2024年5月13日发(作者：稽丹翠)
样品中的硫确实存在形成高分辨率的XPS谱图（图5A）2。结合能的所有元素中引用
的C1s峰（284.6 eV）产生不定碳。三个不同的S2P峰值在25SPI谱中分别出现在163.3、
165.6和167.6 eV的结合能处。这些S2P的结合能是由于s2p3 / 2核心层次。163.3 eV
的峰值可以分配到的C−S结合的s2p3 / 2信号由于CS2的s2p3 / 2的结合能接近这重要
性.形成C−S波段意味着掺杂硫替代晶格N三嗪环形成的C−SPI的结合，如图1证明。这
样的替代掺杂硫晶格N的三嗪环也被发现在sulfurdoped石墨C3N4.8,22 。在∼165.6 eV
的峰往往被归因于S-S结合从少量残余升华硫吸附在样品表面产生的。至于在167.6 eV
的结合能高峰值，它可以分为硫氧化物（SO4,2-）在空气气氛中SPI的合成过程中形成的。
在25spi硫磺用量为0.38原子%基于XPS的分析结果。TEM−EDS测量进行控制确认掺
杂硫在25spi用量；0.35原子的值是一致的。这是第一个成功的尝试涂料掺杂硫在聚合物
半导体的结构利用元素硫（S4）作为掺杂剂的前体。正如由几组报道，在氮化碳三嗪环掺
杂硫的合成条件非常敏感。采用三聚硫氰酸作为前体不能产生掺杂氮化碳催化剂的聚合温
度为650°C. 硫掺杂介孔物质通过原位聚合合成以硫脲为硫前体和SiO2作为模板。硫的存
在是一致确认出现在最终的样本中，提出了替代碳的位置形成的S−N带三嗪环。然而，以
无硫脲为前兆合成g-C3N4 确认出现在最终同样没有其他硫物种保持的二氧化硅模板信
号中，当硫的前体转变为元素硫（S8）与三聚氰胺聚合，XPS最终已在多聚物中验证。硫
的作用是作为一个介体来修改的碳氮化物光催化剂的电子能带结构。与C3N4结构相比，
PI周期框架看起来像C3N4其中三缺电子均苯四甲酸二酐块已纳入网络，导致三嗪环缺电
子。较大的半径和硫低电负性（1.84Å和2.58，分别）与N（1.71Å和3.04，分别）赋予
它的电子供体特性。因此，对硫在SPI样品的三嗪环的氮原子被取代是因为π电子离域在
三嗪环的密度增加。此外，较低的聚合温度为325°C和酸性酸酐的存在使硫在PI简易框
架中掺杂。
在PI影响硫掺杂的化学状态下N 的结构是由N1s的XPS研究。图5b显示N1s的
XPS谱PI和25spi复合材料。在∼398 eV的N1s峰对应于吡啶类在PI的三嗪环的氮原子，
会和峰在∼399.4 eV相遇是由于氮原子连接两个羰基（−C=O）在NC4组五元环（图5b）
的黑色曲线。对于硫掺杂25spi样品，在398 eV的峰转换到397.8 eV的低结合能处，这
意味着电子密度的三嗪环的氮原子的增加。值得注意的是，在399.4 eV的峰分裂为两个新
的吸收峰出现在398.8和399.2 eV的结合能，表明两种N产生的硫掺入PI三嗪环，这也
改变了相邻NC4五元环氮原子的化学环境。
提高我国硫掺杂对PI的二维框架π电子分布的等的了解，我们利用聚类模型第PI和
SPI的表面研究了静电势的分布（ESP）。如图6所示，最消极和积极的表面静电势分别为
红色和蓝色。通过对PI和SPI的比较，可以发现，在PI模型的三嗪环的颜色很深（蓝色），
而SPI模式的三嗪环部分颜色很淡（青色），意义上的S原子取代的N三嗪环原子使其在
平面静电电位更低。这增加的电子密度与SPI N1s的XPS结果一致，其中三嗪环的特征
N1s信号转移到低结合能。SPI在图6的ESP（底部）显示剩余的区域周围的三嗪环的颜
色变浅，表明PI掺杂硫的变化不仅在三嗪环静电势的分布也在三个NC4五元环。如图6
所示，掺杂的硫和三个N原子的相邻NC4五元环之间的距离是不同的，导致三个N原子
负电荷非均匀分布。相应地，两个N原子附近的硫原子的负电荷可以分享和拥有较低的
N1s结合能（398.8 eV），而其他的具有更高的结合能（399.2 eV），如图5所示。
光催化活性的PI和SPI样品用钼溶液中的降解评价（4毫克/升）。如图7A所示，在
可见光照射下的光催化降解MO的情况下是可以忽略的。同样，控制确认实验内容，即使
八小时候后也几乎没有在25SPI黑暗中发生MO的降解。只有当样品用可见光照射是一个
不同降解活性钼硫掺杂PI和PI的获得，表明甲基橙的降解对这些样品是由可见光驱动的。
这个波长依赖性实验（图7B）进一步控制形成的照射光的能量是25spi样品活性之间的直
接联系；活动的趋势是一致的吸收边。图7，值得注意的是，所有的sulfurdoped PI复合
材料具有比纯PI较高的活动。SPI的降解活性随硫掺杂量达到最大的25spi；硫在合成系
统的初始浓度为35%的进一步增加导致催化活性的降低。其中硫掺杂的样品，25spi表现
2024年5月13日发(作者：稽丹翠)
样品中的硫确实存在形成高分辨率的XPS谱图（图5A）2。结合能的所有元素中引用
的C1s峰（284.6 eV）产生不定碳。三个不同的S2P峰值在25SPI谱中分别出现在163.3、
165.6和167.6 eV的结合能处。这些S2P的结合能是由于s2p3 / 2核心层次。163.3 eV
的峰值可以分配到的C−S结合的s2p3 / 2信号由于CS2的s2p3 / 2的结合能接近这重要
性.形成C−S波段意味着掺杂硫替代晶格N三嗪环形成的C−SPI的结合，如图1证明。这
样的替代掺杂硫晶格N的三嗪环也被发现在sulfurdoped石墨C3N4.8,22 。在∼165.6 eV
的峰往往被归因于S-S结合从少量残余升华硫吸附在样品表面产生的。至于在167.6 eV
的结合能高峰值，它可以分为硫氧化物（SO4,2-）在空气气氛中SPI的合成过程中形成的。
在25spi硫磺用量为0.38原子%基于XPS的分析结果。TEM−EDS测量进行控制确认掺
杂硫在25spi用量；0.35原子的值是一致的。这是第一个成功的尝试涂料掺杂硫在聚合物
半导体的结构利用元素硫（S4）作为掺杂剂的前体。正如由几组报道，在氮化碳三嗪环掺
杂硫的合成条件非常敏感。采用三聚硫氰酸作为前体不能产生掺杂氮化碳催化剂的聚合温
度为650°C. 硫掺杂介孔物质通过原位聚合合成以硫脲为硫前体和SiO2作为模板。硫的存
在是一致确认出现在最终的样本中，提出了替代碳的位置形成的S−N带三嗪环。然而，以
无硫脲为前兆合成g-C3N4 确认出现在最终同样没有其他硫物种保持的二氧化硅模板信
号中，当硫的前体转变为元素硫（S8）与三聚氰胺聚合，XPS最终已在多聚物中验证。硫
的作用是作为一个介体来修改的碳氮化物光催化剂的电子能带结构。与C3N4结构相比，
PI周期框架看起来像C3N4其中三缺电子均苯四甲酸二酐块已纳入网络，导致三嗪环缺电
子。较大的半径和硫低电负性（1.84Å和2.58，分别）与N（1.71Å和3.04，分别）赋予
它的电子供体特性。因此，对硫在SPI样品的三嗪环的氮原子被取代是因为π电子离域在
三嗪环的密度增加。此外，较低的聚合温度为325°C和酸性酸酐的存在使硫在PI简易框
架中掺杂。
在PI影响硫掺杂的化学状态下N 的结构是由N1s的XPS研究。图5b显示N1s的
XPS谱PI和25spi复合材料。在∼398 eV的N1s峰对应于吡啶类在PI的三嗪环的氮原子，
会和峰在∼399.4 eV相遇是由于氮原子连接两个羰基（−C=O）在NC4组五元环（图5b）
的黑色曲线。对于硫掺杂25spi样品，在398 eV的峰转换到397.8 eV的低结合能处，这
意味着电子密度的三嗪环的氮原子的增加。值得注意的是，在399.4 eV的峰分裂为两个新
的吸收峰出现在398.8和399.2 eV的结合能，表明两种N产生的硫掺入PI三嗪环，这也
改变了相邻NC4五元环氮原子的化学环境。
提高我国硫掺杂对PI的二维框架π电子分布的等的了解，我们利用聚类模型第PI和
SPI的表面研究了静电势的分布（ESP）。如图6所示，最消极和积极的表面静电势分别为
红色和蓝色。通过对PI和SPI的比较，可以发现，在PI模型的三嗪环的颜色很深（蓝色），
而SPI模式的三嗪环部分颜色很淡（青色），意义上的S原子取代的N三嗪环原子使其在
平面静电电位更低。这增加的电子密度与SPI N1s的XPS结果一致，其中三嗪环的特征
N1s信号转移到低结合能。SPI在图6的ESP（底部）显示剩余的区域周围的三嗪环的颜
色变浅，表明PI掺杂硫的变化不仅在三嗪环静电势的分布也在三个NC4五元环。如图6
所示，掺杂的硫和三个N原子的相邻NC4五元环之间的距离是不同的，导致三个N原子
负电荷非均匀分布。相应地，两个N原子附近的硫原子的负电荷可以分享和拥有较低的
N1s结合能（398.8 eV），而其他的具有更高的结合能（399.2 eV），如图5所示。
光催化活性的PI和SPI样品用钼溶液中的降解评价（4毫克/升）。如图7A所示，在
可见光照射下的光催化降解MO的情况下是可以忽略的。同样，控制确认实验内容，即使
八小时候后也几乎没有在25SPI黑暗中发生MO的降解。只有当样品用可见光照射是一个
不同降解活性钼硫掺杂PI和PI的获得，表明甲基橙的降解对这些样品是由可见光驱动的。
这个波长依赖性实验（图7B）进一步控制形成的照射光的能量是25spi样品活性之间的直
接联系；活动的趋势是一致的吸收边。图7，值得注意的是，所有的sulfurdoped PI复合
材料具有比纯PI较高的活动。SPI的降解活性随硫掺杂量达到最大的25spi；硫在合成系
统的初始浓度为35%的进一步增加导致催化活性的降低。其中硫掺杂的样品，25spi表现