表明
与呈线性关系，在实验中只要测得各个温度以及对应的电阻的值，以
为横坐标，为纵坐标作图，则得到的图线应为直线，可用图解法、计
算法或最小二乘法求出参数a、b的值。
热敏电阻的电阻温度系数下式给出（1—4）从上述方法求得的b
值和室温代入式（1—4），就可以算出室温时的电阻温度系数。
热敏电阻在不同温度时的电阻值，可由非平衡直流电桥测得。
非平衡直流电桥原理图如右图所示，B、D之间为一负载电阻，
只要测出，就可以得到值。
·物理实验报告·化学实验报告·生物实验报告·实验报告格式·实验报
告模板当负载电阻→，即电桥输出处于开路状态时，=0，仅有电压输
出，用表示，当时，电桥输出=0，即电桥处于平衡状态。
为了测量的准确性，在测量之前，电桥必须预调平衡，这样可使
输出电压只与某一臂的电阻变化有关。
若R1、R2、R3固定，R4为待测电阻，R4=RX，则当R4→R4+△R
时，因电桥不平衡而产生的电压输出为：（1—5）在测量MF51型热
敏电阻时，非平衡直流电桥所采用的是立式电桥，，且，则（1—6）
式中R和均为预调平衡后的电阻值，测得电压输出后，通过式（1—
6）运算可得△R，从而求的=R4+△R。
3、热敏电阻的电阻温度特性研究根据表一中MF51型半导体热敏
电阻（2.7kΩ）之电阻~温度特性研究桥式电路，并设计各臂电阻R和
的值，以确保电压输出不会溢出（本实验=1000.0Ω，=4323.0Ω）。
根据桥式，预调平衡，将功能转换开关旋至电压位置，按下G、
B开关，打开实验加热装置升温，每隔2℃测1个值，并将测量数据
列表（表二）。
表一MF51型半导体热敏电阻（2.7kΩ）之电阻～温度特性温
度℃253065电阻
Ω27731341116表二非平衡电桥电压输出形
式（立式）测量MF51型热敏电阻的数据i温度
t℃10.412.414.416.418.420.422.424.426.428.4热力学
TK283.4285.4287.4289.4291.4293.4295.4297.4299.4301.40.0-12.5-27.0-
42.5-58.4-74.8-91.6-107.8-126.4-144.40.0-259.2-529.9-789-1027.2-124.8-
1451.9-1630.1-1815.4-
1977.94323.04063.83793.13534.03295.83074.92871.12692.92507.62345.
1根据表二所得的数据作出～图，如右图所示。
运用最小二乘法计算所得的线性方程为，即MF51型半导体热敏
电阻（2.7kΩ）的电阻～温度特性的数学表达式为。
4、实验结果误差通过实验所得的MF51型半导体热敏电阻的电阻
—温度特性的数学表达式为。
根据所得表达式计算出热敏电阻的电阻～温度特性的测量值，与
表一所给出的参考值有较好的一致性，如下表所示：表三实验结果比
较温度℃253065参考值
RTΩ27731341116测量值
RTΩ2727149823相对误
差%0.740.581.600.894.996.207.408.1810.00从上述结果来看，基本在
实验误差范围之内。
但我们可以清楚的发现，随着温度的升高，电阻值变小，但是相
对误差却在变大，这主要是由内热效应而引起的。
5、内热效应的影响在实验过程中，由于利用非平衡电桥测量热
敏电阻时总有一定的工作电流通过，热敏电阻的电阻值大，体积小，
热容量小，因此焦耳热将迅速使热敏电阻产生稳定的高于外界温度的
附加内热温升，这就是所谓的内热效应。
在准确测量热敏电阻的温度特性时，必须考虑内热效应的影响。
本实验不作进一步的研究和探讨。
6、实验小结通过实验，我们很明显的可以发现热敏电阻的阻值
对温度的变化是非常敏感的，而且随着温度上升，其电阻值呈指数关
系下降。
因而可以利用电阻—温度特性制成各类传感器，可使微小的温度
变化转变为电阻的变化形成大的信号输出，特别适于高精度测量。
又由于元件的体积小，形状和封装材料选择性广，特别适于高
温、高湿、振动及热冲击等环境下作温湿度传感器，可应用与各种生
产作业，开发潜力非常大。
参考文献：[1]竺江峰，芦立娟，鲁晓东。
大学物理实验[M][2]杨述武，杨介信，陈国英。
普通物理实验（二、电磁学部分）[M]北京：高等教育出版社[3]
《大学物理实验》编写组。
大学物理实验[M]厦门：厦门大学出版社[4]陆申龙，曹正东。
热敏电阻的电阻温度特性实验教与学[J]<
2024年8月29日发(作者：衅嘉茂)
大学物理实验报告
摘要：热敏电阻是阻值对温度变化非常敏感的一种半导体电阻，
具有许多独特的优点和用途，在自动控制、无线电子技术、遥控技术
及测温技术等方面有着广泛的应用。
本实验通过用电桥法来研究热敏电阻的电阻温度特性，加深对热
敏电阻的电阻温度特性的了解。
关键词：热敏电阻、非平衡直流电桥、电阻温度特性1、引言热
敏电阻是根据半导体材料的电导率与温度有很强的依赖关系而制成的
一种器件，其电阻温度系数一般为（-0.003~+0.6）℃-1。
因此，热敏电阻一般可以分为:Ⅰ、负电阻温度系数（简称NTC）
的热敏电阻元件常由一些过渡金属氧化物（主要用铜、镍、钴、镉等
氧化物）在一定的烧结条件下形成的半导体金属氧化物作为基本材料
制成的，近年还有单晶半导体等材料制成。
国产的主要是指MF91~MF96型半导体热敏电阻。
由于组成这类热敏电阻的上述过渡金属氧化物在室温范围内基本
已全部电离，即载流子浓度基本上与温度无关，因此这类热敏电阻的
电阻率随温度变化主要考虑迁移率与温度的关系，随着温度的升高，
迁移率增加，电阻率下降。
大多应用于测温控温技术，还可以制成流量计、功率计等。
Ⅱ、正电阻温度系数（简称PTC）的热敏电阻元件常用钛酸钡材
料添加微量的钛、钡等或稀土元素采用陶瓷工艺，高温烧制而成。
这类热敏电阻的电阻率随温度变化主要依赖于载流子浓度，而迁
移率随温度的变化相对可以忽略。
载流子数目随温度的升高呈指数增加，载流子数目越多，电阻率
越小。
应用广泛，除测温、控温，在电子线路中作温度补偿外，还制成
各类加热器，如电吹风等。
2、实验装置及原理【实验装置】FQJ—Ⅱ型教学用非平衡直流电
桥，FQJ非平衡电桥加热实验装置（加热炉内置MF51型半导体热敏
电阻（2.7kΩ）以及控温用的温度传感器），连接线若干。
【实验原理】根据半导体理论，一般半导体材料的电阻率和绝对
温度之间的关系为（1—1）式中a与b对于同一种半导体材料为常
量，其数值与材料的物理性质有关。
因而热敏电阻的电阻值可以根据电阻定律写为（1—2）式中为两
电极间距离，为热敏电阻的横截面，。
对某一特定电阻而言，与b均为常数，用实验方法可以测定。
为了便于数据处理，将上式两边取对数，则有（1—3）上式表明
与呈线性关系，在实验中只要测得各个温度以及对应的电阻的值，以
为横坐标，为纵坐标作图，则得到的图线应为直线，可用图解法、计
算法或最小二乘法求出参数a、b的值。
热敏电阻的电阻温度系数下式给出（1—4）从上述方法求得的b
值和室温代入式（1—4），就可以算出室温时的电阻温度系数。
热敏电阻在不同温度时的电阻值，可由非平衡直流电桥测得。
非平衡直流电桥原理图如右图所示，B、D之间为一负载电阻，
只要测出，就可以得到值。
·物理实验报告·化学实验报告·生物实验报告·实验报告格式·实验报
告模板当负载电阻→，即电桥输出处于开路状态时，=0，仅有电压输
出，用表示，当时，电桥输出=0，即电桥处于平衡状态。
为了测量的准确性，在测量之前，电桥必须预调平衡，这样可使
输出电压只与某一臂的电阻变化有关。
若R1、R2、R3固定，R4为待测电阻，R4=RX，则当R4→R4+△R
时，因电桥不平衡而产生的电压输出为：（1—5）在测量MF51型热
敏电阻时，非平衡直流电桥所采用的是立式电桥，，且，则（1—6）
式中R和均为预调平衡后的电阻值，测得电压输出后，通过式（1—
6）运算可得△R，从而求的=R4+△R。
3、热敏电阻的电阻温度特性研究根据表一中MF51型半导体热敏
电阻（2.7kΩ）之电阻~温度特性研究桥式电路，并设计各臂电阻R和
的值，以确保电压输出不会溢出（本实验=1000.0Ω，=4323.0Ω）。
根据桥式，预调平衡，将功能转换开关旋至电压位置，按下G、
B开关，打开实验加热装置升温，每隔2℃测1个值，并将测量数据
列表（表二）。
表一MF51型半导体热敏电阻（2.7kΩ）之电阻～温度特性温
度℃253065电阻
Ω27731341116表二非平衡电桥电压输出形
式（立式）测量MF51型热敏电阻的数据i温度
t℃10.412.414.416.418.420.422.424.426.428.4热力学
TK283.4285.4287.4289.4291.4293.4295.4297.4299.4301.40.0-12.5-27.0-
42.5-58.4-74.8-91.6-107.8-126.4-144.40.0-259.2-529.9-789-1027.2-124.8-
1451.9-1630.1-1815.4-
1977.94323.04063.83793.13534.03295.83074.92871.12692.92507.62345.
1根据表二所得的数据作出～图，如右图所示。
运用最小二乘法计算所得的线性方程为，即MF51型半导体热敏
电阻（2.7kΩ）的电阻～温度特性的数学表达式为。
4、实验结果误差通过实验所得的MF51型半导体热敏电阻的电阻
—温度特性的数学表达式为。
根据所得表达式计算出热敏电阻的电阻～温度特性的测量值，与
表一所给出的参考值有较好的一致性，如下表所示：表三实验结果比
较温度℃253065参考值
RTΩ27731341116测量值
RTΩ2727149823相对误
差%0.740.581.600.894.996.207.408.1810.00从上述结果来看，基本在
实验误差范围之内。
但我们可以清楚的发现，随着温度的升高，电阻值变小，但是相
对误差却在变大，这主要是由内热效应而引起的。
5、内热效应的影响在实验过程中，由于利用非平衡电桥测量热
敏电阻时总有一定的工作电流通过，热敏电阻的电阻值大，体积小，
热容量小，因此焦耳热将迅速使热敏电阻产生稳定的高于外界温度的
附加内热温升，这就是所谓的内热效应。
在准确测量热敏电阻的温度特性时，必须考虑内热效应的影响。
本实验不作进一步的研究和探讨。
6、实验小结通过实验，我们很明显的可以发现热敏电阻的阻值
对温度的变化是非常敏感的，而且随着温度上升，其电阻值呈指数关
系下降。
因而可以利用电阻—温度特性制成各类传感器，可使微小的温度
变化转变为电阻的变化形成大的信号输出，特别适于高精度测量。
又由于元件的体积小，形状和封装材料选择性广，特别适于高
温、高湿、振动及热冲击等环境下作温湿度传感器，可应用与各种生
产作业，开发潜力非常大。
参考文献：[1]竺江峰，芦立娟，鲁晓东。
大学物理实验[M][2]杨述武，杨介信，陈国英。
普通物理实验（二、电磁学部分）[M]北京：高等教育出版社[3]
《大学物理实验》编写组。
大学物理实验[M]厦门：厦门大学出版社[4]陆申龙，曹正东。
热敏电阻的电阻温度特性实验教与学[J]<